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第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性
　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
　*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法

该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法
Ø 直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型

Ø 微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章 三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态

2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

式子 称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线
(饱和管压降，用UCES表示
放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型（简化）
hie---输出端交流短路时的输入电阻，
常用rbe表示；
hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，
常用β表示；

四. 基本放大电路组成及其原则
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响

1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的
直线。
3. 静态工作点与非线性失真

（1）截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小Rb，提高Q。
（2） 饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。
4. 放大器的动态范围
（1） Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围
*当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。
*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法
1. 静态分析
（1）静态工作点的近似估算

（2）Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc 。
2. 放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七. 分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电路法
1．静态分析

2．动态分析
*电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

* 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路
1．静态分析

2．动态分析
* 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3. 电路特点
* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。

第三章 场效应管及其基本放大电路
一. 结型场效应管（ JFET ）
1.结构示意图和电路符号
2. 输出特性曲线
（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）
二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）
分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号

三. 场效应管的主要参数
1.漏极饱和电流IDSS
2.夹断电压Up
3.开启电压UT
4.直流输入电阻RGS
5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)

第四章 多级放大电路
一. 级间耦合方式
1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应
1．中频段(fL≤f≤fH)

波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。

2．低频段(f ≤fL)

‘

3．高频段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大电路的频率特性

三. 分压式稳定工作点电路的频率响应
1．下限频率的估算

2．上限频率的估算

四. 多级放大电路的频率响应
1. 频响表达式

2. 波特图

第五章 功率放大电路
一. 功率放大电路的三种工作状态
1.甲类工作状态
导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态
ICQ≈0， 导通角为180o，效率高，失真大。
3.甲乙类工作状态
导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算
1. 工作状态
Ø 任意状态：Uom≈Uim
Ø 尽限状态：Uom=VCC-UCES
Ø 理想状态：Uom≈VCC

2. 输出功率
3. 直流电源提供的平均功率

4. 管耗 Pc1m=0.2Pom
5.效率
理想时为78.5%
三. 甲乙类互补对称功率放大电路
1. 问题的提出
在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法
Ø 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
Ø 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。
动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。
四. 复合管的组成及特点
1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2. 类型取决于第一只管子的类型。
3. β=β1·β 2

第六章 集成运算放大电路
一. 集成运放电路的基本组成
1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点
1. 抑制零点漂移的过程----
当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。
Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析
1) 计算差放电路IC
设UB≈0，则UE=－0.7V，得
2) 计算差放电路UCE
• 双端输出时
•
• 单端输出时(设VT1集电极接RL)
对于VT1：

对于VT2：

3. 动态分析
1）差模电压放大倍数
• 双端输出
•

• 单端输出时
从VT1单端输出 ：

从VT2单端输出 ：

2）差模输入电阻
3）差模输出电阻
• 双端输出：
• 单端输出:
三. 集成运放的电压传输特性
当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ：

四. 理想集成运放的参数及分析方法
1. 理想集成运放的参数特征* 差模输入电阻 Rid→∞；* 差模输入电阻 Rid→∞；* 输出电阻 Ro→0；* 共模抑制比KCMR→∞；
第七章 放大电路中的反馈
一. 反馈概念的建立

＊开环放大倍数－－－Ａ
＊闭环放大倍数－－－Ａｆ
＊反馈深度－－－１＋ＡＦ
＊环路增益－－－ＡＦ：
1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。
2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时 ，Ａｆ→∞ 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断
1. 反馈的范围----本级或级间。
2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存
在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈
则为交、直流反馈。
3. 反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）
电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）

4. 反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电
流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）
串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压
的形式相叠加。 Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）
5. 反馈极性-----瞬时极性法：
（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号
的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升
高用 + 表示，降低用 － 表示）。
（3）确定反馈信号的极性。
（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反
馈；Xid 增大为正反馈。

三. 反馈形式的描述方法
某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串
联（并联）负反馈。
四. 负反馈对放大电路性能的影响
1. 提高放大倍数的稳定性
2.
3. 扩展频带
4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声
5. 改变放大电路的输入、输出电阻
*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍
*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍
*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍
*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍
五. 自激振荡产生的原因和条件
1. 产生自激振荡的原因
附加相移将负反馈转化为正反馈。
2. 产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为：

第八章 信号的运算与处理
分析依据------ “虚断”和“虚短”
一. 基本运算电路
1. 反相比例运算电路
R2 =R1//Rf

2. 同相比例运算电路
R2=R1//Rf

3. 反相求和运算电路
R4=R1//R2//R3//Rf

4. 同相求和运算电路
R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5. 加减运算电路
R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二. 积分和微分运算电路
1. 积分运算

2. 微分运算

第九章 信号发生电路
一. 正弦波振荡电路的基本概念
1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)
自激振荡的平衡条件 :
即幅值平衡条件：
相位平衡条件：

2. 起振条件:
幅值条件 ：相位条件:
3.正弦波振荡器的组成、分类
正弦波振荡器的组成
(1) 放大电路-------建立和维持振荡。(2) 正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。
(3) 选频网络-------以选择某一频率进行振荡。
(4) 稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。
* 正弦波振荡器的分类
(1) RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;
(2) LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;
(3) 石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。
二. RC正弦波振荡电路
1. RC串并联正弦波振荡电路

2. RC移相式正弦波振荡电路

三. LC正弦波振荡电路
1. 变压器耦合式LC振荡电路
判断相位的方法：
断回路、引输入、看相位

2. 三点式LC振荡器
*相位条件的判断------“射同基反”或 “三步曲法”

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