微型FBAR器件性能优化设计.pdf

第4 6卷 第1期压 电 与 声 光V o l.4 6 N o.12 0 2 4年2月P I E Z O E L E C T R I C S&A C OU S TOO P T I C SF e b.2 0 2 4 收稿日期:2 0 2 3-0 9-2 2 基金项目:浙江省自然科学基金(L Y 2 1 F 0 4 0 0 0 1)作者简介:周晓伟(1 9 9 7-),男,浙江省温州市人,硕士生。通信作者:吴秀山(1 9 7 4-),男,教授,硕士生导师,博士。文章编号:1 0 0 4-2 4 7 4(2 0 2 4)0 1-0 0 0 6-0 5D O I:1 0.1 1 9 7 7/j.i s s n.1 0 0 4-2 4 7 4.2 0 2 4.0 1.0 0 2微型F B A R器件性能优化设计周晓伟1,2,吴秀山2,孙 坚1,徐红伟1(1.中国计量大学 机电工程学院,浙江 杭州 3 1 0 0 1 8;2.浙江水利水电学院 电气工程学院,浙江 杭州 3 1 0 0 1 8)摘 要:利用有限元仿真软件建立了薄膜体声波谐振器模型,研究了不同谐振面积(3 6 0 01 0 0 0 0 m2)条件下,电极形状(矩形、梯形、圆形和正五边形)及变迹角(3 0、3 6、4 0 和4 5)对寄生谐振的影响,得到史密斯阻抗曲线和不圆度值,讨论了阶梯负载结构对横向声波泄露的抑制作用。仿真结果表明,电极形状为非正五边形,变迹角为4 0 时,对寄生谐振的抑制效果最好;在谐振面积为3 6 0 0 m2时,其不圆度为6.4 5%,与谐振面积为1 0 0 0 0 m2时矩形电极相当。设计的电极阶梯负载结构提升了并联谐振点处的品质因数,当电极横向尺寸为6 0 m时,二阶电极负载结构的品质因数为1 3 7 8,比无电极负载结构的品质因数高1 0.0 7%。关键词:薄膜体声波谐振器;有限元仿真;谐振面积;寄生谐振;品质因数中图分类号:T N 7 5 1.2 文献标识码:A P e r f o r m a n c e O p t i m i z a t i o n D e s i g n o f M i n i a t u r e F B A RZ H O U X i a o w e i1,2,WU X i u s h a n2,S U N J i a n1,X U H o n g w e i1(1.C o l l e g e o f M e c h a n i c a l a n d E l e c t r i c a l E n g i n e e r i n g,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y,H a n g z h o u 3 1 0 0 1 8,C h i n a;2.C o l l e g e o f E l e c t r i c a l E n g i n e e r i n g,Z h e j i a n g U n i v e r s i t y o f W a t e r R e s o u r c e s a n d E l e c t r i c P o w e r,H a n g z h o u 3 1 0 0 1 8,C h i n a)A b s t r a c t:U s i n g f i n i t e e l e m e n t s i m u l a t i o n s o f t w a r e,t h e f i l m b u l k a c o u s t i c r e s o n a t o r(F B A R)m o d e l w a s e s t a b-l i s h e d.T h e s t u d y f o c u s e d o n i n v e s t i g a t i n g t h e e f f e c t s o f d i f f e r e n t e l e c t r o d e s h a p e s(r e c t a n g u l a r,t r a p e z o i d a l,c i r c u-l a r,a n d r e g u l a r p e n t a g o n a l)a n d a p o d i z a t i o n a n g l e s(3 0,3 6,4 0,a n d 4 5)o n p a r a s i t i c r e s o n