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基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理

内容列表

AEC-Q101 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
附录1: 认证家族的定义
附录2: Q101 设计、 构架及认证的证明
附录3: 认证计划
附录4: 数据表示格式
附录5: 最小参数测试要求
附录6: 邦线测试的塑封开启
附录7: AEC-Q101与健壮性验证关系指南

附件
AEC-Q101-001: 人体模式静电放电测试
AEC-Q101-002: 人体模式静电放电测试 (废止)
AEC-Q101-003: 邦线切应力测试
AEC-Q101-004: 同步性测试方法
AEC-Q101-005: 静电放电试验–带电器件模型
AEC-Q101-006: 12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述

感谢
任何涉及到复杂的技术文件都来自于各个方面的经验和技能。为此汽车电子委员会由衷承认并感谢以下对该版文件有重大贡献的人:
固定会员:
Rick Forster Continental Corporation
Mark A. Kelly Delphi Corporation
Drew Hoffman Gentex Corporation
Steve Sibrel Harman
Gary Fisher Johnson Controls
Eric Honosowetz Lear Corporation

技术成员:
James Molyneaux Analog Devices
Joe Fazio Fairchild Semiconductor
Nick Lycoudes Freescale
Werner Kanert Infineon
Scott Daniels International Rectifier
Mike Buzinski Microchip
Bob Knoell NXP Semiconductors
Zhongning Liang NXP Semiconductors
Mark Gabrielle ON Semiconductor
Tom Siegel Renesas Technology
Tony Walsh Renesas Technology
Bassel Atallah STMicroelectronics
Arthur Chiang Vishay
Ted Krueger [Q101 Team Leader]Vishay

其它支持者:
John Schlais Continental Corporation
John Timms Continental Corporation
Dennis L. Cerney International Rectifier
Rene Rongen NXP Semiconductors
Thomas Hough Renesas Technology
Thomas Stich Renesas Technology

本文件是专门的纪念:
Ted Krueger (1955- )
Mark Gabrielle (1957- )

注意事项
AEC文件中的材料都是经过AEC技术委员会准备、 评估和批准的。
AEC文件是为了服务于汽车电子工业, 无论其标准是用在国内还是国际上, 都可排除器件制造商和采购商之间方面的不一致性, 推动产品的提高和可交换性, 还能帮助采购商在最小的时间耽搁内选择和获得那些非AEC成员的合适的产品。
AEC文件并不关注其采纳的内容是否涉及到专利、 文章、 材料或工艺。AEC没有认为对专利拥有者承担责任, 也没有认为要对任何采用AEC文件者承担义务。汽车电子系统制造商的观点主要是AEC文件里的信息能为产品的说明和应用提供一种很完美的方法。如果所陈述的要求在本文件中不存在, 就不能声称与本文件具有一致性。
与AEC相关文件的疑问、 评论和建议请登录链接AEC技术委员会网站。
本文件由汽车电子委员会出版。
此文件能够免费下载, 可是AEC拥有版权。由于该下载方式, 个人需同意不会对该文件索价或转售。
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所有權限保留
版权© 属于汽车电子协会。本文件可自由转载,但未经AEC技术委员许可, 本文件禁止任何修改。

