分析化学讲义13.pdf
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1、1.表面吸附共沉淀表面吸附共沉淀初级吸附层次级吸附层5-4 沉淀的纯度一沉淀的纯度一.共沉淀共沉淀本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种沉淀析出的现象本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种沉淀析出的现象表面有剩余电荷,吸附构晶离子,形成初级吸附层,再吸附相反电荷离子(称抗衡离子),形成次级吸附层,组成了双电层。表面有剩余电荷,吸附构晶离子,形成初级吸附层,再吸附相反电荷离子(称抗衡离子),形成次级吸附层,组成了双电层。影响因素:影响因素:?颗粒小,比表面积大,吸附杂质多颗粒小,比表面积大,吸附杂质多?吸附是放热过程,温度升高,吸附杂质量减小吸附是放热过程,温度升高,吸附杂质量减小防止:防止:洗
2、涤(电解质水,易挥发的沉淀剂)洗涤(电解质水,易挥发的沉淀剂)抗衡离子:抗衡离子:与构晶离子形成 溶解度、离解度最小的化合物与构晶离子形成 溶解度、离解度最小的化合物离子浓度越大,越易被吸附离子浓度越大,越易被吸附离子电荷高的优先吸附离子电荷高的优先吸附2.吸留或包藏吸留或包藏表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏在里面不能洗去,陈化可减小,严重时,需重新沉淀。表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏在里面不能洗去,陈化可减小,严重时,需重新沉淀。3.混晶混晶与构晶离子半径相近、形成的晶体结构相似的离子代替构晶离子形成混晶与构晶离子半径相近、形成的晶体结构相似的离子代替构晶离子形成混晶,不能
3、洗去,应在沉淀前分离。不能洗去,应在沉淀前分离。BaSO4与与PbSO4;BaSO4与与 KMnO40.01mol/L Zn2+在 0.15mol/L HCl 中通H2S 不沉淀,如果有Cu2+存在,在CuS沉淀后放置,则表面上有白色 ZnS析出。二二.后沉淀后沉淀某组分析出沉淀后,另一种难于析出沉淀的物质在沉淀表面上析出沉淀的现象。某组分析出沉淀后,另一种难于析出沉淀的物质在沉淀表面上析出沉淀的现象。SO42-BaCl2 +;H2SO4 三三.沉淀沾污对分析结果的影响沉淀沾污对分析结果的影响测测 Ba2+包藏了包藏了 BaCl2;吸附;吸附 H2SO4无无用什么洗是关键用什么洗是关键H2O是
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