Ipcq检测室硅块检测流程.doc

Ipcq检测室硅块检测流程：硅块转入外观检查垂直度检查边宽/长度检查导电类型检查电阻率检查红外探伤检查少子寿命检查硅块鉴定硅块转出硅块检查操作指导环节1. 外观检查1.1 确认所送硅块箭头标示与否清晰，每个硅块随工单信息填写与否完整，且与硅块表面标示信息（硅锭号与硅块号）与否一致，以及确认边角料数量。1.2与制造部送检人员共同确定每个硅块外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题，使用游标卡尺测量缺陷长度（沿硅锭长晶方向测量），并把这些信息精确填写在品质登记表上和对应硅块随工单上。2. 垂直度检测2.1 抽样措施：小硅块（16块）测A1,C6,C11,A16;大硅块测A1,C7,C13,C19.A25,进行检测硅块垂直度。2.2 使用万能角度尺测量硅块四个侧面垂直度，即相邻两侧面间垂直度，每个抽样硅块测量任意三个角垂直度，每个角从硅块头部到尾部至少均为测量三次，并将检测数据记录于硅块检测登记表中。2.3 将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻两侧面，若臂于硅块表面接触存在空隙，鉴定硅块为“S”型硅块。3边宽/长度检查3.1 使用游标卡尺（精确度=0.02mm）测量抽样硅块边宽尺寸，每个硅块测相邻两边宽，用游标卡尺量爪在硅块两侧面进行测量使硅块各部位边宽尺寸都测量到。3.2 如发既有某一硅块边宽尺寸超过原则，必须加抽该硅块所在多晶硅锭位置垂直两条线其他硅块边宽尺寸。3.3 使用直尺（精确度=1mm）测量所有硅块长度；选择硅块尾部至头部中一棱边，使用直尺测量此棱边长度，测量完后在所测量棱边上做记号，并检查数据记录于硅块检测登记表中。4. 导电类型检查4.1 使用半导体导电类型检测仪全检硅块各侧面导电类型，即硅块P/N类型。4.2测量时硅块任选一侧面为测量面，根据测量长度选用测试点，选用测试点方式根据多晶硅锭电阻率抽样登记表中长度比例进行选定。（备注：1.使用直尺确定对应尺寸测试点。2.测试点须在硅块侧面中部，即边宽中心线正负25mm内。）4.3 使用半导体导电类型测试仪在选用测试点进行导电类型检测， 并将检测数据记录于多晶硅锭电阻率抽样登记表中。5 电阻率检查5.1 使用电阻率测试仪检查硅块电阻率大小，小锭硅块按照A1，C6,B9,C11,A16进行抽样检测;大锭硅块按照A1,C7,C13,C19,A25进行抽样检测。5.2 测量是硅块人选一侧面，根据测量长度选用测试点，选用测试点方式根据多晶硅锭电阻率抽样登记表中长度比例进行选定。（备注：1：使用直尺确定对应尺寸测试点。2：测试点必须在硅块侧面中部，即边宽中心线正负25mm内）5.3 使用电阻率测试仪在选用测试点进行电阻率测试，读取测试仪上显示电阻率大小，并将检查数据记录于多晶硅锭电阻率抽样登记表中；计算平均值并记录于硅块检测登记表中。5.4 测试注意事项：电阻率测试点选用后，头部第一种测试点处不需要测试，其他选用点都需要测试。6 红外探伤6.1 使用红外探伤测试仪全检硅块内部缺陷状况。6.2 硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块四个侧面擦拭洁净，将擦拭洁净硅块放在红外探伤测试台上，放置方向为底部朝下，头部朝上。6.3 确认内部缺陷：通过内部缺陷影像图，确定硅块内部存在缺陷后，观测内部缺陷在图像监控器上位置，是用记号笔在硅块表面做好标识；用记号笔在黑色阴影部分上下边缘处画标识线，上下画线处规定阴影部分2-3mm（备注：内部缺陷在距硅块头部或尾部20mm内，不需要画线）。6.4 缺陷图像保留：将检查硅块内部存在缺陷图像保留在测试仪内。6.5 标明缺陷范围：完毕该硅块四个侧面检测后，将硅块搬到工作台上根据标识线划线标识，缺陷长度20mm时，使用直尺把以上所有短线标识画长，并用直尺（精确度=1mm）量出缺陷长度，并标明原因、长度于硅块表面。6.6 图像保留注意事项：如下标识硅块必须保留：1.大硅块中B2、C7、C12、C17、B22必须保留四个侧面图片。2.小硅块中B2、C6、C10、B14必须保留四个侧面图片。7 少子寿命检查7.1 使用少子寿命测量仪抽样检测硅块少子寿命，详细抽样措施根据多晶硅块Lofetome抽样措施进行抽样检测。抽样措施如图：7.2 硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块一种侧面擦拭洁净，再放入测试仪器平台上；放入时，擦拭侧面朝上，硅块头部放在测试员左侧，使测试仪从硅块头部开始测试。7.3 硅块少子寿命测试:根据WT-p少子寿命测试仪操作阐明WT-少子寿命测试仪操作阐明测试该侧面少子寿命，并将少子寿命图像保留在电脑对应文献夹中；测试完毕后，按以上措施测试该硅块相对侧面少子寿命，并将少子寿命值记录在硅块检测登记表上。7.4 少子寿命分析：其他抽样硅块少子寿命按照以上操作检测，完毕后把此锭抽样硅块少子寿命图像所有打开，综合分析此锭少子寿命质量状况（规定：头尾各20mm以外硅块中部区域少子寿命最小值=2us，不符合规定区域需要标识清除）。