无锡安趋半桥驱动芯片ID2206D可代换 ir2106驱动芯片-骊微电子.pdf

ID2206D Chipown 高低侧栅极驱动芯片高低侧栅极驱动芯片概述概述 ID2206D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。 应用领域应用领域 高压风机风筒家电产品特性特性 高侧浮动偏移电压600 V输入信号兼容3.3 V 和5 V逻辑电平dV/dt 抗干扰能力 50 V/nsec内置自举二极管芯片工作电压范围 10 V 20 V高低侧均具有欠压保护功能输出拉灌电流能力210 mA / 360mA高低侧通道均延时匹配死区时间典型值为150 ns封装封装/订购信息订购信息 ID2206D87651234LOCOM LINHINVCC VBHO VS订购代码订购代码封装封装ID2206DSEC-R1 SOP8 典型电路典型电路 ID2206D8765CBS1234VDC, up to 600VLOCOM LINHINVCC VBHO VSMCU15VRcs IF Q1Q2Load深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理商ID2206D Chipown 逻辑功能及时序定义图逻辑功能及时序定义图 LINHINLOHOFig.1 Input and output timing waveform HINHO5V0V0V15V10%50%50%LO90%tontofftr90%tf10%LIN Fig.2 Propagation and Rise/Fall time definitionLINHIN10%90%50%50%LOHOMTLOHOMT5V0V15V0V15V0VFig.3 Delay matching definition 深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理商ID2206D Chipown 90%90%10%10%50%50%50%50%DTDTHINLINLOHOFig.4 Dead-time definition深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理商ID2206D Chipown 封装信息封装信息 封装外形尺寸封装外形尺寸SOP8 DA3A2AA1LL1c0.25beBBE1EBASE METALSECTION B-BWITH PLATINGbb1c1 ch 尺寸尺寸 符号符号 最小最小值值 (mm) 典型值典型值 (mm) 最大最大值值 (mm) 尺寸尺寸 符号符号 最小最小值值 (mm) 典型值典型值 (mm) 最大最大值值 (mm) A - - 1.75 D 4.70 4.90 5.10 A1 0.10 - 0.225 E 5.80 6.00 6.20 A2 1.30 1.40 1.50 E1 3.70 3.90 4.10 A3 0.60 0.65 0.70 e 1.27BSC b 0.39 - 0.48 h 0.25 - 0.50 b1 0.38 0.41 0.43 L 0.50 - 0.80 c 0.21 - 0.26 L1 1.05BSC c1 0.19 0.20 0.21 0 - 8 表层丝印表层丝印 封装封装 iDR. ID2206D YWWXXXXX SOP8 备注： Y：年份代码； WW：周代码； XXXXX：内部代码备注： 1. 此制图可以不经通知进行调整；2. 器件本体尺寸不含模具飞边。深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理商ID2206D Chipown 重要声明重要声明无锡芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利，恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对任何将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任，无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权利。 深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理商