GB 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范.pdf
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1、中华 人民 共 和 国 国家 标 准导子 半光电 体器件器 件 分规范GB 1 2 5 6 5 一 9 0Semi c onduc t or de vi c e sS e c t i o n a l s p e c i f i c a t i o n f o r o p t o e l e c t r o n i c d e v i c e s (可供认证用)范围1.1 半导体光发射器件 a 光电子显示器件;b 发光二极管(L E D);c 红外发射二极管(I R E D);d 激光二极管。1.2 半导体光敏器件 a 光敏二极管;b 光敏三极管;c 光控闸流晶体管。1.3 半导体图像器件。1.
2、4 光藕合器。2 总则 本规范应与其有关的总规范一起使用;本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节。2.1 有关文件 G B 4 5 8 9.1(I E C 7 4 7-1 0/Q C 7 0 0 0 0 0)半导体器件分立器件和集成电路总规范2.2 温度的推荐值(优选值)见I E C 7 4 7-1 半导体器件分立器件和集成电路第一部分总则 第6.5 条。2.3 电压和电流的推荐值(优选值)见I E C 7 4 7-1 第6.6 条。质f评定程序 初始的制造阶段和转包初始的制造阶段为下述之一:单晶半导体器件改变纯P 型或纯N型 单
3、晶半导体材料的第一道工序。b 多晶半导体器件国家技术监督局1 9 9 0 一 1 2-1 2 批准1 9 9 1 一 1 0-0 1 实施G B 1 2 5 6 5 一 9 0 在衬底上淀积多晶层。3.2 结构相似器件 器件型号按结构相似分组的关键依据是组内各种型号间的差别不影响试验结果。对本文件来说:结构相似器件是指由同一制造单位采用基本相同的设计和相同的材料、工序和方法制造的器件。通常仅因为制造上的变化使得它们被分为具有不同电特性、光特性或辐射特性的各种型号。为了获得鉴定批准和质量一致性检验所用的样品,半导体光电子器件可以按下述规则分组。附录 A(补充件)的图解释了这些规则的应用。3.2.
4、1 A组和(或))B组中电和光特性测试的分组 具有相同的器件设计、在同一生产线上制造的而差别仅在按电和光特性极限值进行分类的器件,应根据这些不同的电和光特性极限值(被分成各种型号)分为不同型号的子批。上述器件最好应包含在同一详细规范中,但是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采用的分组细节。3.2.1.1 不同的电和光特性极限值 对于那些适用于各子批的不同的电和光特性极限值的具体测试,每个子批应抽取与各子批器件数相应的样品量。上述具体测试的实例为:a 光敏器件按不同的光敏灵敏度分成各个子批;b 光祸合器按不同的输入传输比分成各个子批;c 发光器件按不同的发光或辐射强度分成各个子批。3.2
5、.1.2 相同的电和光特性极限值 对于那些适用于所有子批的相同的电或光特性极限值和测试条件的具体测试,用下述之一种测试评定总批:a 由所有子批的相等的或成比例的数量组成的一组样品;b 从总批中随机抽取的一组样品。3.2.2 B组和(或)c组中环境试验的分组 用相同方法封装的、具有相同内部机械结构基本型式、由相同零部件制成的、并经共同的密封和涂覆程序的器件,按下述可以认为是结构相似的。按规定抽取的一组样品可以评定该相似器件的总批。注:“相同零部件”系指按相同图纸或相同规范自 制的或购得的合格零部件3.2.2.1 相同生产线制成的器件 上述分组能适用的试验有:a 目检;b 尺寸;c.焊接:可焊性和
6、耐焊接热;d.引出端强度;e.腐蚀(例如稳态湿热);f.温度变化和湿热循环(或密封);S 振动;h.恒定加速度;i 冲击。注:“相同生产线”系指具有等效的设备、相同的工艺规程控制图或规范、使用相同零部件和材料、设置在同一厂 区并能生产相同器件的生产线。这些器件是指在相同生产线上制造的,并用相同零部件制成的管壳封装的。G B 1 2 5 6 5 一 9 03.2-2.2 不同生产线制成的器件 上述分组能适用的试验限于:a 目 检;b 尺寸;c.焊接:可焊性和耐焊接热;d.引出端强度;e.腐蚀(例如稳态湿热)。3.2.3 耐久性试验的分组 除在详细规范另有规范外,对于耐久性试验(例如电耐久性试验或
