亚微米接触孔电迁移失效分析教案资料.docx
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1、此文档收集于网络,如有侵权请联系网站删除据 IH S isup p l i 公 司 研 究 分 析 , 继 2 0 10 年 增 长 4 1% 之 后 ,2 0 1 1 年 全 球 电源 管 理 半 导 体 市 场 销 售 额 增 长 速 度 将 明 显 放 慢 ,但 仍 将 保 持 两 位 数 的速 度 。Z O n 年 全 球 电源 管 理 半 导 体 销 售 额 将 升 至 3 62 亿 美 元 , 比 20 10 年 增 长 13% 。2 01 1 年 每 个 季 度 都 将 保 持 增 长 们。2 0 0 9 年 全 球 车 用 半 导 体 市 场 增 长 受 到 发 生 来 自 2
2、 0 08 年 底 金 融 风 暴 的冲 击 , 而 使 得 市 场 较 20 08 年 下 滑 22% ,为 157 亿 美 元 。2 0 10 年 , 随 着 全 球 经 济 情 势 趋 于 稳 定 ,车 用 半 导 体 市 场 同 步 回 升 ,较 2009 年 增 长 36% ,达 到 21 4 亿 美 元 。 而 未 来 受 惠 于 环 保 节 能 的 市 场 趋 势 及 新 兴 市 场 汽 车 销 售 量 的 大 幅 扬 升 ,将 可 持 续 拉 升 全 球 车 用 半 导 体 市 场 的 增 长 。全 球 车 用 半 导 体 市 场 200 9 年 下 滑 后 , 2 0 10
3、年 一20 14 年 将 呈 现 连 续 5 年 上 扬 局 面 ,至 2 0 14 年 产 值 可 达 到 2 57 亿 美 元 5,。冬莎犷三筑)3 3臀、外外一一-镶丢潇 氮 球 鸡 嫂 李 弩 纬 粼 毓乃,今 一 :理 轰 ;薪2 ,落 入 哭 煞 ” 瓜动 飞之。帕别 :巷念。侧初 : 之劫 傀32 。:4;图 1. 1 : 2 。9 、2 0 14 全 球 车 用 半 导 体 市 场电源 管 理 半 导 体 和 车 用 半 导 体 在 集 成 电路 制 造 业 中一 直 具 有 稳 定 市 场 ,且 有 缓 慢 上 涨 的趋 势 。电源 管 理 半 导 体 和 车 用 半 导 体
4、 的 主 要 芯 片 来 源 是 功 率 场 效 应 管 和 逻 辑 控 制 器 件 ,其 主 要 工 艺 技 术 节 点 的 是 特 征 尺 寸 为 0. 35 微 米 的 亚 微 米 制 造 工 艺 。功 率 场 效 应 管 芯 片 的需 求 量 一 直 是 最 大 的 ,但 同 时其 芯 片 面 积 小 ,因而 转 移 到 8 英 寸 厂 后其 晶 圆 需 求 量 降低 。而 逻 辑 控 制 器 件 芯 片 面 积 较 大 ,特 别 是 应 用 于 车 用 半 导 体 的汽 车 电子 芯 片 , 由于 其 可 靠 性 要 求 高 , 价 格 一 直 比 同类 产 品 高 。 随 着 原
5、先 主 要 生产 亚 微 米 工 艺 和 微 米 工 艺 的 5 英 寸 、6 英 寸 厂 的 陆 续 关 闭 ,使 得 作 为 其 主 要 产 能 的 亚 微 米 产 品 都 转 移 到 了 8 英 寸 厂 来 生 产 。国 内 集 成 电 路 公 司 都 在 发 展 其 在 亚 微 米 工 艺 市 场 上 的 份 额 , 特 别 是 车 用 半 导 体 市 场 。但 是 可 靠 性 的 问题 使 得 中 国半 导 体 制 造 业 难 以扩 大汽 车 电子 芯 片 市 场 。虽 然 中 国汽 车 电子 市 场 近 年 来 也 随 着 中 国汽 车 产 业 一 起 进 入 快 速 发 展 时
6、期 ,但 我 国汽 车 电子 芯 片 技 术起 步 较 晚 ,基 础 薄 弱 , 由外 资 企 业 占据 着 市 场 和 技 术 的 决 定 权 。 尽 管 国家 和 地 方 政 府 发 展 汽 车 电子 行 业 的举 措 加 大 ,但 汽 车 电子 类 IC 市 场 仍 被 国 外 厂 商 所 占据 : 英 飞 凌 、 瑞 萨 、 飞 思 卡 尔 、 意 法 半 导 体 、NX P 、 博 世 、 德 州 仪此文档仅供学习和交流器 ,如 下 表 1. 1 所 示 全 球 汽 车 芯 片 市 场 份 额 排 行 。表 1. 1:2009 年 全 球 汽 车 芯 片 市 场 份 额 排 行. .
