半导体二极管练习题1.pdf
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1、半导体二极管半导体二极管 练习题练习题 1 1一、单选题一、单选题(每题每题 1 1 分分)1.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不同量程时通过二极管的电流,所测得正向电阻阻值。A.直流,相同,相同B.交流,相同,相同C.直流,不同,不同D.交流,不同,不同2.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴3.PN 结形成后,空间电荷区由()构成。A.电子和空穴B.施主离子和受主离子C.施主离子和电子D.受主离子和空穴4.硅管正偏导通时,其管压降约为()。A0.1VB0.2VC0.5VD0.7V5.在 PN 结外加正向电压时,扩散
2、电流漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。A.小于,大于B.大于,小于C.大于,大于D.小于,小于6.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶体缺陷7.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。A.左移,下移B.右移,上移C.左移,上移D.右移,下移8.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为()。A.ISeUB.ISeU UTC.IS(eU UT 1)D.ISeU UT 19.下列符号中表示发光二极管的为()。ABCD10.在 25C 时,某二极管的死区电压 Uth0.5V,反向饱和电流 IS0.1pA,则在 35C时,下
3、列哪组数据可能正确:()。AUth0.525V,IS0.05pABUth0.525V,IS0.2pACUth0.475V,IS0.05pADUth0.475V,IS0.2pA11.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足()。A.ID=0B.ID IZMC.IZ ID IZMD.IZ ID IZM12.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降二、判断题二、判断题(每题每题 1 1 分分)1.因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()2.PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()3.在 N 型
4、半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。()4.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。()5.二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。()6.二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。()7.二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。()三、填空题三、填空题(每题每题 1 1 分分)1.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中是可逆的,而会损坏二极管。2.温度升高时,二极管的导通电压,反向饱和电流。3.普通二极管工作时通常要避免工作于,而稳压管通常工作于。4.硅管的导通电压比锗管的,反向饱和电流比锗管的。5.本征半导体掺入微量的五价元素,则形成型半导
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