基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
下列划线部分标示了与上版文件的增加内容和区别, 几个图表也作了相应的修正, 可是这几处的更改并没有加下划线强调。
除非这里另有说明, 无论新认证或重认证, 此标准的生效日期同上面的发布日期。
1.范围
本文件包含了离散半导体元件( 如晶体管, 二极管等) 最低应力测试要求的定义和参考测试条件.使用本文件并不是要解除供应商对自己内部认证项目的责任性, 另外此文件并不解除供应商满足本文件范围外的任何文件需求。其中的使用者被定义为所有按照规格书使用其认证器件的客户, 客户有责任去证实确认所有的认证数据与本文件相一致。
1.1目的
此規範的目的是要确定一种器件在应用中能够经过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。
1.2参考文件
当前参考文件的修订将随认证计划协议的日期而受到影响, 后续认证计划将会自动采用这些参考文件的更新修订版。
1.2.1军用级
MIL-STD -750半导体元件测试方式
1.2.2工业级
UL-STD-94 器件和器具中塑料材质零件的易燃性测试
JEDEC JESD-22封装器件可靠性测试
J-STD-002元件引线、 端子、 挂耳、 电线可焊性测试
J-STD-020塑性材料集成电路表面贴封器件的湿度/回流焊敏感性分类等级
JESD22-A113密封表面贴装器件在可靠性实验前预处理
J-STD-035密封表面贴装器件声显微镜
1.2.3汽车业
AEC-Q001零件平均测试指南
AEC-Q005无铅测试要求
AEC-Q101-001 ESD( 人体模型)
AEC-Q101-003邦线切应力测试
AEC-Q101-004同步性测试方法
•钳位感应开关
•電介质完整性
•破坏性物理分析
AEC-Q101-005 ESD( 带电器件模型)
AEC-Q101-006 12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述
1.2.4其它
QS-9000 ISO-TS-16949
1.2.5废止
AEC-Q101-002: 人体模式静电放电测试 (廢止)
•由于过时从JEDEC中删除。HBM和CDM涵盖几乎所有已知的ESD失效机理。
1.3定义
1.3.1 AEC Q101认证
如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果, 那么将允许供应商声称她们的零件经过了AEC Q101认证。供应商能够与客户协商, 能够在样品量和条件的认证上比文件要求的要放宽些, 可是只有完成所有要求时候才能认为該器件经过了AEC-Q101认证。如静电放电,承受电压在任何一个供應商的帶Pin元件数据表中都要註明, 該要求被高度推薦.但允许供应商作出聲明, 例如, ”AEC-Q101 qualified to ESD H1B”, 这意味着除AEC ESD外, 供应商经过了所有的测试。请注意, 即使合格的器件AEC也不会颁发證書.
根據本規範,离散半导体的最低温度的范围应为-40℃ ~ +125℃, 所有LED的最小的范围应为40℃到85℃。( 注: 某些器件最高溫度可能降到零)
1.3.2应用承认
承认被定义为客户同意在她们的应用中使用某零件, 但客户承认的方式已经超出了本文件的范围
1.3.3术语
在本文中, ”器件”是指”設備”或”组件”, 如, 單個二极管, 晶体管, 电阻等芯片封裝在塑膠模中並有連接到板端的引線.
2 通用要求
2.1优先要求
当该标准中的要求与其它文件相冲突时, 可采用以下优先顺序: 。
a、 采购订单
b、 個人同意的器件規範
c、 本文件标准
d、 本文件的1.2节中的参考文件
e、 供应商的数据规格
本規範認為合格的器件,其採購訂單或特殊器件規格不能免除和偏離本文件的要求.
2.2满足认证和重新认证要求的通用数据的使用
使用通用数据来简化认证过程非常值得提倡, 需要考虑到的是, 通用数据必须基于一系列特殊要求:
a. 表2中器件认证要求.
b. 表3与每个零件的特性相关的具体要求矩阵和制造工艺
c. 附录1中的认证家族定义.
d. 有代表性的随机样本
附录1定义了标准, 经过它各个成员能够组成这个认证家族, 为的是所有家族成员的数据对于质疑的器件认证都能是均等的和普遍接受的。
当关注这些认证家族的指导原则, 就能够积累起适用于该家族其它器件的信息。这些信息能够用来证实一个器件家族的通用可靠性并使特殊器件认证测试项目的需要减少到最低, 这能够经过以下途径能够实现:
认证和监测认证家族中最复杂的器件( 例如高/低电压、 极大/极小晶片) , 对后来加入此认证家族不太复杂的器件应用这些信息数据。通用数据的来源应该是供应商经过鉴定的测试实验室, 它包括内部供应商认证, 客戶特殊认证, 以及供应商过程监控。提交的通用数据必须达到或超过表2中列出的测试条件。表1提供的指南,表明部分合适的测试数据可用于减少很多认证要求. 特殊用户器件必须完成电气特性测试, 通用性能数据在认证呈报时是不允许的。使用者有最终权接受通用数据来代替测试数据。