7、犯缨 丝 哟释 片娜蝉 肺.2 0 0 9企 业虫卜名2 的 牙份 颤000000必目00英 飞 凌8 刀 %谁 萨 屯 子份,丘三么,1乙j卜照皿-弧孔外叭腮服溉跌飞卷 卡移1a6一85,了14贾 ;去半导 体N X P博 世污获j .线义器 月夏乏安 杀 美半 得 二体夏七 澎只 褚也本 土 芯 片 设 计 公 司 的 芯 片 产 品 ,大 多 数 并 不 符 合 汽 车 用 规 格 ,如 工 作 温 度 、 EM C 性 能 、通 讯 接 口标 准 等 要 求 ,也 没 有 经 过 国 外 专 业 公 司 严 格 的认 证 钡(试 。而 且 由于 没 有 大 批 量 产 应 用 的验 证
8、 ,很 难 获 得 模 块 开 发 商 以及 主 机 企 业 的 认 可 。不 同于 消 费 电 子 产 品 迅 速 的 更 新 换 代 , 汽 车 电子 产 品 一 定 要 在 10 一 巧 年 内 ,保 证 安 全 可 靠 。 因此 质 量 是 汽 车 电子 产 品 很 重 要 的考 验 。“汽 车 电子 产 品 与 工 业 应 用 的 区 别 在 于 ,前 者 稍 有 改 动 都 要 层 层 通 知 用 户 , 经 允 许 后 才 做 修 改 。”汽 车 电子 产 品 最 基 本 的要 求 是 零 缺 陷 系统 和 150/T S 16949 认 证 ,并且 由于产品可 靠 性 问题 对
9、 安 全 性 能 的 影 响 ,要 求 晶 圆 代 工 厂 有 完 整 的 质 量 管 理 体 系 、质 量 管 理 团 队 和 系 统 的 失 效 分 析 手 段 。近 年 来 , 国 内集 成 电路 公 司 陆 续 通 过IS 0/ TS 16949 汽 车 质 量 管 理 体 系 认 证 , 如 宏 力 半 导 体 、华 虹 NEC 和 中芯 国 际 等 。随 着 电迁 移 引 起 的 集 成 电路 可 靠 性 问题 日益 凸现 ,它 不 但 影 响 着 我 国 集 成 电 路 工 艺 水 平 的 提 高 , 也 不 利 于 晶 圆 代 工 厂 对 于 半 导 体 市 场 的 占领 与
10、开 拓 。第 三 节铝 接 触 孔 电迁 移 可 靠 性 的研 究电 迁 移 是 超 大 规 模 集 成 电 路 中 一 个 重 要 的 失 效 机 制 ,它 是 由 于 在 电 流 作 用 下 金 属 中 的 离 子 位 移 所 致 ,是 金 属 互 连 中 的 金 属 原 子 受 到 运 动 的 电 子 作 用 引 起 的 物 质 输 运 现 象 。它 首 先 表 现 为 电 阻值 的 线 性 增 加 ,到 一 定 程 度 后 就 会 引起 金 属 膜 局 部 亏 损 而 出现 空 洞 ,或 引起 金 属 膜 局 部 堆 积 而 出现 小 丘 或 晶须 。前 者 将 使 互 连 引 线 开
11、 路 或 断 裂 ,而 后 者 会 造 成 引 线 之 间 的 短 路 。 通 孔 是 多 层 互 连 系 统 中 的 一 个 脆 弱 环 节 ,它 的 稳 定 性 是 整 个 互 连 系 统 可 靠 性 的 关 键 。 铝 互 连 电迁 移 存 在 两 个 不 同 的 电迁 移 失 效 模 式 :通 孔 电迁 移 和 引 线 电迁 移 6,。对 于 亚 微 米 工 艺 的 逻 辑 控 制 器 件 ,金 属 连 线 一 般 只 有 一 至 两 层 ,而 功 率 场 效应 管 只 有 一 层 金 属 连 线 。所 以在 亚 微 米 工 艺 中 的 通 孔 电迁 移 失 效 主 要 是 接 触 孔
12、 电迁 移 失 效 , 其 实 质 是 硅 在 铝 中 的 电迁 移 而 形 成 渗 透 坑 导 致 的 失 效 。硅 在 铝 中 的 电迁 移 指 的 是 固 态 溶 解 在 铝 膜 中 的 硅 原 子 , 由于 分 布 不 均 匀 ,存 在 浓 度 梯 度 ,便 要 向外 扩 散 ; 如 有 大 电 流 密 度 通 过 时 ,电子 的动 量 也 要 传 递 给 硅 原 子 ,使 之 沿 电子 流 方 向移 动 ,即 产 生 电 迁 移 。这 种 电迁 移 在 高 温 下 更 容 易 产 生 , 当 电流 由铝 膜 并 通 过 A l一Si 界 面 流 入 硅 中 时 ,促 使 铝 中 的硅
