硅材料中英文对照表.doc

硅材料中英文对照表

1、 Small Pot Scrap with Quartz 带石英渣的小块埚底料(瓜子料)
2、 Contaminated Pot Scrap 被沾污了的埚底料
3、 Cast Ingot Side-Walls (Tops,Sides, Bottoms)
废弃晶锭边皮料(指浇铸硅的顶、边、底部料)
4、 Sigle-Crystal -silicon 单晶硅
5、 Remelt Ingots 回熔晶锭
6、 Remelt Goods 回熔料
7、 Poly Virgin Vac Pack 多晶原料真空包装
8、 Poly Virgin Goods 多晶原始料
9、 Poly Virgin Surface Contaminated 多晶原料表面沾污
10、 Poly Virgin Flakes 多晶料片
11、 Remelt Siabs
12、 Remelt Small Pcs 回熔小片
13、 Remelt Plugs 回熔小锭
14、 Plugs 小锭
15、 Chips 切片
16、 Semicon Grade silicon 半导体级硅
17、 Granular Poly 粒状多晶
18、 Multicrystalline (or Polysilicon) 多晶硅
19、 Recliam Wafers 回收硅片
20、 Broken Cells 碎电池片
21、 N-type N型
22、 P-type P型
23、 Resistivity (ohm-cm ) 电阻率 (欧姆-厘米)
24、 Orintation 晶向
25、 Beam 横樑料
26、 Polysilicon with Carbon (or Graphite) 碳头料
27、 Solar Grade Silicon 太阳能级硅
28、 Minor Carrier life-time 少数载流子寿命
29、 Acceptor Impurity 受主杂质。又称P型杂质(如硅中的硼、铝、镓、铟等杂质)，这是指为半导体材料提供空穴的一类杂质。
30、 Donor Impurity 施主杂质。又称N型杂质（如硅中的磷、砷、锑等杂质），这是指为半导体材料提供电子的一类杂质。
31、 Dislocation-free Single Crystal 无位错单晶。通常是将位错密度小于500个/㎝2的单晶称为无位错单晶，这种单晶并非是真正意义上的无位错，只是因为这种低位错的单晶中位错较少而分散，对材料性能的影响不大。
32、 Twin Crystal 孪晶。这是指由两部分取向不同但有一个共同晶面组成的一块晶体称为孪晶，又叫双晶。该共用晶面叫孪晶面，这两部分晶体的取向以孪生面为镜面对称。组成孪晶的两个单晶体的取向间的夹角是某个确定的角度，而不能是任意的。
33、 Slip Plane 滑移面。这是指晶体在受力时，其内部往往会在某些面上沿着某个确定的方向产生平动滑移，即相当于晶体的一部分相当于另一部分作剪切位移，我们把这种运动称为滑移，产生滑移的面称为滑移面，滑移实际上是一种非均匀的畸变过程，通常是在原子密度较大，或面间距较大的晶面容易产生滑移，而且容易沿着原子分布较密的方向滑移。
34、 Cleavage Plane 解理面。在晶体中易于劈裂的晶面较解理面，最易滑移的面也是易于劈裂的面，所以滑移面本身就是解理面。
35、 Crystalline Defect 晶体缺陷。在半导体单晶体中原子的位置和原子的种类都是有序排列的。但是由于某种原因当原子的位置或原子的种类均偏离了理想晶格中原子有规则的排列，就会出现严重影响晶体的机械、电学及其它晶体特性的缺陷，我们称之为晶体缺陷。晶体缺陷产生的机理非常复杂，它在单晶生长、加工、热处理等工艺中都会产生晶体缺陷。晶体缺陷的存在，会极大地影响晶体的物理性质和电学性能，直接影响着半导体器件的质量和寿命，因此晶体缺陷是人们研究最多的领域。根据缺陷的形状不同,可分为：
点缺陷（包括杂质原子、点阵空位和间隙原子等）
线缺陷（如位错等）
面缺陷（如层错和晶粒间界等）
微缺陷（如空位团、微杂质沉淀、应力图型等）
36、 Oxygen Content 氧含量。氧是直拉硅单晶内的主要有害杂质之一，大量的氧一般是在单晶生长时由石英坩埚引入的，在硅的熔点（1410℃）附近，硅中氧的最大熔解度可高达2×1018/㎝3，一般用于IC工业的直拉单晶硅的氧含量应小于5×1016/㎝3，而用于太阳能工业的直拉单晶硅的氧含量应小于1×1018/㎝3。
