电力电子技术期末考试试题-答案.doc
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1、1. IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降,开关速度小于电力MOSFET 。2. 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET,属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR,属于复合型电力电子器件得有 IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是
2、电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT,属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。3. 电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角的最大移相范围是_0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_,续流二极管承受的最大反向电压为_(设U2为相电压有效值).4. 单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,角移相范围为0180O,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和;带阻感负载时,角移相范围为0-90O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为
3、和;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。5. 单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角大于不导电角d时,晶闸管的导通角q =-d; 当控制角a小于不导电角 d 时,晶闸管的导通角 q = 2d.6. 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于,晶闸管控制角的最大移相范围是0150o,使负载电流连续的条件为(U2为相电压有效值)。7. 三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压;这种电路 a 角的移相范围是0-120o,ud
4、波形连续的条件是60. 8. 对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值下降_9. 滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为_,随负载加重Ud逐渐趋近于_0。9 U2_,通常设计时,应取RC1.5-2.5 T,此时输出电压为Ud1。2_U2(U2为相电压有效值,T为交流电源的周期).10. 实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 a 从090变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随 a 的增大而 增大,当 a 从90180变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 a 的增大而减小。11. 逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为有源逆变
5、,欲实现有源逆变,只能采用全控电路;对于单相全波电路,当控制角 0 a p /2 时,电路工作在整流状态; p /2 a 90O,使输出平均电压Ud为负值。13. 晶闸管直流电动机系统工作于整流状态,当电流连续时,电动机的机械特性为一组平行的直线,当电流断续时,电动机的理想空载转速将抬高,随 a 的增加,进入断续区的电流加大。14. 直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作电动运行,电动机正转,正组桥工作在整流状态;当其处于第四象限时,电动机做发电运行,电动机反转转,正组桥工作在逆变状态。15. CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有升压斩波电路、Sepi
6、c斩波电路和Zeta斩波电路。16. Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:Sepic斩波电路的电源电流和负载电流均连续,Zeta斩波电路的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为正极性的 。17. 改变频率的电路称为变频电路,变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形式,前者又称为直接变频电路,后者也称为间接变频电路. 18. 单相交流调压电路带阻感负载,当控制角aj(j=arctan(wL/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间逐渐延长.19. 晶闸管投切电容器 选择晶闸管投入时刻的原则是:该时刻交流电源电压应和电容器预先充
7、电电压相等。20. 把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为交交变频电路_。21. 单相交交变频电路带阻感负载时,哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。22. 当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时,单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz_。23. 电力晶体管 GTR;可关断晶闸管 GTO;功率场效应晶体管 MOSFET;绝缘栅双极型晶体管 IGBT; IGBT是 MOSFET和 GTR的复合管.24. 晶闸管对触发脉冲的要求是 要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高
8、和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。25. 在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波.26. 80导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的.27. 当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。28. 在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用控制角=的工作方式。29. 常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直
9、流快速开关、控制快速移相使输出电压下降.30. 逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型 型逆变器和电流型 型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120 度。31. 按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。32. 直流斩波电路在改变负载
10、的直流电压时,常用的控制方式有等频调宽控制;等宽调频控制;脉宽与频率同时控制 三种.33. 晶闸管的换相重叠角与电路的触发角;变压器漏抗XB;平均电流Id;电源相电压U2。等到参数有关。34. 带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有 两相 相导电;晶闸管每隔 60 度换一次流,每只晶闸管导通120度,变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端 相反,所以以两绕组的电流方向也 相反 ,因此变压器的铁心不会被 磁化 。35. 一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V,流过晶闸管的电流有效值为15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为;晶闸管的额定电流可选为。36. 提高变流置的功率因数的常
11、用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容几种。37. 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTO、GTR、MOSFET、IGBT几种。38. 要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60小于120的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差60的双窄脉冲触发。39. 一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护 而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。40. 交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的.41. 在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系
12、统中,两组变流装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态、逆变状态。42. 当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。43. 三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为150HZ;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为300HZ;这说明三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比三相半波可控流电路电路要小。44. 对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取90度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为60度.45. 三相半波可控整流电路电阻性负
13、载时,电路的移相范围0150,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围0120,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相范围0-180。46. 晶闸管的维持电流IH是指在标准室温温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流.47. 为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在 开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装 散热器 .48. 只有当阳极电流小于 维持 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。49. 半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现失控现象,为了避免单相
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