表1 零件认证和重新认证的批次要求
零件信息
批次认证要求
新器件,未使用通用数据
表2要求的批次和样品量
某认证家族的零件需要经过认证的, 要认证的零件不能过复杂, 能符合附录1中认证家族的定义
仅要求4.2节中定义的器件特殊测试, 批次和样品量须根据表2中测试要求
具有可通用数据的新零件
参考附录1来决定表2中要求的相应测试, 批次和样品量须根据表2中的测试要求
零件加工工艺改变
参考表3来决定需要表2中何种测试, 批次和样品量须根据表2中测试要求
表2定义了一组认证测试,须考虑新器件认证和设计或过程变化的重认证
表3描述了一组必须考虑到器件有任何改变的认证测试, 其中的矩阵图也同样描述了与制程改变相关的新工艺制程和重新认证。该表是一个测试总括, 使用者应将其作一个基本准则来讨论那些存在疑问需要认证的测试。供应商有责任介绍为什么某些被推荐的测试不须要进行的基本原理。
2.4 測試樣品
2.4.1. 批次要求
批次要求在表2中有定義
2.4.2 生产要求
所有认证器件都应在制造场所加工处理, 有助于量产时零件的传输
2.4.3 测试样品的再利用性
已被用于非破坏性测试的器件还可用来进行其它认证测试。已被用于破坏性认证的器件, 除工程分析外,不得再作她用。
2.4.4 样品量要求
样本用于测试和/或通用数据的提交必须符合指定的最小样品量和表2中的验收标准。如果供应商选择使用通用数据来认证,则特殊的测试条件和结果必须记录.现有适用的通用数据应该首先被用来满足表2中的每个测试要求和2.3节中这些要求。如果通用数据不能满足这些要求,应进行器件特定的认证测试.
供应商必须执行待认证的特定器件或可接受的通用器件的任何组合, 数量不少于3 批次x 77片/批次.
2.4.5通用数据接受的时间限制
只要从初始认证的所有可靠性数据被呈交给客户评估起, 通用数据的可接受性就不存在时间上的限制, 以下图表可作为可靠性数据的合适来源,此数据必须取自按照附录1定义的特殊器件或同样认证家族中的器件, 包括任何客户的特殊数据( 如果客户非AEC, 保留客户的名字) ,制程认证改变, 周期可靠性监控数据( 见图1)
注: 一些制程改变( 如元件缩小化) 将会影响通用数据的使用, 以至于这些改变之前得到的数据就不能作为通用数据接受使用。
客戶#1特殊認證證
製程改變認證
客戶#2特殊認證
製程改變認證
內部器件描述
供應商內部認證
製程改變認證
週期可靠性監控測試
認證數據+製程改變認證數據+可靠性監測數據=可接受的通用數據
過去
現在

图1 通用数据时间进程
注: 一些制程改变( 如元件缩小化) 将会影响通用数据的使用, 以至于这些改变之前得到的数据就不能作为通用数据接受使用。
2.4.6预前应力测试和应力后测试要求
所有的预前应力测试和应力后测试都必须在室温条件下,根据用户器件详细规范定义的电气特性来进行。

