电力电子技术考核点总结--填空选择备课讲稿.docx
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1、电力电子技术考核点总结-填空选择1简要说明四类基本的电力电子变流电路表答:交流变直流,即整流电路交流变交流,即交流电力控制电路或变频变相电路直流变直流,即直流斩波电路直流变交流,即逆变电;2美国学者W.Newell用倒二角形对电力电子技术进行形象的描述,认为电力电子学是由电力学,电子学,控制理论三个学科交义而形成的。3电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,其电力变换常分为四 大类:直流变直流、直流变交流、交流变交流、交流变直流。4根据二极管反向恢复时间的长短,可以将二极管分为普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管。5驱动电路需要提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节,一般采
2、用光隔离和磁隔离。6电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压,其中内因过电压包括换相过电压和关断过电压。7电力电子系统一般由控制电路,驱动电路,主电路 组成8电力电子器件的损耗主要包括开关损耗和通态损耗9单相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是【0】,晶闸管导通角沒和 触发角之间的关系是+= 或互补10三相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是0-150度,输出电压连续时触发角移相范围是0-30度11同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路主耍由脉冲的形成与放大,锯齿波的形成和脉冲移相,同步环节三个基本环节12一般来说,电力电子变流电路中换流方式有器件换流、负
3、载换流、电网换流和强迫换流。13直流斩波电路主要有三种控制方式:脉宽调制、脉频调制和混合调制。14正弦脉宽调制(SPWM)中,根据载波比N是否为固定值,可以分为同步调制和异步调制15PWM控制方案优劣体现在输出波形谐波的多少、直流侧电压利用率; 一个周期内的开关次数。16PWM整流电路根据是否引入电流反馈可分为直接电流控制和间接电流控制17根据电力电子电路中的功率器件开关过程中是否产生损耗,其开关方式可以分为软开关和硬开关。一、填空题1.电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。2.三要素:电力电子器件、变流电路、控制技术;3.电力变换包括电压、电流的大小、波形及频率的变换。
4、4.电力变换可以分为四大类:交流直流整流、直流交流逆变、直流直流斩波、交流交流交流调压、变频。5.三学科交叉特性:美国学者提出的倒三角交叉方式电力学、电子学和控制理论。6.在信息电子领域中,器件既可能工作在放大状态,也可能工作在开关状态;而在电力电子领域中,为避免功率损耗过大,器件总工作在开关状态。7.一般认为,电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。8.电力电子系统的组成:控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路。9.通常电力电子器件的断态漏电流极小,开关损耗和通态损耗是器件功率损耗的主要原因。10.电力电子器件的分类:半控型器件:晶闸管,全控型器
5、件:IGBT、电力MOSFET、GTO、GTR,不可控器件:电力二极管,电流驱动型器件:晶闸管、电力晶体管,电压驱动型器件(场控器件、场效应器件):功率MOSFET、IGBT,单极型器件:功率MOSFET、双极型器件:PN结整流管、普通晶闸管、电力晶体管,复合型器件:IGBT、。11.电力二极管的主要参数:正向平均电流,有效值。12.电力二极管的主要类型:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管(类型)。13.晶闸管的主要参数:通态平均电流(额定电流)、维持电流小于擎住电流(IH=(35)T/2时:1.2U2.21.斩波电路的三种控制方式:PWM、频率调制、混合型。22.交流调功电路的工作方式:
6、将负载与电源接通几个周波,再断开几个周波,改变通断周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。单相交流调压电路阻型负载,在触发角为90度时输出电压三次谐波达到最大。24.根据开关过程中是否有损耗,分为软开关和硬开关,软开关分类:零电压开通,零电流关断)25.三相PWM逆变器提高直流侧电压利用率方法:梯形波调制和线电压控制。单端正激电路三绕组复位方式:最大2倍Ui26.三相三线制交流调压电路阻性负载触发角移相范围: 0-150 27. 单相和三相桥式全控整流阻感负载时交流侧功率因数计算;28. 三次谐波注入可以使得三相PWM桥式逆变器直流侧电压利用率提高15%29.PWM整流工作时交流侧电压电流相位
7、一致,使得功率因数为1电力电子技术考核点总结1以下关于晶闸管正常工作时的特性描述不正确的是(D )A当晶闸管承受反压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通;B晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下才能导通;c晶闸管一旦导通门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否存在,晶闸管都保持导通;D导通的晶闸管只要阳极和阴极之间承受反压,晶闸管就立即关断;2以下功率器件中属于单极型电力电子器件的为(C)(A)门极可关断晶闹管GTO (B)晶闸管SCR (C) 电力场效应晶体管MOSFET (D) 电力晶体管GTR3以下功率器件中属于电压型的为(D)(A)门极可关断晶闸管 (B)晶闸管 (C
8、)巨型晶体管(D)绝缘栅型场效应管4以下属于混合型器件的是(D )(A)门极可关断晶闸管(B)晶闸管(C)巨型晶体管(D)绝缘栅双极晶体管5以下功率器件中,属于电压型单极性器件的是(D)(A)门极可关断晶闸管(B)晶闸管(C)巨型晶体管(D)绝缘栅型场效应管6晶闸管正常导通的条件(A)(A) UAK0,IG0 (B) UAK0 (C) UAK0,IG0 (D) UAK0,IG IH IL B IT(AV) IL IHC IL IT(AV) IHD IL IH IT(AV)8流过某晶闸管阳极的电流有效值为400A,考虑两倍的裕量,选取晶闸管的电流定额为(B)(A) 800A (B) 510A (
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