AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数_骊微电子.pdf
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1、AP3400A N-Channel Enhancement MosfetFeature 30V,5.8ARos ON)26m QVGs=10V TYP=18 m QRos ON)32m QVGs=4.5V TYP=23 m QAdvanced Trench TechnologyLead free product is acquiredApplication Interfacing SwitchingLoad SwitchingPower managementPackage Marking and Ordering lnf1。rmati。nDevice Marking 3400 Device A
2、P3400A Device Package s。t23-3Reel Size?inch 剑”。1WERDATA SHEET D Gs Schematic Diagram s G SOT23-3 t。p view Tape width Quantity(PCS)3000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25unless otherwise noted)Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage Vos 30 v Gate-Source Voltage VGs 士12v Continuous Drain Current(
3、Ta=25)lo 5.8 A Continuous Drain Current(Ta=70)lo 3.8 A Pulsed Drain Current IDM 23 A Power Dissipation Po 1.36 w Thermal Resistance from Junction to Ambient ReJA 92/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TsrG-55-+150 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理商AP3400A 剑”。1WERN-Channel Enhancement MosfetDATA SHE
4、ET MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25unless otherwise noted)Pa ram”r Symbol Tut Condition Min Type M缸Unit static CharacterlsU臼Drain回ur四breakdownvol闻自V(BR)DSS Vos=OV,le=250A 30 v Zero gate voltage drain凶rrentloss Vos=30V,VGs=OV A Gate-body lea阳ge current IGSS V臼E土12V汕s=OV 土100nA Gate th陪shold v
5、ol恒geC3Va町th)Vos=V,田,lo=250A0.4 1.0 1.5 v V田1OV,lo=5.8A 18 28 Drain唱。ur田on-resis恒neeCS)Ros(i叫V回=4.5V,lo=3A 23 32 mo V回2.5飞I,lo=1A 35 50 Dynamic charac”而stiesInput Capaci饱n田。腼 700 Output Capacitan佣句“Vos=15V,Vras=OV,f=1MHz 88 pF R趴,ersa T阳ns旬r Capaci恒n佣Cr.52 Swl能hlng characteristics Tum-on delay time
6、恼。n】12 Tum-on rise time Ir Voo=15V,lc=4A,52 Tum-o怦delaytime tdc,而V臼=4.5V,RG叫00 ns 17 Tum-o怦fall time t,10 Total Gate Cha用eQg 4.8 Gate-Source Charge Qgs VDS=15V,ID=4A.1.2 nC VGS=4.5V Gate-Drain Charge 句d 1.7 s。urea-Drain Di“e characfaristi臼Diode Forward voltage V田V四OV,ls=5.8A 1.2 v Diode Forward curr
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