2.5 应力测试失效后的定义
有以下任一表现的器件即定义为测试失效:
a.器件不符合用户的元件规范定义的电气测试限制或合适的供应商通用规范。最小测试参数要求在附录5中有规定。
b.器件測試數據在完成環境測試後不能保持在初始讀數± 20%偏差內(超出漏電極限的數值在濕度測試時不超過出初始讀數的10倍,其它測試不超過初始讀數的5倍).器件超出規範必須修改並得到客戶核準.如漏電低于100nA, 測試機精度可能阻止後應力測試。
c.任何由于环境测试导致的外部物理破坏
2.6经过重新认证的标准
经过所有表1中所指定适当的认证测试, 或执行特殊器件测试( 接受使用指定的最小样本的零缺陷) 或可接受的通用数据( 采用附录1中认证家族定义的数据、 批次和样本尺寸需求量) 来进行认证.
若器件沒有通過本文件要求的認證測試,供應商必須找出失效原因並採取糾正措施,以確保客戶端的用户的失效机理都能預見並包含其中.在失效根源找到和矯正預防措施取得成效之前,不能認為該器件通過應力測試認證. 要求用新樣品或數據來驗證矯正措施.如果通用數據包含所有失效,該數據就不能稱之為通用數據,除非供應商形成文件的糾正措施或失效條件集.
客戶要求的和在本文件中沒規定的任何獨立的可靠性測試或條件,都應在供應商和客戶要求的測試中達成共識, 且不影響器件通過本文件定義的內應力測試.
2.7 替代性測試要求
與表2中列出的測試要求和條件的任何偏差都超出了本文件的範圍.偏差(如加速測試方法)應陳述給AEC審議並納入本文件的後續版本.
3.认证和重新认证
3.1新器件认证 
表2描述了新器件认证的应力测试要求和相关条件。对于每个认证, 无论是特殊器件的应力测试结果还是可接受的通用数据, 供应商都必须有这些所有的数据。复审也应由同类家族的器件构成, 以确保在这个家族中没有存在普遍的失效机理。无论何时认为通用数据的可用性, 都要得到供应商的论证和使用者的核准。对每个器件的认证, 供应商须出示设计、 生产、 认证的证书给有需求的用户。
3.2器件變更后的重新认证 
当供应商对产品或( 和) 制程作出了改变, 从而影响了( 或潜在影响) 器件的外形、 安装、 功能、 质量和( 或) 可靠性时( 见表3的指导原则) , 该器件就需要重新认证。 
3.2.1 制程改变须知
供应商将会满足双方商定对产品/制程改变的要求。
3.2.2需要重新认证的變更 
根据附录1描述的, 产品任何最小的變更, 都要用表3来决定重新认证的测试计划, 需要进行表2中列出的可适用的测试。表3应该作为一种指导, 用以决定哪种测试能够用来作为特殊器件改变的认证, 或者对于那些测试, 是否相当于通用数据来提交。
3.2.3经过重新认证的标准 
所有重新认证都应分析根本原因, 根据需要确定纠正的和预防性的行动。如果最低程度的适当的遏止方式得到了使用者的论证和承认, 器件和( 或) 认证家族能够暂被承认为”认证状态”, 一直到有适当纠正的和预防性的行动为止。 
3.2.4 使用者承认 
一种變更可能不会影响器件的工作温度等级, 可是会影响其应用时的性能。制程改变更独的授权许可应基于供应商和用户的相互沟通, 而许可方式则超出了本文件的范围。
3.3 认证测试计划
在作出新器件供应商选择后, 供应商要求启动与每个用户的讨论( 如需要) , 尽快完成签署认证測試方案协议,该通知时间( 章节3.2.2) 应早于制程变化。附录3中规定的认证测试计划, 应当提供文件支持的一致方法, 表2和表3将展示测试要求.
4.认证测试 
4.1通用测试
测试细节如表2所示, 并不是所有测试都适用于一切器件, 例如某些测试只适用于密封封装件, 其它测试只适用于MOS电场效应晶体管等等。表2的注释栏中指定了适用于特殊器件类型的测试。表2的”附加要求”栏中也提供了重点测试要求, 取代了参考测试的那些要求。
4.2 器件特殊测试 
对于所特殊器件, 必须进行以下测试( 通用数据不允许用在这些测试上) :
静电放电特性 (表 2, 測試項目#11)
参数验证(表 2, 測試項目#4)供应商必须证明器件能够满足特定用户零件规格定义的参数限制
4.3数据提交类型
提交给用户的数据可分为3类( 表2中的数据类型列)
4.3.1 一类数据
这些测试数据( 通用或特殊) 应以章节4.4中定义的格式, 且包含在認證呈報中。
4.3.2 二类数据
封装具体数据不应在认证呈報中( 除非是新封装) 。为替代这部分数据, 供应商能够参考先前成功执行的、 没明显改变的特定测试, 提交一份”竣工文件”。如测试# 14( 物理尺寸) , 竣工文件应参考适当的用户封装规范来完成。
4.3.3 三類數據
如表3要求,重認證的數據應包含在認證呈報中, 為新器件認證(包括新封裝)和(或)製成改變提供理論支持,在重認證計劃開發階段,供應商就應考慮這些測試.為什麼要進行這些測試,供應商應負責提供理論依據.
4.4 數據提交格式
附錄4中規定了應提交的數據概要
4.4 数据提交格式
如附录4中规定, 应提交数据汇总, 原始数据和直方图的提交根据个人用户的要求。所有的数据和文件(包括无过失的不完美实验)供应商应加以维护,以保持符合QS-9000和/或TS16949的要求。
4.5 无铅测试的要求
供应商应遵循AEC-Q005无铅测试要求,所有元件引线和端子的镀层的含铅量应小于1000ppm.

