150v 87a n沟mos管SVGP159R3NL5A_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVGP159R3NL5A 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 9 页 第 1 页 87A、150V N沟道增强型场效应管 描述 SVGP159R3NL5A N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 特点 87A,150V,RDS(on)(典型值)=7.9 mVGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 100%雪崩测试 无铅管脚
2、镀层 符合 RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS 150 V VGS(th) 3.04.6 V RDS(on),max 9.3 m ID 87 A Qg.typ 40 nC 12348765SSSGDDDDDFN-8-560.9-1.27 1234876543215678 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVGP159R3NL5ATR DFN-8-5X6X0.9-1.27 P159R3N 无卤 编带 士兰微电子 SVGP159R3NL5A 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数
3、(除非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源电压 VDS - 150 - - V 栅源电压 VGS - -20 - 20 V 漏极电流 ID TC=25C - - 87 A TC=100C - - 55 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM TC=25C - - 348 A 耗散功率(注 2) PD TC=25C - - 142 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=0.5mH,VDD=50V,RG=25, 开始温度TJ=25C - - 193 mJ 单脉冲电流 IAS - - - 27.8 A 工作结温范围 TJ - -55 - 150 C 贮存温
4、度范围 Tstg - -55 - 150 C 热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - 0.56 0.88 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 50 C/W 焊接温度(SMD) Tsold 回流焊:101 sec,3times 波峰焊:20-10 sec1,time - - 260 C 士兰微电子 SVGP159R3NL5A 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 9 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,TJ=25C) 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型
5、值 最大值 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 150 155 - V 漏源漏电流 IDSS VDS=150V,VGS=0V,TJ=25C - 0.1 1.0 A VDS=150V,VGS=0V,TJ=125C - 5.0 100 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V,VDS=0V - 10 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250A 3.0 3.8 4.6 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=44A - 7.9 9.3 m VGS=8V,ID=22A - 8.7 10.5 跨导 gfs VDS=2V,ID=20A - 41
6、 - S 栅极电阻 RG f=1MHz 0.3 1.6 3.0 动态参数动态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V,VDS=75V 2154 2800 3640 pF 输出电容 Coss 546 710 923 反向传输电容 Crss 11 17 26 开启延迟时间 td(on) VDD=75V,VGS=10V,RG=3,ID=44A (注 3,4) 16 24 36 ns 开启上升时间 tr 70 91 118 关断延迟时间 td(off) 18 27 41 关断下降时间 tf 25 32 42 栅极电荷量 Qg VD
7、D=75V,VGS=10V,ID=44A (注 3,4) 31 40 52 nC 栅极-源极电荷量 Qgs 17 23 30 栅极-漏极电荷量 Qgd 4.4 6.6 10 栅极-平台电压 Vplateau - 7.3 - V 反向反向二极管特性参数二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续二极管正向电流 IS TC=25C,MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 87 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - 348 源-漏二极管压降 VSD IS=44A,VGS=0V 0.5 0.88 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=44A,VGS=
8、0V, dIF/dt=100A/s (注 3) 37 48 62 ns 反向恢复电荷 Qrr 45 58 75 nC 注:注: 1. 脉冲时间5s; 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少1.14W/C; 3. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVGP159R3NL5A 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 - ID (A)漏源电压 - VDS(V)图 2. 传输特性栅源电压 - VGS (V)漏极
9、电流 - ID (A)漏极电流 - ID (A)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流栅源电压 - VGS (V)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 4. 导通电阻 vs. 栅源电压图 5. 开启电压VS.温度特性栅源开启电压- VGS(th) (V)结温 - TJ( C)反向漏极电流 - IDR(A)源漏电压 - VSD (V)图6. 体二极管正向压降 vs. 源极电流和温度0410306051201502390VGS=5.5VVGS=6.0VVGS=6.5VVGS=7.0VVGS=8.0VVGS=10V注:1.250s 脉冲测试2.TJ=25 C0.1
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