a n c e s u n d e r d i f f e r e n t r e s o n a n t a r e a s(3 6 0 0-1 0 0 0 0 m2).T h e s m i t h i m p e d a n c e c u r v e s a n d n o n-c i r c u l a r i t y v a l u e s w e r e o b t a i n e d.T h e s t u d y a l s o e x p l o r e d t h e s u p p r e s s i o n e f f e c t s o f s t e p p e d l o a d s t r u c t u r e s o n l a t e r a l a c o u s t i c w a v e l e a k a g e.T h e s i m u l a-t i o n r e s u l t s s h o w t h a t t h e n o n-r e g u l a r p e n t a g o n a l e l e c t r o d e s h a p e w i t h a a p o d i z a t i o n a n g l e o f 4 0 e x h i b i t s t h e b e s t s u p p r e s s i o n e f f e c t o n p a r a s i t i c r e s o n a n c e s.F o r t h e r e s o n a n t a r e a o f 3 6 0 0 m2,i t s n o n-c i r c u l a r i t y v a l u e i s 6.4 5%,w h i c h i s c o m p a r a b l e t o t h e r e c t a n g u l a r e l e c t r o d e a t a r e s o n a n t a r e a o f 1 0 0 0 0 m2.T h e d e s i g n e d s t e p p e d l o a d s t r u c-t u r e s i g n i f i c a n t l y e n h a n c e s t h e q u a l i t y f a c t o r a t t h e p a r a l l e l r e s o n a n c e p o i n t.W i t h a l a t e r a l d i m e n s i o n o f 6 0 m,t h e s e c o n d-o r d e r e l e c t r o d e l o a d s t r u c t u r e a c h i e v e s a q u a l i t y f a c t o r o f 1 3 7 8,w h i c h i s 1 0.0 7%h i g h e r t h a n t h a t o f t h e s t r u c t u r e w i t h o u t e l e c t r o d e l o a d.K e y w o r d s:f i l m b u l k a c o u s t i c r e s o n a t o r(F B A R);f i n i t e e l e m e n t s i m u l a t i o n;r e s o n a n t a r e a;p a r a s i t i c r e s o n a n c e;q u a l i t y f a c t o r 0 引言随着现代通信技术迈入5 G甚至6 G时代,其网络传输速率和数据承载能力获得极大提升,但由于开放的通讯频段增多,工作频率较高,导致移动通讯终端对射频滤波器数量和性能的需求增加1。目前每部移动通信终端的射频滤波器数量已超过6 0个。随着技术的不断发展,射频滤波器的数量将超过1 0 0个,这对移动通讯终端内部空间的利用提出了新的挑战2。薄膜体声波谐振器(F B A R)构成的滤波器具有高工作频率、微型化、集成化和低功耗等优点,且 其 制 备 工 艺 与C OM S工 艺 相 兼 容,因 此,F B A R成为5 G通讯系统的核心元件3。