表2-認證測試方法
#
應力方式
簡稱
數據
類型
備註
樣品數/批
批數
接受
標准
參考文件
附加要求
1
應力測試
前後功能/參數
TEST
1
NG
所有認證器件的測試依適用的器件規範要求
0 缺陷
客戶規範或供應商標準規範
此測試依據適用的應力參考並在室溫下進行
2
預處理
PC
1
GS
帖片元件在進行#7,8,9,10測試前要進行預處理
0 缺陷
JESD22
A-113
僅適用表面貼片元件,在進行#7,8,9,10測試前進行,且在預處理前後都要進行應力測試,任何替代元件都要做報備
3
目檢
EV
1
NG
所有認證器件都要進行外觀檢驗
0 缺陷
JESD22
B-101
檢檢器件結構、 標識、 工藝
4
參數驗證
PV
1
NG
25
3
備註A
0 缺陷
個別AEC 客戶規範
在器件溫度範圍內根據客戶規範測試所有參數,以確保符合規範
5
高溫反向偏壓
HTRB
1
CDGK
UVPX
77
3
備註B
0 缺陷
MIL-STD-750-1
M1038 方法 A
1000小時,最高直流反向額定電壓,溫度接點參考客戶/供應商規範.周圍環境溫度TA要根據漏電損耗做調整.在HTRB前後都要進行應力測試.(參考備註 X HTRB).
將在 .04.01或之前執行
5a
交流阻斷電壓
ACBV
1
CDGU
PY
77
3
備註B
0 缺陷
MIL-STD-750-1
M1040 測試條件 A
1000小時,最高交流阻斷電壓,溫度接點參考客戶/供應商規範.周圍環境溫度TA要根據漏電損耗做調整.在ACBV前後都要進行應力測試.(參考備註 X HTRB).
5b
高溫正向偏壓
HTFB
1
DGUZ
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-108
1000小時,最高正向額定電壓.在HTFB前後都要進行應力測試
5c
穩態操作
SSOP
1
CDGU
O
77
3
備註B
0 缺陷
MIL-STD-750-1
M1038 條件
B (齊納二極管)
1000小時,最高額定IZ.TA設定同額定的TJ,在穩態操作前後都要進行應力測試
表2-認證測試方法(續)
#
應力方式
簡稱
數據
類型
備註
樣品數/批
批數
接受
標准
參考文件
附加要求
6
高溫柵偏壓
HTGB
1
CDG
MUP
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-108
在指定的TJ 下1000小時,柵極偏置在元件關閉時最大額定電壓的100%, TJ 增加25°C時,循環次數能够減至500小時, HTGB前後都 要測試應力
7
溫度循環
TC
1
DGU
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-104
附錄6
1000次(-55°C至最高額定溫度,不超過150°C),如果Ta(最大)=最高額定溫度+25°C時 (或當最高額定溫度>150°C時,使用175°C),循環次數能够減少至400次.TC前後都 要測試應力
7a
溫度循環熱實驗
TCHT
1
DGU1
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-104
附錄6
在TC後125°C測試應力,然後decap、 檢驗、 線拉力(根據附錄6,內部焊線直徑小於或等於5mil同時拉5個元件的所有線 ),樣品能够是#7測試樣品的子集
將在 .04.01或之前執行
7a
alt
溫度循環分層測試
TCDT
1
DGU1
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-104
附錄6
J-STD-035
TC後100% C-SAM檢驗,然後decap、 線拉力(根據附錄6,同時拉5個高分層元件的所有線 ),如果C-SAM無分層,無開蓋/溶膠,則檢驗和線拉力是必須要求做的.
將在 .04.01或之前執行
7b
邦線牢固性
WBI
3
DGUF
5
3
備註B
0 缺陷
MIL-STD-750
方法 2037
500小時,Ta=不同焊接金屬最高額定Tj(如Au/Al),然後decap、 線拉力(最多 5個元件的所有線).
將在 .04.01或之前執行
8
無偏高加速度應力
UHAST
1
CDG
U
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-118
96 小時, TA=130°C/85%RH. 前後都要測應力
8
alt
高壓
AC
1
CDG
U
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-108
96 小時, TA = 121°C, RH = 100%, 15psig. 前後都測應力

