半导体太阳能电池受辐照后的少子寿命.pptx
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1、半导体太阳能电池受辐照后的少半导体太阳能电池受辐照后的少子寿命子寿命06300190086 周敏物理学系指导老师:陆昉望道中期报告研究目的意义实验原理初步的实验结果下一步的研究计划望道中期报告方波脉冲测量望道中期报告望道中期报告存储时间,下降时间可用公式取近似正弦信号 测量望道中期报告望道中期报告在满足条件 下可由公式得出少数载流子寿命。.测量 GaAs时,还要除去电容性导电的影响望道中期报告望道中期报告实验电路图方波脉冲可变参量:串联电阻正向偏压反向偏压正弦波可变参量串联电阻信号幅值 信号频率我们先测量普通Si二极管的少数载流子寿命然后测GaAs太阳能电池pn结实验电路图R RSi(方波脉冲
2、)改变正反向电压结果望道中期报告望道中期报告实验误差的来源有公式的拟合。取反向V(r)正向V(f)5830.4830.45948.1948.14.6838.2838.24.6931.6931.64.2837.7837.74.2942.9942.93.8856.4856.43.8957.8957.83.4859.5859.53.4967.4967.43879.3879.339819812.6881.6881.62.6986.1986.12.2895.5895.52.21004.41004.41.8909.5909.51.81026.71026.71.49269261.41011.11011.11
3、948.1948.11833.4833.4T望道中期报告结果分析:改变电阻对结果影响不大。所采用的拟合公式本来就不是精确解,从电荷控制方程出发对边界条件的选取都是近似,文献指出从连续性方程出发可得精确解,但含不易测量参数。取 对每一组正反向电压曲线求解,误差大。线形拟合,正反向电压线形拟合结果有差别,正向拟合线形好。所有的方波脉冲实验表明,此Si样品的少数载流子寿命能确定在9001000ns57.79E-077.79E-07108.55E-078.55E-074.57.75E-077.75E-07158.55E-078.55E-0747.62E-077.62E-07209.09E-079.09
4、E-073.57.44E-077.44E-07258.98E-078.98E-0737.17E-077.17E-07308.91E-078.91E-072.56.93E-076.93E-07358.55E-078.55E-0725.89E-075.89E-07408.55E-078.55E-071.53.22E-073.22E-07458.31E-078.31E-071-3.54E-07-3.54E-07508.34E-078.34E-07Si(正弦信号)改变幅值 和频率望道中期报告望道中期报告考虑电源内阻,串联电阻影响可忽略满足条件 (前五组)增大幅值,结果接近方波脉冲。频率影响不大,可用该
5、法测GaAs二极管。GaAs(方波脉冲):没有反向存储时间,不能测量!望道中期报告望道中期报告GaAs(正弦波)改变频率、电阻望道中期报告望道中期报告电容影响效应很大 GaAs-正弦信号测量结果望道中期报告望道中期报告REpf(kHz)wtIr/If20581.31E-061.31E-060.06560.0841140581.45E-061.45E-060.07280.0933360581.80E-061.80E-060.09070.1162860581.80E-061.80E-060.09070.1162860481.49E-061.49E-060.07480.1031860551.73E-
6、061.73E-060.054420.0697760561.43E-061.43E-060.053790.0689760571.44E-061.44E-060.063490.081460581.62E-061.62E-060.081630.1046560591.60E-061.60E-060.09070.11628605101.88E-061.88E-060.117910.15116605111.86E-061.86E-060.128470.16471所有的数据都满足条件 由于电容效应很大导致读取数据的困难,会引进很大误差。实验选取幅值最大,电阻和频率可调节到最佳状态进行测量。因此,估计该Ga
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