逻辑门电路tang.pptx

2.1 二极管和三极管的开关特性二极管和三极管的开关特性2.1.1 二极管的开关特性2.1.2 三极管的开关特性 逻辑输入信号（高电平或低电平）通常使门电路中的二极管、双极型三极管和场效应管工作在开关状态（导通或截止状态），导致输出亦为逻辑信号（高电平或低电平），从而电路实现一定的输入输出逻辑关系。因此，电子元件的开关特性是实现逻辑门电路的基础。第1页/共58页2.1.1 二极管的开关特性二极管的开关特性1二极管的开关作用二极管的开关作用当当 ，二极管截止，等效为开关断开，二极管截止，等效为开关断开当当 ，二极管导通，二极管导通，等效为开关闭合等效为开关闭合第2页/共58页2 二极管的开关时间二极管的开关时间 由于二极管的由于二极管的PN结具有等结具有等效电容，二极管的通断就伴随着效电容，二极管的通断就伴随着电容的充放电，所以，二极管的电容的充放电，所以，二极管的通断转换需要一定时间。二极管通断转换需要一定时间。二极管通断转换的时间既是二极管的开通断转换的时间既是二极管的开关时间。关时间。1 1）开通时间）开通时间t tonon：二极管从截止转：二极管从截止转为导通所需的时间。为导通所需的时间。2 2）反向恢复时间）反向恢复时间t trere：二极管从导：二极管从导通转为截止所需的时间，它由通转为截止所需的时间，它由2 2段段时间组成，即存储时间时间组成，即存储时间t ts s和渡越时和渡越时间间t tt t，t trere=t=ts s+t+tt t。第3页/共58页3PN结的存储电荷结的存储电荷 P PN N结结的的正正向向导导通通过过程程：正正向向电电压压削削弱弱P PN N结结的的势势垒垒电电场场，N N区区的的电电子子向向P P区区扩扩散散并并建建立立电电子子浓浓度度分分布布，P P区区的的空空穴穴向向N N区区扩扩散散并并建建立立空空穴穴浓浓度度分分布布。由由于于浓浓度度不不同同，穿穿越越PN结结的的电电荷荷继继续续扩扩散散，形形成成连连续续的的正正向向电电流流。从截止形成稳定的正向电流的从截止形成稳定的正向电流的过程就是二极管的导通时间过程就是二极管的导通时间ton。存储电荷：存储电荷：距距PN结越远，电荷浓度越低；结越远，电荷浓度越低；正向电流越大，电荷的浓度梯度越大，存储电荷越多。正向电流越大，电荷的浓度梯度越大，存储电荷越多。PN 结的存储电荷结的存储电荷 +-IF P区区 N区区 n-存储电荷浓度存储电荷浓度 nN电子浓度电子浓度 nP空穴浓度空穴浓度 x距离距离 o LN LP 第4页/共58页+-iR P区区 N区区 PN结结存储电荷的驱散存储电荷的驱散 PN结截止过程：结截止过程：在反向电压的作用下，在反向电压的作用下，N区的空穴存储电荷被电场赶回到区的空穴存储电荷被电场赶回到P区，区，P区的电子存储电荷被电场赶回到区的电子存储电荷被电场赶回到N区，区，形成反向电流，形成反向电流，驱散存储电荷。驱散存储电荷。驱散存储电荷的时间就是存储时间驱散存储电荷的时间就是存储时间ts。在存储电荷驱散后，在存储电荷驱散后，PN结的空间电荷区变宽，逐渐恢复到结的空间电荷区变宽，逐渐恢复到PN结通过反向饱和电流结通过反向饱和电流IS，这段时间就是渡越时间，这段时间就是渡越时间tt。通常，开通时间通常，开通时间ton和反向恢复时间和反向恢复时间tre为纳秒级，为纳秒级，tre=ts+ttton,tstt。二极管的开关时间主要取决于。二极管的开关时间主要取决于PN存储电荷的驱散时间存储电荷的驱散时间ts。end第5页/共58页2.1.2 三极管的开关作用特性三极管的开关作用特性 1.三极管的开关作用三极管的开关作用电路电路输入特性输入特性输出特性输出特性(a)(b)(c)Vth BEv Bi O VCES CEv Ci O VCC cCCRV 0=Bi IB4 IB3=IBS IB2 IB1 A B Iv CEv Ci Bi CCV BEv Rb RcC 当输入电压为低电平，使当输入电压为低电平，使 三极管处于截止状态，三极管处于截止状态，ce之间等效为开关断开。之间等效为开关断开。当输入电压为高电平，使当输入电压为高电平，使 ，使三极管工作在输出，使三极管工作在输出特性的特性的B点，处于临界饱和状态。点，处于临界饱和状态。ce之间等效为开关闭合。之间等效为开关闭合。第6页/共58页 在数字电路中，逻辑输入信号通常使三极管工作在截止在数字电路中，逻辑输入信号通常使三极管工作在截止或饱和状态，称为开关状态。