8 硅块鉴定与检查记录填写8.1 结合硅块各检测项目检测成果进行综合分析，鉴定硅块与否流入下一工序，详细鉴定原则根据多晶硅块鉴定原则操作。8.2 按照检测成果头、尾如需清除长度不小于20mm，需由IPQC检测人员画标识线；需清除长度不不小于等于25mm，则不需要画标识线。8.3 根据鉴定成果填写此硅锭边角料有关信息，并标于边角料袋上。8.4 将检查成果填写在多晶硅锭随工单硅块检测栏中，以及多晶硅切割加工随工单中IPQC检查成果栏中，并盖IPQC待定章。8.5 检查报表审核后，IPQC MIS 录入人员将检查数据输入MIS系统。9 粘胶前硅块检查9.1 送检确认1. 确认所送硅块标识书与否对，每个硅块有无对应随工单，硅块随工单上与否盖有IPQC合格章（蓝色）或IPQC待定章（红色）。如有发现异常，需立即告知送检人员处理，并确认处理成果与否对。2. 与制造部门硅块送检人员确认每个硅块外观质量状况，如有崩边、崩块、台阶等外观问题应当面与其确认并在对应随工单上标明精确信息。3. 通过对比随工单上IPQC鉴定信息和硅块头尾信息确认硅块与否按照规定去头尾。如有异常，需按如下措施处理：a. 硅块去头尾尺寸比规定去头尾尺寸偏小时，需告知硅块送检人员按规定再去一次头尾，并再次送检。b. 硅块去头尾尺寸比规定去头尾尺寸偏多时，规定送检人员在随工单上写明导致原因后，可流入下一检查工序。4. 几何尺寸检查a. 用直尺（精确度=1mm）测量所有硅块长度标识点处硅块长度，并确认硅块长度测量数据和随工单上硅块长度数据与否一致。如发现测量数据和随工单上硅块长度数据有偏差，须挑出并规定送检人员返工硅块长度测量。b. 用游标卡尺（精确度=0.02mm）测量硅块边宽尺寸，每个硅块测量相邻两个边宽；测量时使用游标卡尺量爪在硅块两侧面前后滑动，使硅块每一段边宽尺寸都测量到。c. 用游标卡尺（精确度=0.02mm）分别测量硅块四条直角边倒角尺寸；每条从头到尾至少测量三处。d. 测量时将对应测量数据记录在硅块几何尺寸检测登记表上，同步将外观不良现象记录于外观栏。多晶硅快鉴定原则类别检查项目检查原则检查工具抽样措施鉴定/处置外观崩边、崩块、裂纹、裂痕、锯缝、线痕硅块头部和尾部20mm以内崩边、崩块、裂纹、裂痕、锯缝、线痕目视/游标卡尺/直尺全检合格硅块头尾部20以外硅块中部崩边、崩块长度150mm，深度1.5mm打磨硅块头尾部20以外硅块中部崩边、崩块长度150mm，深度1.5mm不合格/回炉硅块头尾部20mm以外硅块中部裂纹、裂痕150mm清除缺陷部分，流入下工序硅块头尾部25mm以外硅块中部裂纹、裂痕150mm不合格，回炉硅块头尾部20mm以外硅块中部线痕打磨尺寸垂直度（菱形/S形）125/156规格硅块棱角度数：900.25万能角度尺抽检合格硅块棱角度数90.25打磨89硅块棱角度数89.75打磨硅块棱角度数125.50mm打磨硅块边宽尺寸156.50mm打磨硅块边宽尺寸100mm回炉电阻率0.53cm电阻率测试仪抽检合格硅块电阻率cm标示隔离红外探伤无裂纹、杂质、黑点、阴影、微晶红外探伤测试仪全检合格硅块头尾部裂纹、杂质、阴影20mm硅块头尾部20mm以内区域有黑点20mm125mm回炉硅块微晶长度150mm标示清晰后流入下工序硅块微晶长度150mm回炉少子寿命头尾各20mm以外硅块中部区域少子寿命最小值2uS头尾各20mm以外硅块中部区域少子寿命不不小于2uS长度100mm头尾各20mm以外硅块中部区域少子寿命不不小于2uS长度100mm备注：1. 送检每一批次硅块需清洗洁净，硅块上无污水，并附有每一硅块随工单。2. 缺陷长度是指影响切片有效长度，按照硅锭长晶方向测量。3. 同一根硅块有多处缺陷时，结合所有缺陷后综合鉴定处置，如硅块剩余可切片长度不不小于100mm，硅块直接做回炉处理。4. 每一批次硅块抽检措施根据多种规格硅块检查指导书中措施抽样。5. 少子寿命清除长度以同一截面2/3以上宽度少子寿命最小值2uS为准。6. 硅块如有电性能项目不良，该硅块同区域其他硅块鉴定处理与该硅块相似。Day 1 A1 B2Day 3 B3 B4Day 2 A5 B6 C7Day 1 C8 C9 B10Day 4 B11Day 3 C12 C13Day 2 C14Day 1 B15 B16 C17Day 4 C18 C19 B20Day 3 A21 B22Day 2 B23 B24Day 4 A257. 对外加工协议硅块依协议规定检查鉴定。 硅锭箭头方向 少子寿命抽样措施 合用于25块多晶硅块 硅锭箭头方向Day 1 A1Day 3 B2Day 4 B3Day 2 A4Day 2 B5Day 4 C6Day 3 C7Day 1 B8Day 4 B9Day 2 C10Day 1 C11Day 3 B12Day 3 A13Day 1 B14Day 2 B15Day 4 A16少子寿命抽样措施 合用于16块多晶硅块 硅锭箭头方向 A1 C7 C13 C19 A25此图即为电阻率抽样检测措施