半导体材料:半材第5章总结.doc
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1、第五章 硅外延生长1、 解释名词: *自掺杂:外延生长时由衬底、基座和系统等带来的杂质进入到外延层中的非人为控制的掺杂称为自掺杂。 外扩散:在外延生长中,由于是在高温条件下进行的,衬底中的杂质会扩散进入外延层致使外延层和衬底之间界面处的杂质浓度梯度变平的现象。 外延夹层:外延层和衬底界面附近出现的高阻层或反形层。 双掺杂技术:在外延生长或扩散时,同时引入两种杂质。因为原子半径不同而产生的应变正好相反。当两种杂质原子掺入比例适当时,可以使应力互相得到补偿,减少或避免发生晶格畸变,从而消除失配位错的产生。这种方法叫作双掺杂技术。 SOS技术:在蓝宝石或者尖晶石衬底上外延生长硅。 SOI技术:把器件
2、制作在绝缘衬底上生长的硅单晶层上。(当器件尺寸缩小到亚微米范围以内时,常规结构就不适应了,导致了SOI结构的发展) SIMOX:氧注入隔离,通过氧离子注入到硅片,再经高温退火过程消除注入缺陷而成。 SDB&BE:直接键合与背面腐蚀技术。将两片硅片通过表面的SiO2层键合在一起,再把背面用腐蚀等方法减薄来获得SOI结构。 ELTRAN:外延层转移,在多孔硅表面上可生长平整的外延层,并能以合理的速率将多孔硅区域彻底刻蚀掉 ,该技术保留了外延层所具有的原子平整性,在晶体形成过程中也不产生颗粒堆积或凹坑,因此具有比其它SOI技术更为优越的性能。 Smart-Cut:利用H+注入Si片中形成气泡层,将注
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