或饱和状态，称为开关状态。Iv CEv Ci Bi CCV BEv Rb RcC 第7页/共58页第8页/共58页2 三极管的开关时间三极管的开关时间 三极管的开关过程与二极管相似，也要经历一个电荷的建三极管的开关过程与二极管相似，也要经历一个电荷的建立与驱散过程，表现为三极管的饱和与截止两种状态相互转换立与驱散过程，表现为三极管的饱和与截止两种状态相互转换需要一定的时间。三极管饱和与截止两种状态转换的时间既是需要一定的时间。三极管饱和与截止两种状态转换的时间既是三极管的开关时间。三极管的开关时间。Iv CEvCi Bi CCV BEv Rb RcO Iv VIH VIL ICS 0.9ICS t t ts tf td O tr 0.1ICS Ci 设输入电压的高电平设输入电压的高电平VIH和低电和低电平平VIL满足下述条件：满足下述条件：第9页/共58页O Iv VIH VIL ICS 0.9ICS t t ts tf td O r 0.1ICS Ci 根据集电极电流波形，三极管的开根据集电极电流波形，三极管的开关时间用下述参数描述：关时间用下述参数描述：1)1)延迟时间延迟时间t td d：从正跳变开始到从：从正跳变开始到从 0 0上升至上升至0.1I0.1ICSCS所需的时间；所需的时间；2)2)上升时间上升时间t tr r：从：从0.1I0.1ICSCS上升至上升至 0.9I0.9ICSCS所需的时间；所需的时间；3)3)存储时间存储时间t ts s：从负跳变开始到从：从负跳变开始到从 I ICSCS下降至下降至0.9I0.9ICSCS所需的时间；所需的时间；三极管的开关时间一般为三极管的开关时间一般为ns数量级，并且数量级，并且toffton、tstf。基。基区存储电荷是影响三极管开关速度的主要因素。区存储电荷是影响三极管开关速度的主要因素。4）下降时间）下降时间t tf f：从：从0.9I0.9ICSCS下降至下降至0.1I0.1ICSCS所需的时间；所需的时间；5）开通时间）开通时间t tonon：从截止转换到饱和所需的时间，：从截止转换到饱和所需的时间，t tonon=t=td d+t+tr r；6）关闭时间）关闭时间toff：从饱和转换为截止所需的时间，：从饱和转换为截止所需的时间，toff=ts+tf。t第10页/共58页 三极管的开关时间一般为三极管的开关时间一般为ns数量级，并且数量级，并且toffton、tstf。基区存储电荷是影响三极管开关速度的主要因素。基区存储电荷是影响三极管开关速度的主要因素。提高开关速度的方法是：开通时加大基极驱动电流，关断提高开关速度的方法是：开通时加大基极驱动电流，关断时快速泄放存储电荷。时快速泄放存储电荷。end第11页/共58页2.2 TTL门电路2.2.1 TTL非门的工作原理2.2.2 TTL非门的特性2.2.3 TTL与非门/或非门/与或非门2.2.4 TTL 集电极开路门和三态门TTL-Transistor Transistor LogicTTLTTL有与、或、非、与非、或非、异或、同或、有与、或、非、与非、或非、异或、同或、与或非等逻辑门，它们的工作原理相似。与或非等逻辑门，它们的工作原理相似。第12页/共58页2.2.1 TTL非门的工作原理非门的工作原理 TTL非门非门 A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 1.电路组成电路组成 TTL门一般由3级组成：输入级输入级：信号缓冲输入中间级：输出两个相位相反的倒相信号 中间级 输出级输出级：推拉式输出电路，无论输出高电平或低电平，输出级的输出电阻都很低，带负载能力强。第13页/共58页2.2.1 TTL非门的工作原理非门的工作原理 A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 1 1）输入低电平）输入低电平（V VILIL=0.3 V=0.3 V）输入低电平时，输出为高电平。输入低电平时，输出为高电平。2.工作原理工作原理VIL=0.3 V1 V0.4V5 V4.3 3.6VT T1 1深饱和，深饱和，T T2 2、T T5 5截止截止T T3 3 临界饱和，临界饱和，T T4 4放大，形成射放大，形成射极输出器，输出电阻小。极输出器，输出电阻小。