为了应对移动通讯终端内部紧张的空间以及射频前端元器件数量需求日趋增长的矛盾,F B A R器件必须小型化,同时在串联谐振频率(fs)和并联谐振频率(fp)处要求F B A R器件具有更高的品质因数(Q),以实现滤波器的高选择性和低插损。除膜层厚度影响外,F B A R的性能主要还受谐振面积的影响。欧姆损耗导致品质因数Qs在fs处降低,而横向声波泄露导致品质因数Qp在fp处降低。减小F B A R器件尺寸,欧姆损耗降低,有助于提升Qs,但 会 降 低Qp,影 响 滤 波 器 的 带 内 性能4。因此,在进行F B A R微型化研究与设计时,提高器件的Qp是重要指标之一。常用的F B A R研 究 与 设 计 方 法 主 要 是 基 于MB V D和M a s o n等一维模型,但一维模型仅考虑了声波的纵向传播,未考虑横向声波对器件的影响,而三维有限元模型可全面表征F B A R的电学特性,为F B A R器 件 的 研 究 和 设 计 提 供 了 更 准 确 的参考5。本文首先基于C o m s o l M u l t i p h y s i c s仿真环境建立了F B A R器件有限元模型,研究其在谐振面积为3 6 0 01 0 0 0 0 m2条件下,不同电极形状、电极变迹角度及边缘阶梯负载对F B A R谐振特性的影响。通过优化设计确保在不降低Q值的条件下,进一步实现F B A R的微型化,这为器件的优化设计提供了参考方案。1 F B A R的仿真建模1.1 F B A R有限元模型图1为F B A R器件模型示意图。各个膜层选用的材料和物理参数如表1所示,材料属性如表2所示。图1 F B A R器件模型示意图表1 F B A R器件模型参数膜层材料厚度/m顶电极M o0.1 5压电层A l N0.5底电极M o0.2支撑层/温补层S i O20.3 3 表2 F B A R器件材料属性参数材料密度/(k gm-3)杨氏模量/G P a泊松比纵波声速/(ms-1)声学损耗/(d Bm-1)A l N5 6 0 03 9 40.2 51 0 4 0 08 0 0Z n O5 6 8 03 5 00.3 96 3 4 02 5 0 0M o1 0 2 0 03 1 20.3 16 2 1 35 0 0S i2 3 2 91 5 00.2 76 2 5 3/S i O22 2 0 07 00.1 73 1 6 0/仿真实验中选用压电物理场模块,采用自由四面体网格划分方法,网格精度选择为“常规”。在F B A R模型 两侧边缘1 0 m处设置完 美 匹 配 层(PML),以模拟实际器件中声波远距离传输过程中的衰减情况。机械阻尼设置为0.0 0 1,阻尼类型为各向同性损耗因子,介电损耗因子为0.0 16。静电场的力学边界条件为顶电极施加电压1 V,底电极接地7。1.2 F B A R性能指标1.2.1 有效机电耦合系数有效机电耦合系数(k2e f f)用于表征压电器件中电能和机械能的转换能力,也间接量化了F B A R的带宽8,有k2e f f=24fp-fsfp (1)k2e f f主要受压电材料特性(压电耦合系数)的影响,同时也与谐振器的设计与工艺有关。1.2.2 品质因数品质因数用于表征压电器件存储的能量与1个周期中损失能量的比率,是谐振器损耗的衡量指标之一9,即:Qs,p=fs,p(d/d)m a g(S1 1)1-m a g(S1 1)2(2)式中:d/d为群延时;m a g(S1 1)为参数S1 1的幅值。Q值越高,谐振器能量损耗越低,则滤波器截止特性越好。1.2.3 不圆度值为了量化F B A R器件频率响应时的寄生波纹,将史密斯阻抗圆图上各点(u,v)拟合成一个圆,进行不圆度(N C)分析,得到NC值。在史密斯圆图中确定一个中心点(uc,vc),计算曲线上各点(u,v)到中心点(uc,vc)的距离r的均方差和均值,二者的比值即为不圆度(NC)值1 0:NC=(r)R1 0 0%(3)式中:(r)为r的均方差,r=(u-uc)2+(v-vc)2;R为r的平均值。2 谐振面积对F B A R谐振特性的影响为了研究在不同谐振面积下,F B A R电极形状对寄生谐振的影响,首先建立了F B A R三维有限元模型,F B A R各膜层参数和材料见表1。谐振面积分别 设 置 为3 6 0 0 m2、4 9 0 0 m2、6 4 0 0 m2、7 第1期 周晓伟等:微型F B A R器件性能优化设计8 1 0 0 m2和1 0 0 0 0 m2,电极形状设置为矩形、圆形、不规则四边形和正五边形。仿真得到史密斯阻抗曲线和NC值如图2、3所示。