表2-認證測試方法(續)
#
應力方式
簡稱
數據
類型
備註
樣品數/批
批數
接受
標准
參考文件
附加要求
9
高加速度應力測試
HAST
1
CDG
UV
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-110
96小時 TA=130°C/85%RH 或264小時 TA=110°C/85%RH且反向偏壓=80%額定電壓(達到室內放電電壓,典型的42V),HAST前後測應力
9
alt
高溫高濕反向偏壓
H3TRB
1
DGU
V
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-101
1000小時 TA=85°C/85%RH,反向偏壓=80%額擊穿定電壓(達到極限100V或室內限定),H3TRB前後測應力
9a
高溫高濕正向偏壓
HTHHB
1
DGUZ
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-101
1000小時 TA=85°C/85%RH,正向偏壓,HTHHB前後測應力
10
間歇運行壽命
IOL
1
DGTU
WP
77
3
備註B
0 缺陷
MIL-STD-750
方法1037
測試持續時間如表2,TA=25°C,器件通電以確保ΔTJ ≥ 100°C(不要超過絕對最大額定值).IOL前後測試應力
10
alt
功率和溫度循環
PTC
1
DGTU
W
77
3
備註B
0 缺陷
JESD22
A-105
如果IOL測試中 ΔTJ ≥ 100°C 達不到,則進行PTC,
測試持續時間如表2A要求. 器件通電和室內循環以確保ΔTJ ≥ 100°C(不要超過絕對最大額定值).
PTC前後測試應力
11
靜電放電特性
ESD
1
(HBM)
2
(CDM)
DW
30 each
HBM/CDM
1
0 缺陷
AEC-Q101-001
AEC-Q101-005
如果封裝不能保持足夠的電荷來進行此實驗,供應商必須文件說明.ESD前後要測試應力
12
破壞性物理分析
DPA
1
DG
2
1
備註B
0 缺陷
AEC-Q101-004
章節4
隨機所取的樣品已成功通過H3TRB、 HAST &TC
13
物理尺寸
PD
2
NG
30
1
0 缺陷
JESD22
B-100
驗證物理尺寸,來滿足客戶零件包裝規範的尺寸和公差
14
端子強度
TS
2
DGL
30
1
0 缺陷
MIL-STD-750
方法2036
僅評估有引線器件的引線腳疲勞
15
耐溶劑性
RTS
2
DG
30
1
0 缺陷
JESD22
B-107
驗證標記永久性.(不適用於激光蝕刻器件或沒有標識的器件)
表2-認證測試方法(續)
#
應力方式
簡稱
數據
類型
備註
樣品數/批
批數
接受
標准
參考文件
附加要求
16
恆定加速度
CA
2
DGH
(1)
30
1
備註B
0 缺陷
MIL-STD-750
方法
僅適用於Y1設備,15kg力量,CA前後測應力
17
變頻震動
VVF
2
DGH
(2)
項目16#~19是密封封裝器件連續的測試(參考說明頁的註釋 H)