第14页/共58页A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 输入高电平输入高电平（VIH=3.6 V）输入高电平，输出为低电平。输入高电平，输出为低电平。VIH=3.6 V2.1V1.4V0.7V0.3V1V0.3T T2 2、T T5 5饱和，饱和，T T1 1处于倒处于倒置状态置状态T T3 3放大状态，放大状态，T T4 4截止截止 综上所述，输入低电平综上所述，输入低电平时，输出为高电平；输入高时，输出为高电平；输入高电平时，输出为低电平。实电平时，输出为低电平。实现了逻辑非现了逻辑非 无论输出低电平或是高电平，无论输出低电平或是高电平，TTL非门的推拉输出级输出电阻均非门的推拉输出级输出电阻均很小，带负载能力强。而且很小，带负载能力强。而且T4和和T5总是一个导通、另一个就截止。总是一个导通、另一个就截止。第15页/共58页 A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 3工作速度的提高工作速度的提高输入输入T1T2、T5T3T4输出低电平低电平深饱和深饱和截止截止临界饱和临界饱和放大(射极)高电平高电平倒置放大饱和放大截止低电平VIH=3.6 V2.1V1.4V0.7V0.3V1V0.31）vI:VIHVIL，T1放大 T1吸取T2管饱和时的超量存储电荷，使T2管快速脱离饱和，转换到截止状态。2）TTL门具有推拉输出级，其输出电阻很小，与分布电容形成的时间常数小，故输出状态转换快。end第16页/共58页2.2.2 TTL非门的特性非门的特性1.电压传输特性电压传输特性截止区截止区ab段段：vI0.5 V。T1饱和，饱和，VC1=+VCES10.6V,T2、T5截截止，止，T3和和T4组成复合管射极输出器，组成复合管射极输出器，vo=3.6V。A VVCC5=R1 3k R4 100 YR2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii OiOv第17页/共58页线性区线性区bc段段:0.5 V vI 1.1 V。T1饱和，饱和，0.6VVC1=+VCES11.2V,T2处于放大状态，处于放大状态，T5仍然截止，仍然截止，T3和和T4仍然是射极输出器，仍然是射极输出器，vo随随vI线性减少，斜率为线性减少，斜率为T2级的放大倍数：级的放大倍数：A VVCC5=R1 3k R4 100 YR2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii OiOv第18页/共58页转折区转折区cdcd段：段：1.2 V1.2 VvI1.3 V1.3 V。T T1 1饱和，饱和，1.3VV1.3VVC1C1=vI+V+VCES1CES11.4V,T1.4V,T5 5由截止进入放大状态由截止进入放大状态,T,T2 2、T T3 3和和T T4 4的状态同前。由的状态同前。由于于T T5 5集电极的等效电阻减小快，集电极的等效电阻减小快，vo急剧减少。转折区中点输入电急剧减少。转折区中点输入电压定义为门坎电压压定义为门坎电压V Vthth，约为，约为1.3V1.3V。饱和区饱和区dede段：段：vI 1.4 V1.4 V。T T1 1处于倒置状态，处于倒置状态，T T2 2、T T5 5饱和，饱和，T T3 3放大放大状态，状态，T T4 4截止。截止。vo=0.3V=0.3V。A VVCC5=R1 3k R4 100 YR2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii OiOv第19页/共58页设设 输出高电平值域输出高电平值域：VVOHminOHmin，3.6V3.6V，V VOHminOHmin2V2V 输出低电平值域输出低电平值域：0.1V0.1V，V VOLmaxOLmax，V VOLmaxOLmax 0.4V 0.4V 则由传输特性确定输入高、低电平的值域为：则由传输特性确定输入高、低电平的值域为：输入低电平值域：输入低电平值域：0,V0,VILmaxILmax 输入高电平值域：输入高电平值域：【V VIHminIHmin,5V,5V】VILmax是对应于输出电平是对应于输出电平为为VOHmin的输入电平，亦称为的输入电平，亦称为关门电平关门电平（T5截止）。