通用变频控制技术优缺点对比分析.pdf
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1、DCIENCE&TECHINOLOGYVISION科技视界通用变频控制技术优缺点对比分析区刘鎏草韩剑波骆攀(中国核动力研究设计院核反应堆系统设计技术重点实验室,四川成都610213)摘要:变频技术是一种把直流电逆变成不同频率的交流电的转换技术,即通过改变供电频率,达到调节负载,降低功耗,减小损耗,延长设备使用寿命等目的。因此,变频技术在电厂大功率设备启动、调速运行、节能改造中承担重要作用。那么,变频控制技术体系中最为核心的技术有哪些呢?文章对比分析了通用变频技术在主电路拓扑结构、脉宽调制技术、变频控制策略、核心功率器件等核心)技术方面的优缺点,并作科普化解读,还给出了不同场合变频技术的应用建议
2、,为技术人员了解、应用变频控制技术提供参考。关键词:变频;主电路;脉宽调制;控制策略;功率器件引言变频技术是一门采用微控制器和其他控制部件,通过一定时序来控制供电回路中功率半导体器件的开通和关断,从而改变供电频率的技术。与传统工频控制技术相比,变频控制技术实现电路通断的关键部件不再是接触器、继电器,而是CPU和半导体。尽管在技术上带来了复杂性,但是变频可以将整个物理系统由刚性变得柔性,由不控变得可控,由粗狂变得精细,因此变频技术的应用日益广泛。近年来,随着电力电子技术、微电子技术以及现代控制理论的发展,变频控制技术在成熟性、可靠性、经济性上有了本质性的提升,已广泛应用到钢铁、电力、石油、煤炭、
3、治金、高速动力牵引、磁悬浮列车等国民经济领域。在核动力行业,变频技术的应用也已开始斩露头角,例如第三代压水堆技术AP1000、CAP1400堆型中的主泵、循环水泵变频控制;模块化小堆等新堆型中主给水泵的变频控制等。对于电动泵这类典型大功率交流负载来说,基于变频控制技术的交流拖动系统具有调速范围广、精度高、动态响应好、节约能源等诸多优点,可以降低电力系统的负荷压力,优化工作者简介:刘鎏,湖北武汉人,工学硕士,高级工程师,主要研究方向为电气控制与电力电子技术。艺系统的设计。变频技术涉及的学科范围较广,需要系统运用强电、弱电、控制理论、电磁兼容等多方面知识,对技术人员科技素养要求较高。本文主要从变频
4、控制技术体系中最为核心的技术内涵以及应用问题等方面进行对比分析,并作科普化解读,以加强相关技术从业人员对变频控制技术的理解和认识,从而达到普及推广变频技术应用,为工艺系统、电力系统乃至电站运行提供设计优化的目的。一、变频技术核心内涵变频技术的核心内涵主要包括主电路拓扑结构技术、脉宽调制(PulseWidthModulation,PWM)技术、控制策略技术、核心功率器件选型。如果将变频器比作一个人,那么主电路拓扑结构就如同人的骨骼,基本决定了变频器的高矮胖瘦;PWM调制技术就如同人的四肢,变频器的运行步伐、节奏全靠它;控制策略就如同人的大脑,将变频器的各个部分有机组织起来并进行指挥协调;核心功率
5、器件如同人的心脏,拥有一颗强大的心脏是变频器能否健康长寿的关键。66科技视|Science&TechnologyVisionNEWTECHNOLOGYAPPLICATION新技术应用(一)变频主电路拓扑结构变频器的主电路拓扑结构是电能在电网和用电设备中进行能量交换的桥梁。根据变频器直流母线储能环节构成,主电路拓扑结构一般分为电压源型和电流源型。电压源型结构主要依靠大容量电容储能,电流源型结构主要依靠大容量电感储能。由于电感线圈天然具有体积大、重量重的物理特性,对变频器整体尺寸影响很大,因此除非特殊场合,一般均采用电压源型结构。而根据任一时刻变频器输出电压的幅值,电压源型结构又可分为两电平结构(
6、即任一时刻,相电压输出为0 或母线电压)和三电平(即任一时刻,相电压输出为0 或者土母线电压)及以上结构。两电平结构中,功率半导体器件需求数量最少,成本最低,但是谐波输出含量最高,一般用在小功率及低压场合;三电平及以上结构中,功率半导体器件需求数量成倍增加,成本上升,但谐波含量会随着电平数的增加而大幅减少,一般用在大功率及中高压场合。在变频器主电路拓扑结构选择上,需根据不同应用需求、经费需求妥善选取。对于低压变频驱动场合,由于功率器件承压远低于其耐受范围,且通过专门的输出滤波器可以有效地治理谐波,因此一般采用两电平交直交主电路拓扑结构。对于使用空间要求极高的场合,在经费充裕的情况下,为了在减小