37、 Carbon Content 碳含量,。碳也是直拉单晶硅的主要有害杂质之一，大量的碳主要是由于石墨加热器的沾污引起的，在单晶拉制过程中，在硅的熔点（1410℃）附近碳在硅中的最大溶解度为3.5×1017/㎝3。通常用于IC和太阳能级的直拉单晶硅的碳含量应小于1×1017/㎝3。
38、 TTV---Total Thickness Variation 总厚度偏差。这是表征硅片整体各处厚度变化的参数，指硅片表面与基准平面距离的最大值与最小值之差，即整个硅片厚度最大值与最小值之差，其单位往往采用µm。
39、 Bow 弯曲度。这是指硅片在无外力作用下呈弓型状态时的度量值,它是与硅片厚度变化无关的体性质变量。由于弯曲度是与硅片厚度及其变化无关的，所以测定硅片的弯曲度往往是测定硅片中心点正反两面与参考平面两次测量值之差，取这个差值的1/2为弯曲度值。弯曲度的单位也是µm。
40、 Warp 翘曲度。翘曲是硅片的一种较复杂的体形变，与硅片的厚度无关，它表示的是硅片中心线平面与基准面的偏离，其测量定义是硅片厚度中心面上各处在轴向偏离基准面的最大值与最小值之差。硅片的弯曲和翘曲多是由于在机加工过程中的刀具设置不当或晶体内部的热应力引起的。
41、 Chip 崩边。这是指硅片或晶锭边缘的缺损，常用径向深度或周边弦的长度给出崩边的大小。
42、 Contaminant 沾污。是指晶片表面上仅凭目测便可观测到的众多外来异物的总称。大多数情况下，沾污可通过干燥氮气气吹、洗涤或化学处理即可去除。
43、 Dirt 不洁物。指不能用一般溶剂去除的表面沾污物。它们可能是表面局部区域的外来物，如污迹、色斑、斑纹等，或由于外来物薄膜引起的呈大面雾状形态。
44、 Mark 痕迹。由真空吸盘、真空吸笔或使用不清洁的镊子夹持硅片边缘所引起的表面的局部污染区。环绕整个边缘区域的痕迹多属于包装引起。
45、 Partculat 微粒。停留在晶片表面上明显分立的粒子。在平行光照射下，显现为亮点、亮线或尘埃。
46、 Residue Solvent 溶剂残留物。指溶剂的挥发部分蒸发后，通常以曲线或条纹形状残留与硅片的表面，也可能是溶剂除掉的物值又重新在硅片表面的沉积。
47、 Smudge 污迹。这是一种局部区域的浓密沾污，通常由于操作不当或指纹引起。
48、 Spot 斑点。洗涤剂、溶剂或蜡的残留物干涸后的小滴。
49、 Stain 色斑。纹理状的沾污，其杂质为化学性的，只有进一步研磨或抛光才能除掉，这类沾污在化学腐蚀后可以看到，一般为白色或棕色纹理状色斑。
50、 Crack 裂纹。延伸到硅片表面的解理或裂痕，它可贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度，又称为裂缝或裂痕。
51、 Mound 小丘。显露在硅片表面上的一个或多个不规则形状的突起物。它们可能是体缺陷的延伸或多种多样的沾污或者两者兼有。高密度的小丘也可能引起雾。
52、 Orange Peel 桔皮。硅晶片表面如桔皮状，由大量不规则园形物表征的粗糙表面。在荧光照射下可以观测到，但在平行光下，一般肉眼看不到。
53、 Pit 小坑。硅晶片表面上一种具有确定形状的凹陷。坑的斜面、坑和片子表面的界面是清晰的，很容易区别于园状的凹坑。
54、 Saw Marks 刀痕。一系列半径为刀具半径的曲线状表面不规则的凹陷/隆起或者在晶片表面的一种曲线状阶梯，在化学腐蚀前，这些缺陷往往不易分辩。
55、 Scratch 擦伤。在腐蚀或外延前后可以看到的长而窄的线沟槽或表面下的园形刀痕。
56、 Striation 条纹。在晶体生长时，由于在旋转的固液界面处发生的周期性结晶的现象而引起的杂质分布的局部变化。它反映了杂质浓度呈螺旋状周期性的变化。择优腐蚀后，在放大150倍情况下是连续的。

外贸常用词汇:
出口信贷 export credit
出口津贴 export subsidy
商品倾销 dumping
外汇倾销 exchange dumping
优惠关税 special preferences
保税仓库 bonded warehouse
贸易顺差 favourable balance of trade
贸易逆差 unfavourable balance of trade
进口配额制 import quotas
自由贸易区 free trade zone
对外贸易值 value of foreign trade
国际贸易值 value of international trade
普遍优惠制 generalized system of preferences-GSP
最惠国待遇 most-favoured nation treatment-MFNT

8