13、 向铝 表 面 迁 移 ,从 而 加 剧 了接 触 窗 口下 硅 向铝 中 的 溶 解 ,使 硅 上 的渗 透 坑 变 深 , 以至 PN 结 短 路 。只 要 存 在 有 热 斑 或 者 说 存 在 高 温 、 高 的 温 度 梯 度 和 高 电流 密 度 的 区 域 ,在A1 一Si 界 面 就 可 能 发 生 A1 的 电 热 迁 移 。 这 种 迁 移 通 常 沿 5 1一5 102界 面 温 度 梯 度 最 大 、热 阻最 小,路 径 最 短 处 进 行 (呈 丝 状 渗 入 ) , 所 以 ,金 属 离 子 最 易 横 向迁 移 ,并 形 成 沟 道 。也 可 在 纵 向发 生 ,
14、硅 不 断 向 铝 中扩 散 ,远 离 界 面 向铝 表 面 迁 移 , 同 时 在 硅 中 留 下 大 量 空 位 ; 于 是 ,加 剧 了 A I一Si 接 触 处 铝 在 硅 中 的 电热 迁 移 使 A1 进 入 Si 后 的 渗 透 坑 变 深 变 粗 , 形 成 合 金 钉 , 严 重 时 可 穿 越 PN 结 使 之 短 路 。下 图 1.2 是 早 期 的 微 米 纯 铝 工 艺 中 ,硅 在 铝 中 的 电迁 移 形 成 过 程 。接 触 窗 蚀刻 并 清 洗 之 后 ,会 在 硅 表 面 形 成 一 层 很 薄 的 自然 氧 化 层 ,但 其 很 容 易 具 有 一 定 的
15、缺 陷 。 因 为 铝 对 二 氧 化 硅 具 有 一 定 的 穿 透 率 , 发 生 化 学 反 应4AI +3 5 102= 2A 12氏+3 5 1 ,且 其 穿 透 率 强 烈 依 赖 于 温 度 ,所 以硅 容 易 从 具 有 缺 陷 的 地 方 渗 透 进 铝 中 。由于 ,铝 在 硅 中几 乎 不 溶 ,而 硅 在 铝 中 具 有 一 定 的 溶 解 度 ,所 以硅 向 铝 中 的 固 体 溶 解 ,硅 中 留 下 了 大 量 空 位 , 加 剧 了铝 在 硅 中 的 电热 迁 移 ; 反 过 来 ,铝 中 空 位 浓 度 的 增 加 ,又 加 剧 了 硅 在 铝 中 的扩 散
16、和 电迁 移 。如 此 反 复 进 行 , 其 结 果 是 加 速 了铝一硅 界面 处 铝 、硅 原 子 的 相 互 渗 透 ,致 使器 件 失 效 。目 然 双 化 的 s 云0 *二 10 盖 5 10 ,接 触 窗精 洗 之 后余 。局 邪 裘 蚀开 给 热 处 理II热 处 理 过 拐图 1.2 : 渗 透 坑 形 成 过 程图 1. 3 : 功 率 场 效 应 管 面 渗 透 坑因 为 硅 片 晶 向 的 不 同 ,晶 向 (10 田 面 坑 深 ,形 成 的 渗 透 坑 近 于 四 边 形 : 面 坑 浅 ,坑 径 大 ,渗 透 坑 呈 三 角 形 ,如 上 图 1.3 所 示 。
17、对 于 接 触 窗 中 这 种 明显 的棱 角 型 的 缺 陷 ,在 工 艺 生 产 中我 们 将 其 称 之 为 结 尖 刺 。为 了解 决 纯 铝 互 联 线 在 使 用 中 出 现 的 电迁 移 及 应 力迁 移 等 问题 ,Pr ik D , 等 人 研 究 发 现 在 纯 铝 中 添 加 少 量 的 S i( 固 溶 度 以上 ) 可 以提 高 布 线 的 抗 电迁 移 和 应 力 迁 移 能 力 ,以及 铝 合 金 布 线 的 再 结 晶 温 度 ,采 用 超 高 纯 Al 一Si 合 金 金 属 化 工 艺 布 线 ,可 以 防 止 Si 在 A1 膜 布 线 里 溶 解 ,其
18、硬 度 也 比纯 铝 布 线 的 大 ,可 以有 效 减 少 表 面 划 伤 。室 温 下 Si 在 A1 中 的 固 溶 度 只 有 0 .0 5% ,Si 主 要 以共 晶 相 的 形 式 存 在 Al 基 体 中 ,对 超 高 纯 铝 靶 材 的 微 观 组 织 细 化 有 一 定 作 用 s。然 而 偏 析 、 粗 大 的共 晶第 二 相 将 导 致 A1 一Si 合 金 互 连 线 成 分 均 匀 性 的 降 低 ,在 薄 膜 退 火 工 艺 后 ,随 着 温 度 的 降低 ,Si 在 A1 中 的 固 溶 度 降低 而 析 出 ,沉 淀 于 A1 一Si 合 金 的 界 面 和 引
