量子阱器件的研究.docx
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1、 量子阱器件的研究 秦慧娴【摘 要】 随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍了量子阱器件的历史现状,从两个角度阐述了它的基本原理,并从量子阱材料、量子阱激光器、量子阱红外探测器、量子阱在光通讯方面的应用等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及其应用。最后,阐述了量子阱器件未来的发展趋势。【关键词】 量子阱 光电子器件 MOCVD1.基本原理量子阱器件的基本结构是两块N 型 GaAs,中间夹一AlGaAs-GaAs-AlGaAs薄 层(如图一)。在未加偏压时,各个区域的势能如图二所示,从图中可以看出, 与中间的GaAs 对应的区域形成了一个势阱,故称为量子阱。电
2、子要从左边的N 型 区 ( 发射极 ) 进人右边的N 型 区( 集电极 ),必须穿透GaAl层进人量子阱,然后再穿透另一层AlGaAs1。从经典的观点看来,当电子的能量小于两个势垒的高度时(如图二),要穿透两 个 AlGaAs层是不可能的。但从量子力学的观点看来,由于隧道效应,电子有一定的概率穿透这两个阻挡层。2.应用1 .量子阱红外探测器2量子阱红外探测器(QWIP)是20世纪90年代发展起来的高新技术。与其他红外技术相比,QWIP具有响应速度快、探测率与HgCdTe探测器相近、探测波长可通过量子阱参数加以调节等优点。而且,利用MBE和MOCVD等先进工艺可生长出高品质、大面积和均匀的量子阱
3、材料,容易做出大面积的探测器阵列。正因为如此,量子阱光探测器,尤其是红外探测器受到了广泛关注。QWIP是利用掺杂量子阱的导带中形成的子带间跃迁,并将从基态激发到第一激发态的电子通过电场作用形成光电流这一物理过程,实现对红外辐射的探测。通过调节阱宽、垒宽以及AlGaAs中Al组分含量等参数,使量子阱子带输运的激发态被设计在阱内(束缚态)、阱外(连续态)或者在势垒的边缘或者稍低于势垒顶(准束缚态),以便满足不同的探测需要,获得最优化的探测灵敏度。因此,量子阱结构设计又称为“能带工程”是QWIP最关键的一步。另外,由于探测器只吸收辐射垂直与阱层面的分量,因此光耦合也是QWIP的重要组成部分。基于QW
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