半导体器件精.pptx
《半导体器件精.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体器件精.pptx(38页珍藏版)》请在咨信网上搜索。
1、1.本征半导体的结构本征半导体的结构 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体及杂质半导体本征半导体及杂质半导体 硅和锗是四价元硅和锗是四价元素,它们分别与素,它们分别与周围的四个原子周围的四个原子的价电子形成共的价电子形成共价键。价键。2.电子空穴对电子空穴对 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体及杂质半导体本征半导体及杂质半导体 本征半导体因本征半导体因热激发而出现热激发而出现自由电子和空自由电子和空穴,它们是成穴,它们是成对出现的。对出现的。3杂质半导体杂质半导体 N型半导体型半导体 在本征半导体中掺入五价在本征半导体中掺入五价杂质,则形成杂质,则形成N型半导体,型半导体
2、,电子为多数载流子,空穴电子为多数载流子,空穴为少数载流子,主要依靠为少数载流子,主要依靠电子导电。电子导电。1.1 半导体基础知识 3杂质半导体杂质半导体 P型半导体型半导体1.1 半导体基础知识 在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入三价杂质,则形成三价杂质,则形成P型半导体,空穴为多型半导体,空穴为多数载流子,电子为少数载流子,电子为少数载流子,主要依靠数载流子,主要依靠空穴导电。空穴导电。1.1.2 PN结结1PN结的形成结的形成 当当N型半导体和型半导体和P型半导体结合在一起时,由于交界处型半导体结合在一起时,由于交界处两侧载流子存在浓度差,引起扩散,结果在交界面的两侧载流子存在浓度差
3、,引起扩散,结果在交界面的两侧形成了空间电荷区,空间电荷区产生一个内电场,两侧形成了空间电荷区,空间电荷区产生一个内电场,其方向由其方向由N区指向区指向P区,内电场不利于扩散,但有利于区,内电场不利于扩散,但有利于漂移,当扩散运动和漂移运动达到动态平衡,就形成漂移,当扩散运动和漂移运动达到动态平衡,就形成了一个稳定的了一个稳定的PN结。结。1.1 半导体基础知识 2PN结的单向导电特性结的单向导电特性1.1 半导体基础知识 PN结的单向导电性是指结在正向电压作用下导结的单向导电性是指结在正向电压作用下导通,在反向电压作用下截止。通,在反向电压作用下截止。PN结加正向电压结加正向电压 PN结加反
4、向电压结加反向电压 1.2.1 二极管的结构二极管的结构 点接触型二极管点接触型二极管 点接触型二极管的结面积很小,所以不能通点接触型二极管的结面积很小,所以不能通过较大的电流;但结电容很小,所以适于做过较大的电流;但结电容很小,所以适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件。高频检波和脉冲数字电路里的开关元件。1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的结构二极管的结构 面接触型二极管面接触型二极管 1.2 半导体二极管 面接触型二极管的面接触型二极管的PN结面积大,可承受较大的电结面积大,可承受较大的电流,适用于整流电路;但结电容也大,不宜用于流,适用于整流电路;但结电容也大,不宜用于高频电路
5、。高频电路。1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 1正向特性正向特性 1.2 半导体二极管 当正向电压较小时,当正向电压较小时,外电场不足以克服内外电场不足以克服内电场的作用,正向电电场的作用,正向电流几乎为零,二极管流几乎为零,二极管截止;当正向电压超截止;当正向电压超过某一数值时,才有过某一数值时,才有明显的正向电流,这明显的正向电流,这时二极管导通。时二极管导通。1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 2反向特性反向特性 当反向电压小于击穿电当反向电压小于击穿电压时,反向电流很小,压时,反向电流很小,且基本不随反向电压的且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反变化而变化,此
6、时的反向电流称反向饱和电流;向电流称反向饱和电流;当反向电压大于击穿电当反向电压大于击穿电压时,反向电流急剧增压时,反向电流急剧增加,这时二极管反向击加,这时二极管反向击穿。穿。1.2 半导体二极管 1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 1.2 半导体二极管 3温度对二极管伏安特性曲线的影响温度对二极管伏安特性曲线的影响 4晶体二极管电路的分析晶体二极管电路的分析 二极管电阻二极管电阻1.2 半导体二极管 直流电阻直流电阻交流电阻交流电阻4晶体二极管电路的分析晶体二极管电路的分析 二极管的等效电路二极管的等效电路1.2 半导体二极管 解:解:1.2 半导体二极管 例例1-1 二极管电路
7、如图所示,已知二极管电路如图所示,已知 ,输入,输入为正弦波为正弦波 ,二极管的正向压降和反向,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。试画出输出电压的波形。电流均可忽略。试画出输出电压的波形。1.2.3 二极管的参数二极管的参数 最大整流电流最大整流电流:二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。1.2 半导体二极管 最高反向工作电压最高反向工作电压:二极管工作时允许外加的最大反向电压。二极管工作时允许外加的最大反向电压。反向电流反向电流:二极管未击穿时的反向电流。二极管未击穿时的反向电流。最高工作频率最高工作频率 :二极管工作时的上限频率。二极管工
8、作时的上限频率。1.3.1 三极管的结构三极管的结构 1.3 半导体三极管 三极管具有电流放大作用的内部条件是:三极管具有电流放大作用的内部条件是:基区做得很薄,而且掺杂浓度低。基区做得很薄,而且掺杂浓度低。发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。集电区比发射区体积大,且掺杂浓度低。集电区比发射区体积大,且掺杂浓度低。1.3 半导体三极管 1.3.1 三极管的结构三极管的结构 1.3.2 三极管的工作原理三极管的工作原理 1.3 半导体三极管 三极管具有电流放大作用的外部条件是:三极管具有电流放大作用的外部条件是:1、发射结加正向电压;、发射结加正向电压;2
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体器件
1、咨信平台为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,收益归上传人(含作者)所有;本站仅是提供信息存储空间和展示预览,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿,我们不确定上传用户享有完全著作权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果侵犯了您的版权、权益或隐私,请联系我们,核实后会尽快下架及时删除,并可随时和客服了解处理情况,尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确),网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据,平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺,下载前须认真查看,确认无误后再购买,务必慎重购买;若有违法违纪将进行移交司法处理,若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传,付费前请自行鉴别,如您付费,意味着您已接受本站规则且自行承担风险,本站不进行额外附加服务,虚拟产品一经售出概不退款(未进行购买下载可退充值款),文档一经付费(服务费)、不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印,是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已,我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改,文档下载后都不会有水印标识(原文档上传前个别存留的除外),下载后原文更清晰;试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓;PPT和DOC文档可被视为“模板”,允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得,本站不作要求视为允许,下载前自行私信或留言给上传者【a199****6536】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用;网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽--等)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题,请及时私信或留言给本站上传会员【a199****6536】,需本站解决可联系【 微信客服】、【 QQ客服】,若有其他问题请点击或扫码反馈【 服务填表】;文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“【 版权申诉】”(推荐),意见反馈和侵权处理邮箱:1219186828@qq.com;也可以拔打客服电话:4008-655-100;投诉/维权电话:4009-655-100。