第一章晶闸管演示幻灯片.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,电力电子技术,晶闸管,南航,电力电子,课程组,1,晶闸管,引言,1956,年美国贝尔实验室（,Bell Laboratories,）发明了晶闸管。,1957,年美国通用电气公司,（,General Electric Company,）,开发出第一只晶闸管产品。,1958,年商业化,(16A/300V),。,开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。,20,世纪,80,年代以来，开始被全控型器件取代。,能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。,晶闸管,（,Thyristor,）：晶体闸流管，可控硅整流器（,Silicon Controlled RectifierSCR,）,2,晶闸管,(Thyrister),功率等级,:,几,KA/,几,KV,新品种,:,快速,双向,可关断,光激发,特点,:,体小,轻重,效率高,反应快,高压大容量,弱电控制强电,(,几十毫安控制几百几千安,),应用,:,整流,逆变,(,尤其在大功率场合,),，,3,第一节 晶闸管的结构和工作原理,一,晶闸管的结构,符号,：阳极,A,，阴极,K,，门极,G,（控制极）,4,第一节 晶闸管的结构和工作原理,螺栓形,：,螺栓,阳极,A,，,粗引线,阴极,K,细引线,-,门极,G,特点：安装方便,K,A,G,G,K,5,第一节 晶闸管的结构和工作原理,平板形,：,两面分别为阳极,A,和阴极,K,中间引出线,-,门极,G,特点：,散热效果好，容量大,6,晶闸管的结构与工作原理,常用晶闸管的结构,螺栓型晶闸管,晶闸管模块,平板型晶闸管外形及结构,7,一晶闸管的结构,晶闸管的内部管芯结构：,基本材料,:,硅单晶体,四层三端器件,(P1 N1 P2 N2,）,钼片：导电材料，用于减小,/,缓冲相邻两种材料的热膨胀系数的差别，以保证在各种温度下接触可靠,K,G,A,P1,N1,P2,N2,N2,8,图,1-6,晶闸管的外形、结构和电气图形符号,a),外形,b),结构,c),电气图形符号,晶闸管的结构与工作原理,9,晶闸管开关实验,实验说明（,P7,）,实验页面链接,:,10,二晶闸管导通关断条件,结论：,1,导通条件：,U,AK,0 AND U,GK,0(i,G,0,适当值,),关断条件：,I,A,减小至维持电流以下。,U,AK,减小到零或加反压来达到,一旦导通，门极失去控制，故可用脉冲信号,11,晶闸管的工作特性！,承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。,承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。,晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。,要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。,晶闸管正常工作时的特性总结如下（,P7),：,只能控制导通，不能控制关断,-,半控,12,三晶闸管的工作原理,从内部结构分析单向导通的工作原理,四层三端器件（,P1 N1 P2 N2,）,三个,PN,结,J1,J2,J3:,U,AK,0,时，,J1,J3,正偏,J2,反偏,（,正向阻断状态）,U,AK,I,G1,I,G,第二节 晶闸管的特性和主要参数,21,（,1,）,正向伏安特性,：,Ig=0,时,：,U,BO,-,正向转折电压,雪崩击穿导通,Ig,增大 时,：,较小的,U,AK,即可导通，导通压降小 （在,1V,左右）,导通后,I,A,取决于外部电路,I,A,I,H,时关断,正向,导通,雪崩,击穿,O,+,U,A,-,U,A,-,I,A,I,A,I,H,I,G2,I,G1,I,G,=,0,U,bo,U,DSM,U,DRM,U,RRM,U,RSM,一、晶闸管的伏安特性,第二节 晶闸管的特性和主要参数,22,晶闸管的基本特性,反向特性类似二极管的反向特性。,反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。,当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。