JESD22
B-103
採用恆定位移0.06inch(2倍振幅)頻率20~100Hz,和50g恆定峰值加速度頻率100~ Hz. VVF前後測試應力.
18
機械衝擊
MS
2
DGH
(3)

0 缺陷
JESD22
B-104
1500 g's for 0.5mS, 5 次擊打, 3 個方位. MS實驗前後都要測應力
19
氣密性
HER
2
DGH
(4)

0 缺陷
JESD22
A-109
根據特殊客戶規範,精細和粗略檢測洩漏
20
耐焊接熱
RSH
2
DG
30
1
0 缺陷
JESD22
A-111(SMD)
B-106(PTH)
根據MSL等級,SMD器件在測試中應全部浸沒並預處理.RSH前後要測試應力
21
可焊性
SD
2
DG
10
1
備註B
0 缺陷
J-STD-002
JESD22B102
放大50X,參考表2中的焊接條件.對直插件,採用A測試方法.對SMD元件,採用測試方法B和Ｄ
22
熱阻抗
TR
3
DG
10/批
預處理和後處理
1
0 缺陷
JESD24-3,24-4,24-6
測量TR以確保符合規範,並提供過程改變對比數據
23
邦線強度
WBS
3
DGE
最少5個器件的10條焊線
1
0 缺陷
MIL-STD-750
方法2037
預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性
24
邦線剪切
BS
3
DGE
最少5個器件的10條焊線
1
0 缺陷
AEC-Q101-003
請看附件關於驗收標準明細和怎樣進行測試的程序
25
晶片剪片
DS
3
DG
5
1
0 缺陷
MIL-STD-750
方法
預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性
表2-認證測試方法(續)
#
應力方式
簡稱
數據
類型
備註
樣品數/批
批數
接受
標准
參考文件
附加要求
26
鉗位感應開關
UIS
3
D
5
1
0 缺陷
AEC-Q101-004
章節 2
預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性(僅適用於功率MOS和內部鉗位IGBT)
27
介電性
DI
3
DM
5
1
0 缺陷
AEC-Q101-004
章節 3
預處理和後處理變更比較來評估制程變更的穩健性,所有的器件必須超過最小的擊穿電壓(僅適用於MOS和IGBT)
28
短路可靠性
SCR
3
DP
10
3
備註B
0 缺陷
AEC-Q101-006
章節 3
僅適用於小功率器件
29
無鉛
LF
3