截止）。VIHmin是对应于输出电平是对应于输出电平为为VOLmax的输入电平，亦称为的输入电平，亦称为开门电平开门电平（T5饱和）。饱和）。第20页/共58页2.输入噪声容限输入噪声容限定义定义:对于对于TTLTTL反相器，反相器，在保证输出高电平在其值域内的条件下，在保证输出高电平在其值域内的条件下，输入低电平允许输入低电平允许的干扰脉冲最大幅度称为低电平噪声容限的干扰脉冲最大幅度称为低电平噪声容限VNL。同样，在保证输出低电平在其值域内的条件下，同样，在保证输出低电平在其值域内的条件下，输入高电输入高电平允许的干扰脉冲最大幅度称为高电平噪声容限，记为平允许的干扰脉冲最大幅度称为高电平噪声容限，记为VNH。G G2 2门门输入低电平输入低电平允许允许的干扰脉冲幅度为：的干扰脉冲幅度为：VNL =VILmax-VOLmax G G2 2门门输入高电平输入高电平允许的允许的干扰脉冲幅度为：干扰脉冲幅度为：VNH =VOHmin-VIHmin 第21页/共58页 根据传输特性，选择适当的根据传输特性，选择适当的VOLmax、VILmax、VIHmin、VOHmin，获得最佳的噪声容限。，获得最佳的噪声容限。以74H系列的TTL门为例，标准参数为：VOLmax=0.4VVILmax=0.8VVIHmin=2.0VVOHmin=2.4V 则VNL =VILmax-VOLmax=0.8-0.4=0.4VVNH =VOHmin-VIHmin=2.4-2.0=0.4V 虽然噪声容限是以非门为例说明的，但相同系列的TTL门的噪声容限是一致的。第22页/共58页3.输入特性输入特性 输入特性有输入伏安特性和输入负载特性。输入特性有输入伏安特性和输入负载特性。1)输入伏安特性输入伏安特性:输入电流与输入电压之间的关系曲线输入电流与输入电压之间的关系曲线。当当 （即（即vI=VIL）时，）时，T1发射结导通，发射结导通，T2、T5截止，截止，输入短路电流输入短路电流Ii1 Ii 2 Iv(V)4 IIH=40 A-IIS 0 VIL max Iv -1.0mA-2.0mA VIH min A VVCC5=R1 3k R4 100 YR2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii OiOv第23页/共58页当当 （即（即vI=VIH）时，）时，T T1 1发射结截止，发射结截止，T T2 2、T T5 5饱和，饱和，其反向电流即为高电平输入电流其反向电流即为高电平输入电流I IIH IH,约为约为40A40A。当当 随随v vI I增加，即从增加，即从-1.6mA-1.6mA增加至增加至40A40A。Ii1 Ii 2 Iv(V)4 IIH=40 A-IIS 0 VIL max Iv -1.0mA-2.0mA VIH min A VVCC5=R1 3k R4 100 YR2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii OiOv第24页/共58页2)输入负载特性输入负载特性 TTL门的输入端与参考电位之间接电阻门的输入端与参考电位之间接电阻R，输入电压与电阻之间的关系，输入电压与电阻之间的关系曲线称为输入负载特性。曲线称为输入负载特性。当电阻当电阻R很小，使很小，使 时，时，A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov RT1发射结导通，发射结导通，T2、T5截止。截止。1 R R()Iv(V)0 Roff Ron 1.4 VILmax 对应于对应于vI=VIL=0.8V的电阻称为的电阻称为关门（关门（T5截止）电阻截止）电阻Roff。当当 RRon=2.0k时时T5饱和导通饱和导通(0)，故称，故称Ron为开门电阻。为开门电阻。综上所述，当综上所述，当RRon时（包时（包括括R，即输入端悬空），等效输入为高电平，即输入端悬空），等效输入为高电平1。A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov RI1 R R()Iv(V)0 Roff Ron 1.4 VILmax 当当RRon=2.0k时，时，T1集电结导通，集电结导通，T2、T5饱和，限制饱和，限制第26页/共58页4.输出特性：输出特性：带上负载后，负载电流与输出电压的关系曲线带上负载后，负载电流与输出电压的关系曲线。