,正向,导通,雪崩,击穿,O,+,U,A,-,U,A,-,I,A,I,A,I,H,I,G2,I,G1,I,G,=,0,U,bo,U,DSM,U,DRM,U,RRM,U,RSM,（,2,）,反向特性,23,二、晶闸管的主要参数,断态重复峰值电压,U,DRM,在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压,断态不重复峰值电压,U,DSM,在门极断路而结温为额定值时，允许不重复加在器件上的正向峰值电压,1,）,电压参数,第二节 晶闸管的特性和主要参数,Ig=0,T,J,=T,JM,50hz,不大于,10ms/,次,U,DSM,管芯半导体结温,-,流过电流的有效值,（,相同的电流有效值条件下，其发热情况相同，选取型号相同,）,27,有效值与平均值的定义,可根据平均值、有效值的定义来求出。,设,f(t),为表示电压或电流的周期函数，则它在,0 Ts,期间的平均值和有效值用如下公式：,28,正弦半波的电流平均值与有效值,正弦半波的电流平均值与有效值,I,Tav,通态平均电流,（额定电流）,29,正弦半波的波形系数,定义波形系数：,波形系数,K,f,有效值,/,平均值,如果额定电流为,100A,的晶闸管,其允许通过的电流有效值为,1.57100,157A,30,非正弦波形的电流额定值计算！,在实际电路中，流过晶闸管的波形可能是任意的非正弦半波波形,对于这些波形，应根据电流有效值相等即发热相同的原则,将非正弦半波电流的有效值,I,T,折合成等效的正弦半波电流平均值去选择晶闸管额定值,由于晶闸管元件的热容量小，过载能力低，故在实际选用时，一般取,1,52,倍的安全裕量,31,例题,例（,P13,）流经晶闸管的电流波形如图所示，试计算该电流波形的平均值、有效值及波形系数。若取安全系数为,2,，问额定电流为,100A,的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少,?,32,第二节 晶闸管的特性和主要参数,例（,P13,）流经晶闸管的电流波形如图所示，试计算该电流波形的平均值、有效值及波形系数。若取安全系数为,2,，问额定电流为,100A,的晶闸管，其允许通过的,该波形,电流平均值和最大值为多少,?,I,Tav,=(1.52)I,T,/1.57=(1.52),K,f,I,d,/1.57,33,公式折算含义！,I,T,为应用电流的有效值；,I,d,为应用电流的平均值；,K,f,为应用电流的波形系统；,I,Tav,为额定电流,用法一：,对于任意波形应用，在知道具体电流大小，求解晶闸管的额定电流取值,用法二：,对于任意波形应用，给定晶闸管的额定电流后，求解任意波形的平均值最大允许值,34,晶闸管的主要参数,通态平均电流,I,T(AV,）,在环境温度为,40,C,和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的,最大工频正弦半波电流的平均值,。标称其额定电流的参数。,使用时应按,有效值相等的原则,来选取晶闸管。,维持电流,I,H,使晶闸管维持导通所必需的最小电流。,擎住电流,I,L,晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常,I,L,约为,I,H,的,24,倍,。,浪涌电流,I,TSM,指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。,2,）电流定额,35,元件主要参数表格说明,第一位：,P10,T,：表示通态,D,：表示断态,R,：表示反向,第二位：,R,：表示反复,S,：表示不重复,最后一位：,M,：表示最大值。,36,元件门极参数表格说明,第一位：,P11,G,：表示门极特性,第二位：,T,：表示门极触发条件,D,：表示门极不触发条件,F,：表示正向门极电压条件,R,：表示反向门极电压条件,最后一位：,M,：表示最大值。,37,第二节 晶闸管的特性和主要参数,3,）,动态参数,du/dt-,断态电压临界上升率,条件：,额定结温，门极开路,使,SCR,保持断态所能承受的最大电压上升率,超过会误导通,：,J2,结电容效应,-,位移电流,限制方法,：,在,SCR A-K,两端并,RC,(,防止截止期间误导通,),38,第二节 晶闸管的特性和主要参数,3,）,动态参数,di/dt-,通态电流临界上升率,在规定条件下，,SCR,门极触发开通时，,SCR,能承受的不会导致损坏的通态电流最大上升率,di/dt,超过会引起过热损坏,：,电流集中！