模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章半导体器件习题答案(大题).doc
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1、习题:一 填空题1. 半导体的导电能力与 温度 、 光照强度 、 掺杂浓度 和材料性质有关。2. 利用PN结击穿时的特性可制成 稳压 二极管,利用发光材料可制成 发光 二级管,利用PN结的光敏性可制成 光敏(光电) 二级管。3. 在本征半导体中加入5价元素可形成N型半导体,加入3价元素可形成P型半导体。N型半导体中的多子是_自由电子_;P型半导体中的多子是_空穴_。4. PN结外加正向电压时 导通 外加反向电压时 截止 这种特性称为PN结的 单向导电性 。5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。6.理想二极管正向电阻为_0_,反向电阻
2、为_,这两种状态相当于一个_开关_。7.晶体管的三个工作区分别为 放大区 、 截止区 和 饱和区 。8. 稳压二极管是利用PN结的 反向击穿特性 特性制作的。9. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。10. 晶体三极管工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电,因此三极管又称为 双极型 晶体管。11.设晶体管的压降UCE 不变,基极电流为20A时,集电极电流等于2mA,则=_100_。12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和 结型 两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管,按其工作方式分可分为 耗尽型 和 增强型 两大类,每一类中又分为N沟道和P沟道两种。13. 查阅
3、电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写题表2-1在下表中 题表2-1二选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A 。A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为A。A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在D状态。A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A。A.增大 B.不变 C.减小5.工作在放大区的某晶体管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为C。A.83 B.91 C.1006.当场效应管的漏极
4、直流电流ID从mA变为mA时,它的低频跨导gm将 C 。A、增大B、不变C、减小7.uGS时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 和 C 。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管8.场效应管属于_A_控制型器件,晶体三极管则属于_B_控制器件。A、电压 B、电流 C、电感 D、电容。9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、12v则三极管三个电极分别是 C ,该管是 E A、(e b c) B、(b c e) C、(b e c ) D、(pnp) E、(npn)10.如题图2-1所示,二极管均为理想元件,则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( A )。 A. VD1导通,
5、 VD2 、 VD3截止 B. VD2导通, VD1 、 VD3截止 C. VD3导通, VD1 、 VD2截止 11.在题图2-2示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V, VDZ2的稳定电压为15V,输出电压UO等于( B )。 A15V B9V C24V 题图2-1 题图2-2三、 分析题1. 二极管电路如题图2-3所示。已知直流电源电压为6V,二极管直流管压降为0.7V。 (1) 试求流过二极管的直流电流。(2)二极管的等效直流电阻为多少?+6VDR100 题图2-3解:(1)流过二极管的直流电流也就是题图2-3的回路电流,即 =53mA(2) =13.22. 二极管电路如题图2-4所示
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