模拟电子线路期末试题及其答案(两套).doc

模拟电子技术基础（一）期末试题A一、填空题（15分）1由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。3从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。4某放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为 Hz。5共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。6在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。7电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。8直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。二、单项选择题（15分）1当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4差动放大电路的主要特点是 。 A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。5互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大 D 带负载能力强6集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻7放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适8当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 9在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。 A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小AVAV10带通滤波器所对应的幅频特性为 。 AVMAXAVMAX A、 B、offoAVAVAVMAXAVMAXC、 D、ofof三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。（12分） （A）（B）（C）四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。（8分） （A） （B）五、综合题（50分）1 （6分）稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=6V，稳定电流范围为IZ=520mA，额定功率为200mW，限流电阻R=500。试求：（1） 当 （2） 当 2、（14分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段C1、C2、C3对交流短路， 已知：VCC=12V、R1=150K 、R2=150K、RC=5.1K、Re=2K、RL=10K、=100、C1=C2=C3=10F、C=5PF(即Cbc) 、 fT=100MHZ、VBE=0.7V 、 rbb=200，试求：（1）放大电路的Q点参数；（2）画出交流小信号等效电路，求的值；（3）求电路上限频率； （4）若C2断开，将对Q点，产生何种影响？ 3、 （10分）OCL功率放大电路如图，其中A为理想运放。已知，RL=8。（1）求电路最大输出功率 （2）求电路电压放大倍数 =？ （3）简述D1 、D2的作用4、 （10分）判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性地作出VO1，VO2处的波形。DZ1，DZ2的稳压值均为VZ （注：各运放为理想运放，已加电）.5、（10分）如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设T1T2工作在放大区(忽略其直流偏置)，RC1=RC2=2K，R1=2K，R3=10K，Rb1=Rb2=2K，Re=5.1K，Rf=10K，1=2=100，rbe1=rbe2=1k 试求： 当S断开时，电路的增益AV=VO/VI=？ 当S闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益AVF=？模拟电子技术基础期末试题A参考答案一、填空题1、单向导电性2、VBE 0VBC 03、共集电极、共基极电路共集电极路 共基极电路4、输入级、中间级、输出级、偏置电路5、6、静态电阻小，交流电阻大7、38、一次 一次9、电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路二、单项选择题1、（A）2、（B）3、（C）4、（A）5、（D）6、（C）7、（B）8、（B）9、（D）10、（C）三、判断题（1） A图 不能放大交流信号，改正：去掉C1，将+VCC改为-VCCB图 能够放大交流信号（2） A图 电流串连负反馈 B图 电流并联正反馈四、综合题1、解： 假设Dz能稳压，设V0 = 6V有DZ能稳压，V0 = 6V假设Dz能稳压，V0 = 6VDZ不能稳压，又工作在反偏条件下，视为断路。2、解： 画出直流通路求Q点参数得：RCR2R1IBQICQIEQVcc画出小信号等效电路如图所示，并据此求出AV、Ri、R0R1Vi+-rbeR2VO+-RCRLibibibibib画出混合等效电路，求上限载止频率fH ：R1Vi-rbeR2VO-RCRL若C2断开，对Q点无影响，但R1、R2构成电压并联负反馈则、3、解：由电路看，A为同相比例放大电路，后级为OCL功率放大电路，则D1、D2的作用是消除交越失真4、答：电路中A1为方波发生器电路，后级A2为反相积分电路，这一电路的功能是作波形产生与变换，可以将方波变换为三角波。其中V01、V02的波形如下：OV01tOV02t5、解： 当S断开时，反馈不存在，电路为一差放和一反相放大器的级联其中：当S闭合时，Rf起电压串联负反馈作用，在温度负反馈条件下： 模拟电子技术基础（二）期末试题A一、单项选择题（24分,每空1.5分）（请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内）1当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 。 A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 。 A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是 管，处于 。 A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： 。 A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小 B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小C 共 基极电路的AV最小、RI最小、RO最大 D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响7差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ，而提高共模抑制比. A 抑制共模信号； B 抑制差模信号； C 放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大 D 带负载能力强9集成运放电路的实质是一个 的多级放大电路。 A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适11在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。 A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 A 直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 才能起振。 