电工学(下册)考试复习重点试题.doc
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1、 word格式 整理版电工学一、填空题:(27分)1、电压负反馈减小输出电阻;电流负反馈增大输出电阻;串联负反馈增大输入电阻;并联负反馈减小输入电阻。(填增大、减小)2、PN结构的一个重要特征是_单向导电性_,利用它的这一特性,可用来进行整流、检波、限幅等。3、三极管有_型和_型两种组合形式,其正常的电流放大条件是:发电结_偏、集电结_偏。4、数字电路通常用_逻辑状态表_、_函数表达式_和_逻辑电路图_等方法分析。5、在直接耦合的多级放大电路中,由于温度的影响将产生_零点漂移_现象,可采用_差动放大_电路来克服这种现象。6、三极管如图,判断工作状态。A图_截止_B图_放大_7、多级放大器有三种
2、耦合形式:直接耦合、变压器耦合_、_阻容耦合_和_。8、根据逻辑函数表达式,F=A+AB可以表达为。9、分析集成运放器时,通常把它看成是一个理想元件,即开环电压放大倍数_,差模输入电阻_,共模抑制比_及开环输出电阻为_。10、场效应管是一种_控制器件。它可分为_型和_型两大类。二、选择题:(20分)1、欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流Iz,动态内阻rz及温度系数等各项参数,大一些好还是小一些好()A:Iz小一些,rz、z大一些;B:Iz大一些,rz、z小一些;C:Iz、rz大一些,、z小一些;D;Iz、z大一些,rz、小一些;2、单相桥式整流加电容滤波,直流输出电压为30V,则交流输
3、入电压有效值为()A.30VB.33VC.25VD.27V3、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了()A:交流电流负反馈B:交流电压负反馈C:直流电流负反馈D:直流电压负反馈4、D触发器在D=1时,输入一个CP脉冲,其逻辑功能是()。A置1B清0C保持D翻转5、射极输出器属_放大电路()-1V-1.7V-5V(B)(A)3V2V6V 2A:电流串联负反馈B:电压串联负反馈C:电压并联负反馈D:电流并联负反馈6、典型差动放大电路的公共射极电阻R,对()有抑制作用。A:差模信号有B:共模信号有C:差模与共模信号均有D:差模与共模信号均没有7、理想运放的“虚短”特性指的是()A:i+=i-B:
4、i+=i-=0C:U+=U-=0D:U+=U-8、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2=Au3=20dB,则该放大电路的电压放大倍数为()A:100B:80C:1000D:100009、在某晶体管放大电路中测得某晶体管的各个电极的电位分别为v1=2.2v、v2=5.3v、v3=6v,则该管是()A:PNP型硅管B:PNP型锗管C:NPN型硅管D:NPN型锗管10、在互补对称功率放大电路中,为提高效率和克服失真,一般器件的工作状态应选在()。A:甲类B:甲乙类C:乙类D:丁类三、综合题:(23分)1、试画出用与非门来实现函数Y=AB+BC+AC的逻辑图。(6分)电工学下册期末考
5、试试卷A参考答案一、填空题:减小;增大;增大;减小;单向导电性;NPN;PNP;正;反;逻辑状态表;函数表达式;逻辑电路图;零点漂移;差动放大电路;截止;放大;阻容耦合;直接耦合;变压器耦合;A+B;0;电压;结型场效应管;绝缘栅型场效应管;二、选择题:BBACCBAABA第10章 电子电路中常用的元件 习题参考答案一、填空题:1. PN结的单向导电性指的是 PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性 。2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为 0.7 V和 0.3 V。3. 晶体三极管有两个PN结,分别是 发射结 和 集电结 ,分三个区域 饱和 区、 放大 区和 截
6、止 区。晶体管的三种工作状态是 放大状态 、 饱和状态 和 截止状态 。4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于 饱和 状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于 截止 状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为 放大 状态。5. 物质按导电能力强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 。6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体,其多子为 空穴 。7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V12V,V21.7V,V32.5V,可判断该三极管管脚“1”为 发射 极,管脚“2”为 基 极,管脚“3”为 集电 极,且属于 锗 材料 PNP 型三极管。8. 稳
7、压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管,工作在特性曲线的反向击穿 区。三、选择题:1. 处于截止状态的三极管,其工作状态为( B )。A、发射结正偏,集电结反偏; B、发射结反偏,集电结反偏;C、发射结正偏,集电结正偏; D、发射结反偏,集电结正偏。2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。3. 稳压二极管的正常工作状态是( C )。A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V12V,V26V,V32.7V,由此可判断该晶体管的管型和三
8、个管脚依次为( B )。A、PNP管,CBE; B、NPN管,ECB; C、NPN管,CBE; D、PNP管,EBC。5. 用万用表R1K的电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均约等于1K,这说明该二极管是属于( D )。A、短路状态; B、完好状态; C、极性搞错; D、断路状态。6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE3V,VB3.7V,VC3.3V,则该管工作在( B )。A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、击穿区。7. PN结加正向电压时,其正向电流是( A )。A、多子扩散而成; B、少子扩散而成; C、少子漂移而成; D、多子漂移而成。8. 三
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