图2 不同电极形状史密斯阻抗示意图 图3 不同电极形状及谐振面积NC值由图2、3可知,从电极形状上看,矩形受寄生谐振模态的影响最显著,其他电极形状的寄生强度均有不同程度地降低,而正五边形寄生谐振的强度最小。与矩形相比,由于正五边形任意两边不平行,横向声波经过多次反射,传输路径增加,从而削弱了寄生谐振。而随着谐振面积的减小,史密斯阻抗曲线出现了更强的寄生谐振,NC值随之增加,说明面积的减少使声波传输路径变短,增强了横向杂散模式。当谐振面积减少到3 6 0 0 m2,电极形状为矩形时,性能恶化最严重,NC值为8.9 1%;电极形状为五边形时,性能恶化程度最低,NC值为7.3 2%,这与谐振面积为8 1 0 0 m2,电极形状为矩形时的NC值(7.2 8%)相当。3 不同变迹角对F B A R器件谐振特性的影响横向声波传播至电极边界时会发生多次反射,最终返回至边界的某一点。若增加声波传输路径中相同反射点的数量,则寄生谐振的强度也随之增加。设计不规则电极形状能更大程度地改善寄生谐振带来的性能恶化。因此,建立F B A R器件有限元模型,以正五边形的一个内角定义为变迹角,研究对F B A R寄生谐振的影响,如图4所示。F B A R各膜 层 参 数 和 材 料 见 表1,设 置 谐 振 面 积 为3 6 0 0 m2,分别为3 0、3 6、4 0 和4 5,仿真得到阻抗特性曲线、史密斯阻抗示意图和NC值如图5所示。图4 五边形变迹角示意图图5 不同变迹角的仿真结果图8压 电 与 声 光2 0 2 4年 由图5(a)可知,F B A R器件的fs、fp分别为3.4 7 GH z和3.5 4 GH z,的改变对F B A R的谐振频率影响可忽略,且与正五边形(=3 6)相比,阻抗特性曲线更平滑。由图5(b)、(c)可知,改变时,F B A R寄生谐振的强度出现明显衰减,寄生谐振的数量增加。当=4 0 时NC值最低(为6.4 5%),比正五边形(=3 6)的NC值降低了1 0.1 8%。这说明由于改变了电极形状的对称性,横向声波在传播过程中增加了反射路径,相同反射点的数量减少,降低了驻波形成的几率,从而使阻抗曲线更平滑。4 阶梯负载结构对F B A R器件谐振特性的影响“变迹”技术虽然可削弱F B A R器件中的寄生谐振强度,但也增加了寄生谐振的数量,导致Q值下降。另一方面,F B A R器件通常需要高声阻抗的金属电极,以保证得到较高的k2e f f,但也意味着金属电极层存在高电阻率,这是F B A R器件中损耗的来源之一,同时机械位移的不均匀分布也导致了Q值降低。因此,本文设计了一种阶梯边缘负载结构以提升F B A R的Q值,结构如图6所示。图6 F B A R一阶负载结构示意图各个膜层参数和材料见表1,谐振横向尺寸为1 0 0 m,为简化工艺制备流程,负载结构材料与顶电极相同。负载结构参数设置宽度w为02 m,步长0.1 m;高度t为0.1、0.1 5和0.2 m,仿真结果如图7所示。由图可知,当负载结构的t或w变化时,Qs整体趋于稳定,因为Qs与电极的欧姆损耗有关,引入负载结构对其影响不大。当t变化时,F B A R的Q值和k2e f f变化幅度较小,表明横向声波的抑制作用主要与w有关。当w增大时,Qp呈现先增加后降低的趋势,说明增加w能在一定程度上抑制横向声波的泄露,但不合理的设计会造成器件性能恶化。对比图7(a)-(c)可知,当t=0.1 5 m,w=1.4 m时,Qp最大(为1 5 5 6),提升幅度达到1 6.2 1%,故而设计的阶梯负载结构宽度w1.4 m。因此,在器件的工艺制备中,负载结构的t和w精确度是关键问题之一。图7 t不同时,对w参数化扫描仿真结果在一阶负载结构的基础上,根据布喇格反射原理进一步设计二级阶梯负载结构。通过设置双层不同高度的阶梯等效高、低声阻抗层,起到横向声学布喇格反射器的作用,进而达到反射横向兰姆波的目的,设计的二阶负载结构如图8所示。根据一阶负载的仿真结果,设置负载总宽度w=1.4 m,定义二阶负载结构各宽度及高度分别为w1=0.7 m,w2=0.7 m,t1=0.1 5 m,t2=0.3 m,仿真结果如表3所示。与无负载结构相比,二级阶梯负载Qp提升了约1 8.8 2%,但k2e f f从5.0 9%降低到4.8 1%,通过进一步优化压电层和顶电极的膜厚比可缓解该问题。