,限制方法：,在阳极电路串一小电感；快速上升的强触发脉冲可提高,di/dt,承受能力,39,第二节 晶闸管的特性和主要参数,3,）,动态参数,t,ON,-,门极控制开通时间,t,ON,=t,d,(,延时,)+t,r,(,上升,),40,第二节 晶闸管的特性和主要参数,3,）,动态参数,t,OF,-,电路换向关断时间,t,OF,=t,rr,(,反向恢复,)+t,gr,(,门极恢复,),SCR,承受反压时间必须大于,T,oF,41,2.,动态特性,晶闸管的开通和关断过程波形,第二节 晶闸管的特性和主要参数,42,晶闸管的门极伏安特性和参数定额,门极伏安特性,：,U,GK,-Ig,关系。与二极管相似,三个区,：,不触发区：,0-U,GD,I,GD,U,GD,不触发电压,I,GD,不触发电流,可靠触发区：,ABCGFED,U,GT,触发电压,I,GT,触发电流,不可靠触发区：,ABCJIH,干扰信号应限制在该区域内,G,43,晶闸管的门极伏安特性和参数定额,U,GFM,门极的正向峰值电压,I,GFM,门极的正向峰值电流,P,Gav,门极的平均功率,P,GM,门极的峰值功率,44,第一章 学习要求！,了解掌握晶闸管的：,电工符号，三个极名称；,内部结构构成及工作原理；,基本特性；,开通和关断条件,主要参数；,额定电流,门极可靠触发区选取,选择和使用中应注意的一些问题,45,晶闸管的选取方法！,主要包括额定电压、额定电流参数两部分。额定电压参数的选取主要是根据晶闸管所承受的最大电压，再根据要求乘以电压安全裕量系数；,额定电流参数的选取主要是根据晶闸管电流的通态平均值，再根据要求乘以电流安全裕量系数即可。,根据计算的电压和电流的数值，及生产厂家提供的晶闸管的参数表，就可确定所选晶闻管的型号。,46,课堂练习,型号为,KP-100-3,的晶闸管，其额定电压为,300V,，额定电流为,100A,，维持电流为,4mA,掣住电流为,15mA,如图所示，将电路中串入电流表和灯泡，如果初始状态灯泡为点亮状态，加大电阻,R,，则灯泡逐渐变暗，最后熄灭，则熄灭前电流表读数约,；,将电阻,R,调小，重新给,T,施加正向触发信号，灯泡逐渐变亮，将触发信号去掉，灯泡又熄灭，则熄灭前电流表的最大读数应小于,。,47,题解,1.1,1,1,晶闸管导通的条件是什么,?,怎样使晶闸管由导通变为关断,?,晶闸管导通条件是：,(1),晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压。,(2),晶闸管门极和阴极之间必须加上适当的正向,脉冲电压和电流。,在晶闸管导通后，门极就失去控制作用，欲使之关断，只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下，可采用阳极电压反向、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式。,48,题解,1.2,1-2,型号,KP-100-3,（,I,Tav,=100A,额定电压,300V,）的晶闸管，维持电流,IH=4mA,使用在以下电路中是否合适？,49,1-3,在题图,1-3,电路中，,E,=50V,，,R,=0.5,，,L,=0.5H,，晶闸管掣住电流为,15mA,。要使晶闸管导通，门极触发电流脉冲宽度至少应为多少？,50,51,题解,1.4,1-4,在图,b,电路中，电源电压有效值为,220v,问晶闸管承受的正反向电压最高是多少？考虑安全裕量为,2,，其额定电压应如何选取。,解 晶闸管所承受的正、反向电压最大值为输入正弦交流电源电压的峰值：,1.414220=311V,；,取晶闸管的安全裕量为,2,，,则晶闸管额定电压不低于,2311,622V,。,52,题解,1.5,、,1.6,1-5/6,图,14,中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值是,Im,。试计算晶闸管的电流平均值,Id,、有效值,It,及波数系数,Kf,；,若选用,KP-100,型晶问管，不考虑安全裕量。试计算上述,4,种电流波形下晶闸管能承受的平均电流是多少,?,对应的电流最大值,Im,各是多少,?,53,题解,1.5,、,1.6,54,作业,作业：,P17,题,1-1,，,1-2,，,1-5,，,1-6,注意：,型号,KP-100-3:I,Tav,=100A,额定电压,300V,55,图,1-6,晶闸管的内部结构和电气图形符号,知识回顾（,1,）,K,G,A,P1,N1,P2,N2,N2,56,知识回顾（,2,）,从内部结构分析单向导通的工作原理,四层三端器件（,P1 N1 P2 N2,）,三个,PN,结,J1,J2,J3:,U,AK,0,时，,J1,J3,正偏,J2,反偏,（,正向阻断状态）,U,AK,0 AND U,GK,0(i,G,0,适当值,),关断条件：,I,A,减小至维持电流以下。,U,AK,减小到零或加反压来达到,一旦导通，门极失去控制，故可用脉冲信号,58,