19、 线 孔 的 边 沿 ,形 成 外 延 分 层 ,。在 大 规 模 集 成 电路 及 超 大 规 模 集 成 电路 中 , 布 线 之 间 的 接 触 尺 寸 不 断 减 少 ,Si 的 析 出将 会 导 致 接 触 窗 口大 部 分 面 积 被 Si 覆盖 , 从 而 大 大 增 加 互 连 线 的 接 触 电 阻 。 随 着 金 属 化 工 艺 的 不 断 发 展 , 在 超 高 纯 A1 一5 1 合 金 里 面 添 加 少 量 的 Cu 元 素 ,能 更 好 地 改 善 Al 一Si 合 金 抗 电迁 移 的 能 力 , 同 时 在 薄 膜 退 火 工 艺 之 后 ,其 电 阻 也 将
20、 得 到 有 效 控 制 ,互 连 线 的 寿 命 也 将 大 大 增 加 。中 国 目前 的 半 导 体 行 业 存 在 着 大 量 5 英 寸 、6 英 寸 半 导 体 生 产 线 (大 于 0 .2 5um 的 亚 微 米 技 术 ) ,其 U Lv AC ,AN EA LVA 以及 V ar ian 溅 射 机 台 所 需 的 靶 材 成 分 一 般 为 超 高 纯 A l一1%5 1一0.5%C u 合 金 。虽 然 在 纯 铝 或 铝 合 金 中掺 入 硅 的 方 法 己在 过 去 被 成 功 应 用 ,但 它 在 超 大 规 模 集 成 电路 生 产 中应 用 不 适 合 。因
21、为 超 大 规 模 集 成 电路 的 浅 结 和 较 窄 的 金 属 线 难 以 容 忍 当 铝 一硅 膜 从 400 度 高 温 降 下 来 时 硅 的 沉 淀 。除 此 之 外 ,还 有 采 用 薄 铝 一厚 铝 蒸 发 工 艺 、 多 晶 硅 做 阻 挡 层 等 方 法 在 超 大 集 成 电路 亚 微 米 工 艺 中,在 铝 一硅 之 间加 入 T i/T IN 作 为 阻 挡 层 也 常 常 被 采 用 。 阻 挡 层 的 基 本 特 性 有 : 很 好 的 阻 挡 扩 散 特 性 ,和 分 界 面 两 边 材 料 的 扩 散 率 在 烧 结 温 度 时 很 低 ; 高 电 导 ,具
22、 有 很 低 的 欧 姆 接 触 电 阻 ; 在 半 导 体 和 金 属 之 间 有 很 好 的 附 着 ; 抗 电迁 移 ; 在 很 薄 并 且 高 温 下 具 有 很 好 的 稳 定 性 ; 抗 侵 蚀 和 氧 化 。本 论 文 就 是 亚 微 米 工 艺 中 , 对 T i/T IN 阻 挡 层 工 艺 相 关 的 结 尖 刺 研 究 。第 四节论 文 的 组 织 结 构本 文 的 组 织 结 构 如 下 :第 一 章 绪 论 介 绍 了课 题 研 究 的 背 景 和 意 义 ,简 单 阐 述 了 电 迁 移 可 靠 性 问 题 在 集 成 电 路 制 造 工 艺 中 的 重 要 性 ,
23、 综 述 了 通 孔 电迁 移 可 靠 性 问 题 的 现 象 和 研 究 现 状 。第 二 章 讨 论 了 系 统 化 的 失 效 模 式 与 影 响 分 析 (FM EA) 失 效 分 析 方 法 ,并 在 论文 实 验 中 应 用 。分 析 了接 触 孔 电迁 移 可 靠 性 测 试 方 法 ,并 设 计 用 于 中 测 的 接 触 孔可 靠 性 监 控 测 试 图 形 和 测 试 方 法 。第 三 章 针 对 实 际 产 品 接 触 孔 结 尖 刺 问题 ,介 绍 了 超 大 规 模 集 成 电路 中 亚 微 米 接 触 孔 工 艺 流 程 ,主 要 分 析 与 通 孔 电迁 移 可
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- 微米 接触 迁移 失效 分析 教案 资料
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