有低电平输出特性和高电平输出特性有低电平输出特性和高电平输出特性。1）低电平输出特性）低电平输出特性A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 当输入为高电平（即当输入为高电平（即vI=VIH）时，输出为低电平。）时，输出为低电平。此时，此时，T4截止，截止，T2、T5饱和导通，饱和导通，T5可以吸入负载电流，称为可以吸入负载电流，称为灌电流。灌电流。CCV R3 T5 RL Li VOL 非门非门 T5饱和时，其集射极之间的等效电阻小（大约饱和时，其集射极之间的等效电阻小（大约20），），且基本不变，故输出电压随负载电流线性增加。且基本不变，故输出电压随负载电流线性增加。第27页/共58页2）高电平输出特性）高电平输出特性A VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 N N P Iv Ii Oi Ov 输入低电平（即输入低电平（即vI=VIL）时，输出高电平。）时，输出高电平。此时，此时，T2、T5截止，截止，T3、T4组成射极输出器。组成射极输出器。T4向负载输出电流，称为向负载输出电流，称为拉电流。拉电流。CCV RL Li VOH 非门非门 T3 T4 R4 100 当负载电流较小（负载电阻大）时，由于射极输出器输出电阻当负载电流较小（负载电阻大）时，由于射极输出器输出电阻小，输出电压基本不变。小，输出电压基本不变。当负载电流较大（负载电阻小）时，当负载电流较大（负载电阻小）时，R4上的电压较大，使上的电压较大，使T3、T4饱和，故输出电压基本上随负载电流线性下降。饱和，故输出电压基本上随负载电流线性下降。R4是限流电阻。是限流电阻。第28页/共58页 5.扇出系数扇出系数驱动相同系列的驱动相同系列的TTL门的个数称为扇出系数门的个数称为扇出系数,记为记为N。当驱动门当驱动门G G1 1输出低电平输出低电平时，负载门的输入电流近似等于输入时，负载门的输入电流近似等于输入短路电流短路电流I IISIS。1 Ii 2 Iv(V)4 IIH=40A-IIS 0 VILmax Iv Ii-1.0mA-2.0mA 非门的输入伏安特性非门的输入伏安特性VIHmin 低电平输出特性低电平输出特性VOL(V)Li(mA)0 20 10 0.2 0.6 ILLmax VOLmax 如果如果G G1 1吸入的最大低电平电流为吸入的最大低电平电流为I ILLmaxLLmax，则驱动负载门的最大，则驱动负载门的最大个数为：个数为：第29页/共58页 当驱动门当驱动门G1输出高电平时，负载门的输入电流近似等于高电输出高电平时，负载门的输入电流近似等于高电平输入电流平输入电流IIH。如果如果G1输出的最大高电平电流为输出的最大高电平电流为ILHmax，则驱动负载门的最，则驱动负载门的最大个数为：大个数为：1 Ii 2 Iv(V)4 IIH=40A-IIS 0 VILmax Iv Ii-1.0mA-2.0mA 非门的输入伏安特性非门的输入伏安特性VIHmin G1输出的最大高电平电流为输出的最大高电平电流为ILHmax，由输出特性和允许的最，由输出特性和允许的最大高电平功耗确定。大高电平功耗确定。第30页/共58页扇出系数为：扇出系数为：例如，例如，74H系列门电路的参数：系列门电路的参数：IIS=1.6mA,IIH=0.04mA,ILLmax=16mA,ILHmax=0.4mA,则则 第31页/共58页6.传输延迟时间传输延迟时间1 A Y A Y tPHL tPLH 50%50%(1)输出高电平转换为低电平的传输延迟时间输出高电平转换为低电平的传输延迟时间tPHL：从输入上：从输入上升沿幅值的升沿幅值的50%对应的时刻起，到输出下降沿幅值的对应的时刻起，到输出下降沿幅值的50%对对应的时刻止所需的时间。在应的时刻止所需的时间。在tPHL期间，期间，T5管由截止转换到饱管由截止转换到饱和，主要对应于和，主要对应于T5管的开通时间。管的开通时间。(2)输出低电平转换为高电平的传输出低电平转换为高电平的传输延迟时间输延迟时间tPLH：从输入下降沿幅：从输入下降沿幅值的值的50%对应的时刻起，到输出上对应的时刻起，到输出上升沿幅值的升沿幅值的50%对应的时刻止所对应的时刻止所需的时间。在需的时间。