=
=
=
AEC-Q005
適用於相關可焊性,焊熱阻抗和whisker要求,
將在 .04.01或之前執行

表2说明
注释:
A: 对参数验证数据, 有些情况用户只需要一批可接受, 随后的客户应决定采用先前客户认证经过的结论, 但随后的客户将有权决定可接受的批次数。
B:当采用通用数据取代特殊数据时, 要求3批次
C: 不适用于LED的, 三极管, 和其它光学部件
D: 破坏性试验后, 器件是不可再用于认证或生产
E: 确保每个样品具有代表性
F: 仅适用于不同焊接金属( Au/Al)
G: 容许通用数据。见章节2.3
H: 仅要求密封封装器件。项目# 16~# 19是連贯測試评价內部及封裝机械強度。下面括号中的数字表示注释序列。
K: 并不适用于电压调节器( 齐纳二极管)
L: 仅适用于含铅器件
M: 仅适用于MOS&IGBT
N: 非破坏性试验后, 器件可再用于认证或生产
O: 仅适用于电压调节器( 齐纳二极管)
P: 应考虑该测试是否将被施加到一个智能电源部分或取代的一Q100测试进行。考虑的要素包括逻辑/传感芯片的数量, 预期的用户应用, 开关速度, 功耗, 和引脚数量。
S: 仅适用于表面贴装器件
T: 当测试二极管, 在间歇运作寿命条件下, 100度的结点温度增量可能无法实现。若本条件存在, 功率温度循环( 项目10alt) 试验应取代间歇运作寿命( 第10项) 的使用, 以确保适当的结点温度变化发生。所有其它器件应采用IOL。
U: 仅这些测试中, 能够接受的是使用未成形的引脚的封装( 例如, IPAK) 来判定新芯片将等效包装 ( 例如, DPAK) , 提供的芯片尺寸是等效包装合格的范围内。
V: 用于双向瞬变电压抑制器( TVS) , 一半以上在每个方向上的测试持续时间的实验应执行
W: 不适用于瞬态电压抑制器( TVS) 。对于TVS, 额定Ippm电流下100％的峰值脉冲功率 ( PPPM) 后, 将进测试4.2节的PV数据
Ｘ: 对于开关器件( 例如, 快速/超快速整流器, 肖特基二极管) 的用户/供应商规范规定的额定结温指的是一个开关模式的应用条件。对于那些能够承受HTRB中直流反向电压的热失控零件, 在用户/供应商规范以及试验条件中没有规定的额定直流反向电压的最大额定结温, 应在认证测试计划/报告中说明。例如: 一个100V肖特基二极管; 100V
应被应用于TA的调整, 直到达到最大的TJ而没有导致器件热失控, 电压, TA和TJ应作为测试条件记录在认证计划/报告中
Y: 仅适用于晶体闸流管
Z: 仅适用于LEDs
1: 仅适用于内部封装线直径小于5mil的MOSFET器件。

表 2A 間歇運行壽命(測試項#10)或功率溫度循環(測試項#10alt)的時間要求
封装形式
循环次数要求
∆T J ≥ 100°C
循环次数要求
∆T J ≥ 125°C
一次循环时间
所有
60,000/(x+y)
15,000 次
30,000/(x+y)
7,500 次
最快(最少2分钟.
on/off) x min. on + y min. off
例1: 一個封裝能承受2分鐘開/4分鐘關 則需要10,000次 循環 [60,000/(2+4)] at ΔTJ≥ 100°C 或5,000 次循環 at ΔTJ ≥ 125°C
例2: 一個封裝能承受1分鐘開/1分鐘關則需要15,000 次循環 at ΔTJ ≥ 100oC 或 7,500次循環 at ΔTJ ≥ 125oC.
X=該器件從周圍的環境溫度達到要求的ΔTJ所需要的最少時間.
Y=該器件從要求的ΔTJ冷卻到周圍的環境溫度所需要的最少時間
测试板上的仪器, 部件安装和散热方式将影响每个封裝的x和y
表2B 鍍SnPb焊端的可焊性要求(測試項#21)
焊线形式
测试方法
焊线温度
Steam Age分类
例外烘干處理
插件焊线
A
235°C
3
-----
SMD标准工艺
B
235°C
3
-----
贴片低温焊锡
B
215°C
-
4小时@155℃
smd溶解的金属测试
D
260°C
3
-----
注:請參考AEC-Q005無鉛焊接器件的可焊性測試要求

表3 制程變更測試選擇指南
說明:字母或●表明針對製成變更這些應力測試應該考慮要執行.

表2 測試項t#
3
4
5/
abc
6
7
7ab
8
/alt
9
/alt/a
10/
alt
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
備註
測試名稱
變更
目檢
參數驗證
HTRB/ACBV/HTFB/SSOP
高溫柵偏壓
溫度循環
TC Hot/TC Delam/WBI

設計
晶片厚度

●
●

●
●

●

●

X

●
●
●