第1章半导体器件习题及答案.doc
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1、第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后 内用表示对,用表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。( )2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。( )3、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。( )4、P型半导体带正电,N型半导体带负电。( )5、N型半导体的多数载流子是电子,所以它带负电。( )6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。( )7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。( )8、施主杂质成为离子后是正离子。( )9、受主杂质成为离子后是负离子。( )10、PN结中的扩散电流是载流
2、子在电场作用下形成的。( )11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。( )12、由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过。( )13、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的反向击穿特性。( )15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。( )16、有人测得某晶体管的UBE=0.7V,IB=20A,因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20A=35k。( )17、有人测得晶体管在UBE=0.6V,IB=5A,因此认为在此工作点上的rbe大
3、约为26mV/IB=5.2k。( )18、有人测得当UBE=0.6V,IB=10A。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到 ( )二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度(0K)时,本征半导体中_ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生_。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N型半导体中的多子是_。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离
4、子5、P型半导体中的多子是_。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子6、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷7、当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变8、二极管正向电压从0.7V增大15%时,流过的电流增大_。(A115% B1大于15% C1小于15%)当流过二极管的电流一定,而温度升高时,二极管的正向电压_。(A2增大B2减小;C2基本不变)9、温度升高时
5、,二极管的反向伏安特性曲线_。(A1上移 B1下移 C1不变)说明此时反向电流_。(A2减小 B2增大 C2不变). 10、在下图1.10所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是 I=2mA B.I2mA D.不能确定 图1.10 图1.11 图1.1311、图1.11所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是 A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定12、设图1.11电路中保持V=5V不变,当温度为20时测得二极管的电流I=2mA。当
6、温度上升到40时,则I的大小将是 。 A. I=2mA B. I2mA13、图1.13中,二极管的正向压降可以忽略,反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化,这时电路中的电流I等于 A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA 14、二极管的主要特性是 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 15、在下图1.15所示电路中,D1D3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡功率都相同,其中最亮的灯是_。 A. b B. c C. a16、二极管电路如下图1.16所示, 判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压V
7、o为_。(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V 图1.15 图1.16 图1.17 图1.1817、二极管电路如上图1.17所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V18、二极管电路如上图1.18所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_。(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V19、电路如下图1.19所示。试估算A点的电位为_。(设二极管的正向压降为0.7V。) A. 6.7V B
8、. 6V C. 5.7V D. 6.7V20、已知如下图1.20所示电路中VA0V,VB5V,分析二极管的工作状态后,可确定Vo的值为_。(设二极管的正向压降为0.7V。) A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V 图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b) 21、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图1.21(a)中电路的输出电压Vo为_;可求出图1.21(b)中电路的输出电压Vo为_;可求出图1.21(c)中输出电压Vo为_;可求出图1.21(d)中输出电压Vo为_。A.0.7V B.1.4V C.5V D.7V E.
9、8V G.13V H.17V F.11.6V 图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b)22、已知DZ1、DZ2的稳压值分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得图1.22(a)路中,输出电压为_;可求得图1.22(b)中输出电压为_。 A. 1V B. 5V C. 6V D. 13V E. 7V23、二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=VC2)值的正弦波,二极管为理想器件。则可画出vo的波形为_。A. a) B. b) C. c) D. d) 24、在同一测试电路中,分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是
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