在tPLH期间，期间，T5管由饱管由饱和转换到截止，主要对应于和转换到截止，主要对应于T5管的管的关断时间。所以，关断时间。所以，tPLH大于大于tPHL。(3)平均传输延迟时间平均传输延迟时间tpd：end第32页/共58页2.2.3 TTL与非门与非门/或非门或非门/与或非门与或非门1TTL与非门与非门 A B T1 b1 c1 c1 b1 A B VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 b1 T2 T3 T4 T5 c1 X A B c1 VVCC5=R1 3k X 当当A A、B B都是高电平时都是高电平时，T T1 1的个发射结都截止，的个发射结都截止，T T2 2、T T5 5饱和，饱和，输出低电平；输出低电平；当当A A、B B中任何一个为低电平中任何一个为低电平时，时，T T1 1中与低电平相连的发射中与低电平相连的发射结导通，结导通，T T2 2、T T5 5截止，输出高电平；电路实现与非逻辑。截止，输出高电平；电路实现与非逻辑。X=AB 第33页/共58页2TTL或非门或非门A R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 T1 B T2 R1 3k VVCC5=(3)当当A为高电平时为高电平时，T1的发射的发射结截止，结截止，T2、T5饱和，输出低饱和，输出低电平；电平；(1)当当A、B都是低电平时，都是低电平时，T1和和T1的发射结都导通，的发射结都导通，T2、T2和和T5截止，输出高电平；截止，输出高电平；(2)当当B为高电平时为高电平时，T1的发射结截止，的发射结截止，T2、T5饱和，输出低饱和，输出低电平；电平；(4)当当A和和B都为高电平时，都为高电平时，T1和和T1的发射结都截止，的发射结都截止，T2、T2、T5饱和，输出低电平。饱和，输出低电平。电路实现或非逻辑电路实现或非逻辑第34页/共58页3TTL与或非门与或非门 TTL 或非或非门门 A R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 T1 B T2 R1 3k VVCC5=TTL 与与或非门或非门 A B R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 T1 C D T2 R1 3k VVCC5=X Z T1和和T1改为多发射极三极管，分别实现改为多发射极三极管，分别实现X=AB、Z=CD。end第35页/共58页2.2.4 TTL 集电极开路门和三态门集电极开路门和三态门 TTL与非门与非门并联并联 -电路烧坏电路烧坏！A B VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 C D VVCC5=R1 3k R4 100 X R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 G1 G2 AB=0CD=1普通TTL门输出端不能并联！实际中希望并联。因为通过并联可以扩展或增强的路的功能。TTL 集电极开路门和三态门的输出端可以并联。集电极开路门和三态门的输出端可以并联。第36页/共58页 符号符号“”表示集电极开路表示集电极开路,OC门正常使用时，门正常使用时，必须外接电必须外接电阻阻R，与，与T5形成反相器。形成反相器。只有只有Y Y1 1和和Y Y2 2同时为高电平时，同时为高电平时，Y Y才为高电平，即才为高电平，即Y=YY=Y1 1Y Y2 2，OCOC门门的并联线实现的并联线实现逻辑与逻辑与，简称为，简称为线与线与。1.集电极开路门（集电极开路门（OC门）门）第37页/共58页 (1)当输出高电平时，OC 门的输出电流为IOH（等于T5管的穿透电流）,负载门输入电流为IIH,上拉电阻R的计算&CCV A B C D 1Oi R G1.1 1.Gn G1 Gm Oni 1Ii Imi Ri Ov (2)当输出低电平时，灌入一个OC 门的电流不超过其最大允许值IOLmax。此时负载门的输入电流近似为输入短路电流-IIS,第38页/共58页2.三态三态TTL门门&EN&EN A B VVCC5=R1 3k R4 100 Y R2 750 R3 360 R5 3k T1 T2 T3 T4 T5 EN R6 3k R7 T6 T7 T8 TSL钳位电路钳位电路 三态门三态门,简称为简称为TSL门（门（Tristate Logic）。