图8 F B A R二阶负载结构示意图9 第1期 周晓伟等:微型F B A R器件性能优化设计表3 各类F B A R电极结构性能电极结构QsQpk2e f f/%fs/GH zfp/GH z无负载1 7 2 2 1 3 3 95.0 93.4 6 83.5 4 1单阶梯负载1 7 2 6 1 5 5 94.8 83.4 6 83.5 3 8二级阶梯负载1 7 2 6 1 5 9 14.8 13.4 6 83.5 3 7 如图9所示,随着F B A R电极横向尺寸的减小,Qs和fs始终趋于稳定,而Qp和fp呈周期性波动,Qp有下降趋势。其原因主要是当尺寸减小时,横向声波的泄露成为主要的损耗机制,造成Qp总体降低。但是不同的电极横向尺寸对波长的抑制能力不同,当电极横向尺寸接近半波长的整数倍时,声波发生全反射,此时器件能量损耗较少。随着电极横向尺寸的变化,横向反射的能量损失出现周期性变化,进而导致Qp和fp发生周期性波动。如图9(a)所示,二阶电极负载结构的Qp整体比无负载结构高,当电极横向尺寸为6 0 m时,二阶电极负载结构Qp为1 3 7 8,高于无电极负载结构1 0.0 7%,也高于无负载电极结构横向尺寸1 0 0 m时的Qp值(为1 3 3 9)。仿真结果表明,二阶电极负载结构能有效抑制横向声波泄露,提高F B A R器件的Q值。图9 不同横向尺寸下电极结构对Q值及谐振频率的影响5 结束语谐振面积是影响F B A R器件性能的一个重要因素,本文基于C o m s o l M u l t i p h y s i c s软件建立了F B A R有 限 元 模 型,讨 论 了 谐 振 面 积 在3 6 0 01 0 0 0 0 m2条件下,不同电极形状(矩形、圆形、不规则四边形和正五边形)、变迹角(3 0、3 6、4 0 和4 5)和电极负载结构对F B A R器件谐振特性的影响。研究表明,谐振面积越小,F B A R寄生谐振强度越大。当谐振面积为3 6 0 0 m2时,优化电极形状为非正五边形,=4 0 能有效削弱寄生谐振强度,其NC值低于谐振面积1 0 0 0 0 m2时矩形电极NC值。不同的谐振面积下,与无负载电极结构相比,二阶电极负载结构均可提升F B A R的Q值。结果表明,虽然谐振面积减少了6 4%,但F B A R的Qp和NC值仍未降低,这说明在不降低性能的条件下可使F B A R器件微型化。参考文献:1 欧阳佩东,衣新燕,罗添友,等.基于A l N的体声波滤波器材料、器件与应用研究进展J.人工晶体学报,2 0 2 2,5 1(增1):1 6 9 1-1 7 0 2.OUYAN G P e i d o n g,Y I X i n y a n,L UO T i a n y o u,e t a l.R e s e a r c h p r o g r e s s o f A l N-b a s e d f i l t e r s:m a t e r i a l s,d e-v i c e s a n d a p p l i c a t i o n sJ.J o u r n a l o f S y n t h e t i c C r y s-t a l s,2 0 2 2,5 1(S u p p l.1):1 6 9 1-1 7 0 2.2 杜波.空腔型体声波滤波器及其宽带化技术研究D.成都:电子科技大学,2 0 1 9.3 赵利帅,衣新燕,欧阳佩东,等.高品质因数薄膜体声波谐振器的仿真与制备J.压电与声光,2 0 2 3,4 5(1):1 8-2 0.Z HAO L i s h u a i,Y I X i n y a n,OUYANG P e i d o n g,e t a l.S i m u l a t i o n a n d p r e p a r a t i o n o f t h i n f i l m b u l k a c o u s t i c r e s o n a t o r w i t h h i g h q u a l i t y f a c t o rJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 2 3,4 5(1):1 8-2 0.4 N GUY E N N,J OHANN E S S E N A,R OO TH S,e t a l.T h e i m p a c t o f a r e a o n B AW r e s o n a t o r p e r f o r m a n c e a n d a n a p p r o a c h t o d e v i c e m i n i a t u r i z a t i o nJ.U l t r a s o n i c s,2 0 1 9,9 4:9 2-1 0 1.5 张玲玲,刘梦伟,李鉴,等.