80v低压mos管SVG083R6NL5参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVG083R6NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 1 页 138A、80V N沟道增强型场效应管 描述 SVG083R6NL5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 特点 138A,80V,RDS(on)(典型值)=3.0mVGS=10V 低栅极电荷 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 100%雪崩测试 无铅管脚镀层 符合
2、RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS 80 V VGS(th) 2.04.0 V RDS(on),max 3.6 m ID 138 A Qg.typ 80 nC PDFN-8-5X6X0.95-1.2712348765SSSGDDDD3112348765248765 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVG083R6NL5TR PDFN-8-5X6X0.95-1.27 083R6NL5 无卤 编带 士兰微电子 SVG083R6NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特
3、殊说明,TA=25C) 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源电压 VDS - 80 - - V 栅源电压 VGS - -20 - 20 V 漏极电流 ID TC=25C - - 138 A TC=100C - - 88 - TC=25C(受限于封装) - - 60 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM TC=25C - - 240 A 耗散功率(注 2) PD TC=25C - - 125 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=0.1mH,VDD=50V,RG=25, 开始温度TJ=25C - - 231 mJ 单脉冲电流 IAS - - - 68 A 工作结温范围 TJ
4、- -55 - 150 C 贮存温度范围 Tstg - -55 - 150 C 热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - - 1.0 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 50 C/W 焊接温度(SMD) Tsold 回流焊:101 sec,3times 波峰焊:20-10sec,1time - - 260 C 士兰微电子 SVG083R6NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,TJ=25C) 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值
5、 单位 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 80 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=80V,VGS=0V,TJ=25 C - - 1.0 A VDS=80V,VGS=0V,TJ=125 C - 5.0 - 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V,VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250A 2.0 - 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=20A - 3.0 3.6 m 栅极电阻 Rg f=1MHz - 3.8 - 动态参数动态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位
6、最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V,VDS=40V - 5786 - pF 输出电容 Coss - 653 - 反向传输电容 Crss - 21 - 开启延迟时间 td(on) VDD=40V, VGS=10V, RG=10, ID=20A (注 3,4) - 37 - ns 开启上升时间 tr - 69 - 关断延迟时间 td(off) - 122 - 关断下降时间 tf - 64 - 栅极电荷量 Qg VDD=40V,VGS=10V,ID=20A (注 3,4) - 80 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 28 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 1
7、3 - 栅极-平台电压 Vplateau - 4.8 - V 反向反向二极管特性参数二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续二极管正向电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N结 - - 60 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - 240 源-漏二极管压降 VSD IS=20A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=20A,VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 3) - 56 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 82 - nC 注:注: 1. 脉冲时间5s; 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C
8、时耗散功率值随着温度每上升1度减少1.0W/C; 3. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVG083R6NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 - ID (A)漏源电压 - VDS(V)图 2. 传输特性栅源电压 - VGS (V)漏极电流 - ID (A)漏极电流 - ID (A)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流栅源电压 - VGS (V)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 4. 导通电阻 v
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