它的输出除了常）。它的输出除了常规的高电平、低电平外，还有高阻抗状态。规的高电平、低电平外，还有高阻抗状态。当当使能输入端使能输入端 EN=1(EN=1(高电平高电平)时，时，T T7 7饱和，饱和，T T8 8截止：截止：当当EN=0(低电平低电平)时时，T7截止，截止，T8饱和，导致饱和，导致T3、T4、T2和和T5截止，输出电阻大，即为截止，输出电阻大，即为高阻态高阻态，记为，记为X。“”表示表示3态输出态输出第39页/共58页TSL门的应用门的应用 X1XnEN=0，G1工作，输入EN=1，G2工作，输出end第40页/共58页2.3 CMOS门电路门电路2.3.1 MOS管的开关特性2.3.2 CMOS反相器的工作原理2.3.3 CMOS反相器的特性2.3.4 CMOS与非门/或非门2.3.5 CMOS 传输门/三态门/异或门 同时包含NMOS管和PMOS管的门电路称为互补对称MOS门电路，即CMOS门电路。第41页/共58页2.3.1 MOS管的开关特性管的开关特性1NMOS管的开关特性管的开关特性 为了使P型衬底和源区及漏区间的PN结截止，P型衬底必须接电位最低的节点（通常是NMOS管的源极）。在很多情况下，P型衬底直接接电位最低的节点，而不与源极相连，这时漏极与源极可以互换使用。N+P 型衬底 S G D-GSv+N+-DSv +Di B SiO2 D G S B Di D G S Di 标准符号 简化符号 VTN GSv Di(mA)O DSv Di(mA)O TNV3 TNV5.2 TNV2 TNV 1 4 IDN 截止区可变电阻区 恒流区第42页/共58页 当 时,无导电沟道，源漏之间2个背靠背的PN结总有一个截止(nA级)，DS之间的截止电阻可达108量级，等效为开关断开。当 时,P型衬底中的电子受栅极上正电荷的吸引在栅极下形成导电层，连接个2个N+岛形成N型导电沟道，在 的作用下形成电流，(mA),工作在可变电阻区，等效为开关闭合。K是常数，与沟道的宽长比和半导体材料有关。Ron约为1k。可变电阻区导通电阻与成反比N+P 型衬底 S G D-GSv+N+-DSv +Di B SiO2 D G S B Di D G S Di 标准符号 简化符号 VTN GSv Di(mA)O DSv Di(mA)O TNV3 TNV5.2 TNV2 TNV 1 4 IDN 截止区可变电阻区 恒流区第43页/共58页 D G S R Iv VDD=5V Ov CL 电容放电 电容充电 Iv Ov 因为因为Ron约为1k。为确保输出电压小于为确保输出电压小于0.3V（低电平），电（低电平），电阻阻R必须大于必须大于20k，NMOS等效为开关闭合。等效为开关闭合。当当 时，时，NMOS管导通，电容放电，时间常数管导通，电容放电，时间常数达达nS级。级。当当 时，时，NMOS管截止，电容充电，充电时间管截止，电容充电，充电时间常数大于放电时间常数，达常数大于放电时间常数，达100nS左右左右,故输出的上升沿比下降故输出的上升沿比下降沿慢。沿慢。NMOS管的开关特性第44页/共58页2PMOS管的开关特性管的开关特性 PMOSPMOS管的特性亦与管的特性亦与NMOSNMOS管相似。管相似。区别是，开启电压区别是，开启电压V VTPTP为负为负值，即栅极电位低于源极电位值，即栅极电位低于源极电位|V|VTPTP|,PMOS|,PMOS管导通管导通,否则截止。源否则截止。源极电位高于漏极电位，形成流出漏极的导通电流。极电位高于漏极电位，形成流出漏极的导通电流。N N型衬底必须型衬底必须接电位最高的节点（通常是接电位最高的节点（通常是PMOSPMOS管的源极）。管的源极）。PMOS 管的电路符号、转移特性和输出特性 D G B D G S|VTP|-GSv-Di(mA)O-DSv-Di(mA)O TPGSVv3=TPV5.2 TPV2 TPV 1 4 S Di Di IDP 标准符号 简化符号 end第45页/共58页2.3.2 CMOS反相器的工作原理反相器的工作原理 当当 时，时，NMOS管截止，管截止，PMOS导通（可变电阻区）。即导通（可变电阻区）。即 ，输出高电平，输出高电平 当当 时，时，NMOSNMOS管导通（可变电管导通（可变电阻区），阻区），PMOSPMOS截止。即截止。