PN7762直流马达桥式MOS管驱动IC替代ST8834/PM8834_骊微电子.pdf

PN7762/3/4 Chipown 具有具有 5A 峰值驱动电流的双通道低侧栅极驱动芯片峰值驱动电流的双通道低侧栅极驱动芯片 概述概述 PN7762/3/4是一款双通道、高速低侧栅极驱动 芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT 的驱动开关。 PN7762/3/4的输出可以提供高达5A拉电流和5A 灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信 号的传播延时极小，典型值为22ns。此外，该 芯片的两个通道之间的传播匹配延时小于2ns， 可将两个通道并联使用。 该芯片的输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号 控制，具有良好的抗干扰性。 特性特性 宽电源电压范围：4.5V30V 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值拉电流和灌电流 快速传播延时（典型值22ns） 快速上升和下降时间（典型值7ns） 两通道间延时匹配时间典型值为1ns 针对更高的驱动电流，两个输出可以并联 使用 当输入管脚悬空时，输出保持为低电平 采用DFN3 3和SOP8封装 应用领域应用领域 开关模式电源 电机控制 功率MOSFET和IGBT栅极驱动器 封装封装/订购信息订购信息 SOP8 GND ENA INB VDD OUTB INA ENB OUTA DFN33 ENA INA GND INB ENB OUTA VDD OUTB 1 2 3 45 6 7 8 订购代码订购代码 封装封装 PN7762SEC-R1 SOP8 PN7763SEC-R1 SOP8 PN7764SE-A1 SOP8 PN7762DF-A1 DFN3 3 PN7763DF-A1 DFN3 3 PN7764DF-A1 DFN3 3 典型电路典型电路 PN7762/3/4 ENA INA VDD Gate Driver Gate Driver Control Logic OUTA OUTB GND VDD 4.5V30V VDDLoad1 Load2 Rg1 Rg2 ENB INB 深圳市骊微电子科技有限公司-芯朋微一级代理w w w .s z l w t e ch .co m PN7762/3/4 Chipown 管脚定义管脚定义 管脚名管脚名 管脚标号管脚标号 管脚功能描述管脚功能描述 ENA 1 A通道使能信号，ENA=“L”，A通道输出低；ENA=“H”， A通道输出见真值表 INA 2 A通道输入信号，控制OUTA GND 3 地 INB 4 B通道输入信号，控制OUTB OUTB 5 B通道驱动输出 VDD 6 电源 OUTA 7 A通道驱动输出 ENB 8 B通道使能信号，ENB=“L”，B通道输出低；ENB=“H”， B通道输出见真值表 真值表真值表 输入输入 输出输出 PN7762 PN7763 PN7764 ENA ENB INA INB OUTA OUTB OUTA OUTB OUTA OUTB H/F H/F L L L L H H H L H/F H/F L H L H H L H H H/F H/F H L H L L H L L H/F H/F H H H H L L L H L L L L L L L L (2) F(1) F L L L L L L 备注:（1）浮置状态；（2）任何状态 功能框图功能框图 Control Logic Gate Driver 7 OUTA VDD6 Gate Driver 5 OUTB VDD INA INB Signal Input 2 4 ENA ENB GND PN7762 Protection UVLO 1 8 3 VDD VDD 图 1 PN7762 功能框图 深圳市骊微电子科技有限公司-芯朋微一级代理w w w .s z l w t e ch .co m PN7762/3/4 Chipown Control Logic Gate Driver 7 OUTA VDD6 Gate Driver 5OUTB VDD INA INB Signal Input 2 4 ENA ENB GND PN7763 Protection UVLO 1 8 3 VDD VDD VDD VDD 图 2 PN7763 功能框图 Control Logic Gate Driver 7 OUTA VDD6 Gate Driver 5 OUTB VDD INA INB Signal Input 2 4 ENA ENB GND PN7764 Protection UVLO 1 8 3 VDD VDD VDD 图 3 PN7764 功能框图 深圳市骊微电子科技有限公司-芯朋微一级代理w w w .s z l w t e ch .co m PN7762/3/4 Chipown 极限工作范围极限工作范围 VDD脚耐压.-0.332V ENA, ENB, INA, INB脚耐压-0.332V OUTA, OUTB脚耐压.-0.332V 存储温度范围.-55150 oC 管脚焊接温度（10秒）.260 oC 封装热阻JC(1) （DFN3 3）.45 oC /W 封装热阻JC(1)（SOP8）.40 oC /W 人体模式ESD 能力(2)（HBM）. 2kV 人体模式ESD 能力(3)（CDM）. 1kV 备注：(1) 芯片到塑封料顶层表面的热阻； (2) 产品委托第三方严格按照芯片级 ESD标准(ESDA/JEDEC JS-001-2017)中的测试方式和流程进行测试； (3) 产品委托第三方严格按照芯片级 ESD标准(ESDA/JEDEC JS-002-2018)中的测试方式和流程进行测试。 适用工作范围适用工作范围 VDD电压.4.530V OUTA, OUTB脚耐压.030V ENA, ENB, INA, INB电压.030V 工作环境温度.-40125 oC 深圳市骊微电子科技有限公司-芯朋微一级代理w w w .s z l w t e ch .co m PN7762/3/4 Chipown 电气特性电气特性 (TA= 25oC，VDD=12V，OUT 端接 1.8nF电容，特殊情况另行说明。) 备注：(1) 设计保证 (2) 设计保证，具体定义见图 48。 参数参数 符号符号 测试条件测试条件 最小最小值值 典型典型值值 最大最大值值 单位单位 VDD管脚管脚 VDD 启动电压 VDDON 4.1 4.5 4.9 V VDD 欠压保护阈值 VDDOFF 3.8 4.2 4.6 V VDD 欠压滞回值 VHYS VDDON-VDDOFF 0.3 V VDD 静态电流 IVDDQ1 VDD=12V， OUT输出高 0.4 0.6 1 mA IVDDQ2 VDD=12V， OUT输出低 0.15 0.3 0.45 mA IN管脚（管脚（ENA, ENB, INA, INB） IN 有效高电平 VIH 1.9 2.1 2.3 V IN 有效低电平 VIL 0.9 1.1 1.3 V 下拉到地电阻 RIPD 80 100 130 k 上拉到电源电阻 RIPU 320 400 480 k 输出管脚（输出管脚（OUTA, OUTB） High-side 功率管导通电阻(1) RONSRC ISRC=50mA 0.35 0.7 1.2 High-side 功率管峰值电流(1) ISRC CLOAD=0.22uF， FSW=1kHz 5 A Low-side 功率管导通电阻(1) RONSNK ISNK=-50mA 0.2 0.4 0.8 Low-side 功率管峰值电流(1) ISNK CLOAD=0.22uF， FSW=1kHz -5A 输出下拉到地电阻(1) ROPD 60 80 100 k 输出上升时间(2) Tr 10% to 90%VDD 6 10 ns 输出下降时间(2) Tf 90% to 10%VDD 6 10 ns 输入信号到输出翻转为高电 平传输延时(2) TPLH1 15 22 30 ns 输入信号到输出翻转为低电 平传输延时(2) TPHL1 15 22 30 ns 使能信号到输出翻转为高电 平传输延时(2) TPLH2 15 22 30 ns 使能信号到输出翻转为低电 平传输延时(2) TPHL2 15 22 30 ns 两通道匹配延时(2) TM 1 2 ns 深圳市骊微电子科技有限公司-芯朋微一级代理w w w .s z l w t e ch .co m