7、输出滤波器体积的同时保证供电品质,主电路也可采用三电平结构。对于中高压变频驱动场合,若使用空间充裕,采用单元串联多电平型拓扑结构(AP1000主泵变频器即采用该结构,通过大型移相变压器的多个二次绕组抽头实现降压和多电平串联)的变频器有着很好的结构优势,输人、输出波形谐波含量小,对驱动电机没有特殊要求,而且容易实现部件穴余化设计,设备可用性较高。但是由于输人存在变压器,器件数量也很多,因此设备体积、重量大,容易造成布置上的困难。对于空间紧张的场合,则可采用基于二极管钳位三电平结构主电路的变频器,省去了移相变压器,体积大大缩小,且通过输出滤波处理措施也能将谐波指标控制得比较好。此外,在变频器整流侧
8、采用可控PWM技术可以使交流输人电流波形近乎正弦,且功率因数接近于1,实现能量向电网的回馈和变频器四象限运行,是目前变频器主电路拓扑结构的一个发展方向。(二)核心功率器件核心功率器件是变频器的主要开关器件,用于电源的频繁接通和关断。其基本特性主要包括:开通时,导通压降要小,载流量要大,关断时,漏电流要小,反向承压要大;开关频率要高,上升下降时延要短;同时,寿命要长、体积要小、散热性能要好等。经过几十年发展,日前常见功率器件有门极自关断晶闸管GTO、绝缘栅双极晶体管IGBT、集成门极换流晶闸管IGCT、电子增强注入型栅极晶体管IEGT和发射极关断晶闸管ETO等。GTO是最早的大功率自关断器件,具
9、有电流密度大(6 0 0 0 A)、耐电压能力高(6 50 0 V)的突出优点,是目前能承受电压最高和流过电流最大的全控型器件,最适合大功率应用,不足之处是开关频率低、损耗高、驱动电路复杂、缓冲吸收电路庞大、电磁兼容性差。IGBT是一种复合型全控器件,具有输入阻抗高、开关速度快、耐压高、电流密度大、驱动功率小、开关损耗小等优点,是目前中等功率变频器中的主流器件,不足之处是通态压降较高,导电损耗较大。目前,常用型号除低压IGBT(17 0 0 V/12 0 0 A 及以下)外,已开发出高压IGBT,可达3.3kV/12kA或4.5kV/9kA。I G C T 是在GTO和IGBT基础上发展起来的
10、新型功率器件,技术参数介于GTO和IGBT之间,兼有二者优点,又克服了一些不足之处,具有通态压降小、开关损耗低、承压高、电流大等显著特点,主要用于兆瓦级中高压场合。IEGT是在栅极通过采取增强电子注人结构实现耐压达4kV以上的IGBT系列功率器件,兼具GTO的低通态压降以及IGBT的大电流导通能力,日益受到市场重视。ETO则是在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)基础上发展出来的一种新型功率器件,具有全电压驱动、高阻断电压、大电流密度和低通态压降、开关特性好等优点,可在无缓冲电路的情况下可靠关断,所需驱动功率非常小,适用于中高压、高频率的应用场合。总体而言,在中高压(3kV及以上)变频
11、技术领域,功率器件以GTO、I G CT、I G BT 为主。其中在中等电压、大电流、大功率、低开关频率(1kHz及以下)的传动领域,如电力牵引机车,GTO、I G C T 有着独特的优势;而Science&Technology Vision|科技视6 7DCIENCE&STECHINOLOGYVISION科技视界在中等电流(10 0 0 A以内)、高载波频率、高斩波频率下,IGBT应用较多。随着研究深人,新型器件EGT、ETO的应用也日益成熟,但还难以与IGBT相抗衡。在低压(1kV及以下)变频技术领域,IGBT因其优良的开关断性能、较高的性价比成为功率器件的首选。在部分通断电流不太大的场合
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