即 ，输出低电平，输出低电平综上所述，电路实现逻辑非综上所述，电路实现逻辑非电源电压：由电路，得end第46页/共58页1电压传输特性电压传输特性 ab段：段：,TN截止截止,TP导通导通,de段：段：,TN导通导通,TP截止截止,bcd段：段：,TN和和TP都导通都导通,2.3.3 CMOS反相器的特性反相器的特性第47页/共58页当 时，传输特性的中点c，阈值电压为VDD/2。CMOS门的输入噪声容限大，近似为：在中点，电源到地的等效电阻最小，电源电流最大，这正是产生动态尖峰电流的原因。转折区电压变化率大，可以作为放大器。第48页/共58页2输入伏安特性输入伏安特性 增加输入保增加输入保护电路，构成实护电路，构成实际的际的CMOS门电门电路。路。当当 时，时，D1导通，输入电流等于其导通电流，导通，输入电流等于其导通电流，MOS管栅极电位近似等于管栅极电位近似等于VF+VDD；设设VF是二极管的正向导通电压，则是二极管的正向导通电压，则当当 时时，二极管截止，输入电流近似等于零，二极管截止，输入电流近似等于零，MOS管栅极电位等于输入电压管栅极电位等于输入电压 当当 时，时，D2导通，输入电流等于其导通电流，导通，输入电流等于其导通电流，MOS管管栅极电位近似等于栅极电位近似等于-VF。因此，因此，MOS管栅极电位被限制在管栅极电位被限制在-VF，VDD+VF第49页/共58页3输出特性输出特性（1）低电平输出特性）低电平输出特性 当电源电压改变时，TN的栅源电压变化，所以，绘出了多只曲线。输入高电平（vI=VDD）时，输出为低电平。此时，TP截止，TN导通。低电平输出特性是低电平输出特性是TN的输出特性的输出特性旋转第50页/共58页（2）高电平输出特性）高电平输出特性 输入低电平（即vI=0V）时，输出为高电平。此时，TP导通，TN截止。高电平输出特性是高电平输出特性是TP 的输出特性的输出特性 当电源电压改变时，输出高电平向上平移，所以，绘出了多只曲线。CMOS门的其他特性与TTL门类似（只是参数不同），不再赘述。旋转vDS取-，平移end第51页/共58页2.3.4 CMOS与非门与非门/或非门或非门 CMOS逻辑同样可以实现各种逻辑功能的门(与门、或门、与非门、或非门、与或非门、异或门、同或门、漏极开路门等)当A=B=1时，TN1和TN2导通，TP1和TP2截止，输出低电平，Y=0。当输入有一个为低电平时，栅极接低电平的NMOS管截止、PMOS管导通，输出高电平，Y=1。1CMOS与非门与非门第52页/共58页2.CMOS或非门或非门 当输入全为低电平，即（A=B=0）时，TN1和TN2截止，TP1和TP2导通，输出高电平，Y=1。当输入有高电平时，栅极接高电平的NMOS管导通、PMOS管截止，输出低电平，Y=0。第53页/共58页3.带缓冲级的带缓冲级的CMOS与非门与非门 在与非门中，由于PMOS管并联，NMOS管串联，致使输出电阻在高低电平时输出电阻不同，并且抬高了低电平电位。为了克服这些缺点，在每个输入端、输出端各增设一级反相器组成带缓冲级的CMOS与非门。Y VDD=5V B A 输入缓冲级 输出缓冲级 或非门 A Y 1 1 1 1 B X Y VDD=5V A TP1 TN1 TN2 TP2 B end第54页/共58页2.3.5 CMOS 传输门传输门/三态门三态门/异或门异或门1.CMOS 传输门传输门 门电路只能将数字信号从输入端传递到输出端，而传输门则门电路只能将数字信号从输入端传递到输出端，而传输门则可进行可进行双向传递双向传递。当控制信号当控制信号C=0时，时，。NMOS和和PMOS管均截止，管均截止，输入端与输出端断开。输入端与输出端断开。当当C=1时，时，NMOS和和PMOS管总有一管总有一个导通，可以传递双向电个导通，可以传递双向电流，等效为开关闭合。流，等效为开关闭合。TG IOvv/VDD=5V TN C OIvv/VSS=-5V or 0V C TP 在数字电路中，通常VSS=0(不用负电源)。传输门和门电路组合可实现复杂的逻辑电路，例如，触发器、数据选择器等。第55页/共58页1.CMOS 传输门传输门当当C=1时，时，NMOS和和PMOS管总有一管总有一个导通，可以传递双向电个导通，可以传递双向电流，等效为开关闭合。流，等效为开关闭合。具体导通情况是：传输门的导通电阻小于1k。，则PMOS管导通；如果，则NMOS管导通；如果，则两