7、干热试验)而言,具有相同的器件设计、在相同生产线上制造的而差别仅在按电或光特性极限值进行分类的器件,应根据这些不同的电或光特性极限值分为各种型号的子批。根据第3.2.3.1 或3.2.3.2 条的规定,这些子批之一中的器件可用作电耐久性试验。上述器件最好应包含在同一详细规范中,但是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采用的分组的细节。3.2.3.1 在B 组(逐批)中 规定试验时 对于每种耐久性试验,倘若从下述规定的任一子批中抽取一组样品,则可以评定总批:a 被选子批的器件总数同具有较低额定值或不太严格的特性极限值的所有其他子批的器件总数之和,不少于所有子批总批量的6 0 写;b 在生产
8、过程中的前三个月内,应对总批中在该周期内提交检验过的、具有最高额定值或最严格的电或光特性极限值的子批抽取适当的样品量进行电耐久性试验。3.2.3.2 仅在c组(周期)中规定试验时 对于每种周期性耐久性试验,按照详细规范规定的样品量抽取的一组样品可评定总批,样品最好从器件数量最多的子批中抽取,而且应保证在较长的期限内适当轮换其他型号。3.3 鉴定批准的检验要求 应与本标准表5 和表6 规定的抽样要求一起,正常地采用Q C 0 0 1 0 0 2(程序规则 第1 1.3.1 条的方法 b)。但是,如果采用有关的空白 详细规范规定的抽样要求,则允许采用Q C 0 0 1 0 0 2 第1 1.3.1
9、 条的方法 a)。3.4 质量一致性检验3.4.1 组和分组的划分 应按下列各表划分组和分组:表 1 A组逐批分组检验或试验引用标准条件A1外部 目检GB 4 5 8 9.1,4.2.1.1A2 a不工作按规定A 2 b,A 3,A 4电和光特性有关标准按适用方法的规定G B 1 2 5 6 5 一 9 0 表2 B组逐批(关于 I 类,见 G B 4 5 8 9.1 第 2.6 条)分组检验或试验引用标准条件B1尺寸(互换性)按详细规范所给的外形图(也可见附录 B)B2 a电和光特性(设计参数)有关标准适用时,按规定B2 b其他电 和光特性有关标准适用时,按规定;例如高温测量B2 c电和光极
10、限值的验证有关标准适用时,按规定B3引出端强度G B 4 9 3 7 ,2.1按规定;例如引线弯曲“,B4可焊性GB 4 9 3 7,2.2.1按规定B5 a温度快速变化 继之以:湿热循环 或密封 GB 4 9 3 7,3.1S J/Z 9 0 1 6,4 3(I E C 7 4 9,1,4)GB 4 9 3 7,3.7按规定,取决于封装B5 b温度变化,S J/Z 9 0 0 1.4 5(I E C 6 8-2-1 4 1 )按规定 检查间 歇失效)B6恒定加速度GB 4 9 3 7,2.5按规定,取决于封装(如果空白 详细规范要求时)B7不适用B8电耐久性有关标准按规定方法,1 6 8 h
11、B9高温贮存GB 4 9 3 7,3.2在高温贮存温度下 1 6 8 hCR RL放行批证 明记录按空白详细规范中规定的计数数据注:1)半导体分立器件机械和气候试验方法。2)不适用于超小型器件。3)半导体器件机械和气候试验方法。4)仅适用于光藕合材料与芯片表面或内连引线直接接触的带尾纤器件。5)基本环境试验程序 试验 N 1 温度的变化。G B 1 2 5 6 5 一 9 0表3 C组 周期分组检验或试验引用标准条件C1尺寸按详细规范所给的图(也可见附录B)C2 a电和光特性(设计参数)有关标准按规定C2 b其他电和光有关标准按规定,例如在极限温度下测量C2 c电和光极限值的验证有关标准按规定
12、C2 a结到管壳的热阻有关标准按规定C3引出端强度GB 4 9 3 7,2.1按规定,例如拉力或转矩1)C4耐焊接热G B 4 9 3 7,2.2.2按规定C5温度快速变化 继之 以湿热循环 或密封GB 4 9 3 7,3.1S J/Z 9 0 1 6,4GB 4 9 3 7,3.7按规定,取决于封装C6机械冲击 或振动 继之以:恒定加速度GB 4 9 3 7,2.4GB 4 9 3 7,2-3GB 4 9 3 7,2.5按规定,取决于封装(如果空白详细规范要求时)C7稳态湿热 或湿热循环GB 4 9 3 7,3.5S J/Z 9 0 1 6,4按规定,取决于封装C8电耐久性 或等效的加速应力
13、试验有关标准按规定的 条件,1 0 0 0 hC9高温贮存G B 4 9 3 7,3.2在最高 贮存温 度下1 0 0 0 hC1 0低气压GB 4 9 3 7,3.3在本组或D组中规定C1 1标志的耐久性GB 4 9 3 7,4.2按规定CRRL放行批证明记录按空白详细规范规定的计数数据注:1)不适用于超小型器件。G B 1 2 5 6 5 一 9 03.5 D组试验 仅适用于鉴定批准。当要求时,应在空白详细规范中规定3.6 筛选 当在详细规范或订货单中规定筛选时,则应按表4 对生产批中的全部器件进行筛选。通常筛选在A组、B组和C组检验之前进行。当在符合A组和B 组逐批检验及C组周期检验的要
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