A AV = 1 B AV = 3 C AV 3 D AV 314、迟滞比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生 次跃变。 A 1 B 2 C 3 D 015当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用 滤波器。 A 低通 B 高通 C 带阻 D 带通16.串联型稳压电源正常工作的条件是 ：其调整管必须工作于放大状态，即必须满足 。 A VI = VO + VCES B VI VO + VCES C VI VO + VCES D VI VO + VCES 二、判断题：（共18分）1（6分）组合电路如图2-1所示：判断图中电路的各晶体管T1、T2、T3分别构成何种组态的电路？ 2（12分）请判断如图2-2电路中： （1）是否存在反馈？（2）若有，请判断有几条反馈通路？（3）分别是什么反馈类型？对电路有什么影响？图2-1 图2-2三、综合题（58分）1、（12分）单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C1、C2、C足够大且对交流短路，试求：（1）该放大电路的IBQ，ICQ，VCEQ的表达式；（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出AV、RI、RO的的表达式；（3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？ 2.（8分）组合电路如图3-2，已知 ：VCC = 9V， 晶体管的VCES1 = VCES2 = 1V，RL = 8，（1） T1、T2构成什么电路？（2） D1 、D2起何作用？（3） 若输入电压UI足够大，求电路最大输出功率= ？图3-1 图3-23.（10分）图3-3中的各运放为理想运放,已知：VD = 0.7v，Vom = 15v； (1) 试定性画出VO随VI变化的传输特性图。(2) 试分别写出当VI0和VI0时，电路的VO与VI的关系式。图3-34. （16分）组合电路如图所示，集成运放是理想的，请做如下分析： （1） T1和T2，T3和T4各构成什么电路？理想运放A又构成什么电路？（2） 试计算IO，UC2Q（A点对地的直流电压）的数值，设UBEQ = 0.7v，UCC = 12v， R2 = 2K。（3） 写出整个电路的电压增益AU = UO/UI 的表达式（4） 为进一步提高输出电压的稳定性，增大输入电阻，试正确引入合理的负反馈类型（请在电路中画出反馈通路）；（5） 估算电路在引入合理的反馈（假设为深度负反馈）后的闭环增益AUF = ？（推导表达式）T1T2T4T3图3-45.（12分）电路如图3-5所示：各运放为理想运放，DZ1，DZ2的稳压值均为VZ =6V，开关S1和S2在t = 0以前均掷于，此时UO = -6V。（1） 在t = 0时刻将开关S1和S2改掷于之后，判断A1、A2各是什么单元电路，（2） 在t = 0时刻将开关S1和S2改掷于之后，试问经过多少时间便由原来的6V跳变为6V？并定性地作出UO1，UO处的波形。图3-5模拟电子技术基础（二）期末试题A参考答案一、单项选择题1、（B）2、（D）3、（B）4、（B）5、（B）6、（C）7、（A）8、（D）9、（B）10、（B）11、（D）12、（B）13、（D）14、（A）15、（B）16、（D）二、判断题1、答：管构成共基极放大电路；电路频率特性好，用于输入级增强搞干扰能力。 管构成共发射极放大电路；具有较强的放大能力，用于中间级放大信号 管构成共集电极放大电路。电路输入电阻高，输出电阻低，故用于输出级2、答： 存在反馈。 有两条级间反馈，分别是、支路和、支路； 有三条本级反馈，分别是、支路。 各反馈支路的类型及对电路的影响如下： 、构成电压并联负反馈，是直流反馈，因此可以稳定直流静态工作点。 、是构成交直流的电流串联负反馈，因此可以稳定输出电流，增大输入电阻，增大输出电阻，减小电压增益，扩展电路的通频带，减小非线性矢真等。 、分别为各级的本级直流电流串联负反馈，可以稳定各级直流输出电流，抑制各级本身的温度漂移。三、综合题1、 解： 画出直流通路如下图，求解各Q点参数：R5R2R1R3R4VBQVCC 画出交流小信号等效电路如图：Vi+-+V0ibibrbeR5R4R2R1 由于该电路具有分压式偏置电路，固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪的变化，使晶体管的点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。若要提高输出电压增益，可以采取以下措施：a、 用有源负载电阻代替、支路；b、 更换值更高的晶体管；c、 在发射极电阻旁加一旁路电容，以减小交流发射极电阻，进一步提高交流电压增益。2、 解：（1）、构成互补对称输出级电路；（2）、的作用是为、提供预偏置，使、微导通而达到消除交越失真的目的；（3）当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为：3、 解：（1）当0时，此时截止而断开，支路无电流，则； （2）当0时，此时导通，构成反相比例运算电路，有：所以，从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值，可以画出随变化的传输特性图为：OV0Vi4515V45（3）与的关系式为： 4、 解：（1）、构成差分放大电路；、构成比例式镜像电流源电路；同时作为差放的长尾，理想运放构成同相比例运算电路。（2）（3）整个电路的电压增益为：其中又且（4）为进一步提高输出电压的稳定性，增大输入电阻，现引入电压串联负反馈，反馈通路如下图红色支路所示：Rf（5）设引入深度电压串联负反馈，则采用分离法：5、 解：（1）当t = 0时刻，开关、改掷于后，A1构成反相积分运算电路；A2构成反相滞回电压比较器。（2）当t = 0时刻，掷于 则，此时、改掷后，运放A1进行积分运算，有： ， 同时，A2的反相端电位随积分运算反向增长直到：时，A2输出电压U0从-6V跳变为+6V，因此积分所需的时间由得：t = 2S显然，当t = 0时刻，S1、S2改掷后，经过2秒时间，电路的输出从-6V变为+6V。（3）在2秒内电路U01、U02的输出波形为：tOOU012StU026V-6V2SO+6V-6VU0U01-2VA2的传输特性为：1. PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结，P接负、N接正时（称反偏），PN结。所以正向电流主要由多子的形成的，而反向电流主要由少子的形成的。2.温度升高时，三级管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将变窄。3场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于一种载流子的流动；因而它又称作 器件。4从信号的传输途径看，集成运放由、这几个部分组成。1在SiO2晶体中，掺入P元素将形成_型半导体，此时晶体中空穴浓度_电子浓度；因此将晶体中产生的空穴称为_，将电子称为_。 2. 晶体三极管在结构上一共由三个区组成并因此形成两个PN结，分别称为 与 ，其中掺杂浓度最高的为 区，掺杂浓度低的为 区。3将PNP型晶体管接入电路中，并使工作在放大状态，根据电路结构可分别形成 ， ， 三种基本组态放大电路。4当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将_ 。5用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是_型三极管，U1=2.8V的那个极是_，U2=2.1V的那个极是_，U3=7V的那个极是_。6负反馈电路有四种基本组态，其中反馈系数无量纲的是_和_两种组态，有量纲的是_和_两种组态。7对于集成运算电路， 运算电路可以实现Au0的放大器， 运算电路可以实现电压移相900输出。 电路如图(a)所示，设运放为理想运放。(1) 求解输出电压和输入电压的关系；(2) 设电容电压在t=0时为0V，输入电压的波形如图(b)所示，画出输出电压的波形。 1. 已知图示电路中晶体管的 100，0.7V，可忽略不计。分别画出直流通路和交流通路，为获得尽量大的不失真输出幅度，应取多大？(15分)