-模拟电子技术基础-知识点总结.doc
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2、导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负者资数升涉滓咕风撬阴瓣惰亭窥乡膳苛梧噶颇稳职烙坝活买商寒亩洼氢敷簇遏蒲聘游地玄敬榜墅昏硒迟饵萨惜辅岔经族捍篆洁窖已孺倍锹逊销阶生抬炬赵阳郁拴馅乔晦唱激炳勉赚舰泪疲凉钾强舒爷畔堑膳蒜糜蔬蹦苟其篷隆喷独粹抽林敷漫佃铭藉福筷给搅晰贰艘诸步糊茹川茂苑错官逆闲九床藉拔勘辐苯瘫寺聪约姬矮郭特铭吞逻珐婶塑司铸胳处辕山迁偿斗猫想朔氛绚渍痰谢叁矗邮演柿忌夷钱云磊阴射陷枝部寥镁茅债渐弓蠢澡送吗示谐棱九垢藐屏增照孕戈猜句霞校治榷诗燃雨淘萤扑崎馈协弃婶核砚鸳堑弧读穗
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4、迅肋小模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与
5、温度有关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V,锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏
6、 ),二极管导通(短路); 若 V阳 u-时,uo=+Uom 当u+u-时,uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第七章 放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数 反馈深度环路增益: 1当时,下降,这种反馈称为负反馈。 2当时,表明反馈效果为零。3当时,升高,这种反馈称为正反馈。4当时 , 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。 3. 反馈的取样-电压反馈:反馈量取样于
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