薄膜体声波谐振器横向杂散模式三 维 仿 真 分 析 J.压 电 与 声 光,2 0 1 7,3 9(3):3 2 7-3 3 0.Z HAN G L i n g l i n g,L I U M e n g w e i,L I J i a n,e t a l.3 D s i m u l a t i o n o f t h e s p u r i o u s l a t e r a l m o d e s o f F B A RJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 1 7,3 9(3):3 2 7-3 3 0.6 安再芳.S波段F B A R的性能研究及Q值优化D.西安:西安电子科技大学,2 0 2 1.7 张沂,孙延龙.单晶L N B AW谐振器有限元仿真研究J.压电与声光,2 0 2 2,4 4(1):2 6-2 9.Z HAN G Y i,S UN Y a n l o n g.F EM s i m u l a t i o n s t u d y o n s i n g l e c r y s t a l l i n e L N B AW r e s o n a t o rJ.P i e z o e l e c-t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 2 2,4 4(1):2 6-2 9.(下转第2 5页)01压 电 与 声 光2 0 2 4年 为了验证系统的可靠性,使用I KA公司的C-MAG H P 7电热板将S AW传感器从2 5 加热至1 0 0,每隔5 记录阅读器计算频率,重复3 0次求取平均值。最终测试数据和MAT L A B拟合计算结果如图1 0所示。图1 0 变温测试结果和拟合曲线实验过程中随着温度的升高,S AW传感器的谐振频率逐渐降低,符合负相关特性。使用拟合算法,最终得到S AW传感器谐振频率f和温度T的关系:f=-0.6 0 6 51 0-3T2-0.7 3 0 11 0-2T+4 2 7.1 2 5 8(2)4 结束语本文设 计 了 一 种 用 于 探 测 谐 振 型 无 线 无 源S AW温度传感器的阅读器系统。相比于传统分立器件方案,本文采用Z YNQ-7 0 2 0与A D 9 3 6 1的软件无线电设计。该设计缩减了硬件设计难度,并可自由切换工作频率,实现对多频段传感器的探测。数据收发、处理完全单机工作,无需上位机。后续可进行微型化、便携化。通过设计实验测试温度、计算频率的拟合曲线,验证了系统的有效性。针对回波信号持续时间较短,F F T计算精度不足,通过重复采样增加波形长度点数,提升探测分辨率。这为其他敏感度较低、谐振频率精度要求高的S AW传感器阅读系统提供了一种设计思路。参考文献:1 胡建学,赵俊,何利松,等.基于声表面波技术的高压开关柜温度监 测 系 统 J.压 电 与 声 光,2 0 1 4,3 6(2):2 1 4-2 1 6.HU J i a n x u e,Z HAO J u n,HE L i s o n g,e t a l.T e m p e r-a t u r e m o n i t o r i n g s y s t e m f o r h i g h v o l t a g e s w i t c h g e a r b a s e d o n s u r f a c e a c o u s t i c w a v e t e c h n o l o g yJ.P i e z o e-l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 1 4,3 6(2):2 1 4-2 1 6.2 Z HU Z,CHE N X,GUAN G M A,e t a l.R e s e a r c h a n d a p p l i c a t i o n p r o g r e s s o f p a s s i v e s e n s o r sJ.S m a r t G r i d 2 0 1 5,3(3):1 9 1-1 9 5.3 B R U C KN E R G,B A R D ONG J.W i r e l e s s r e a d o u t o f m u l t i p l e S AW t e m p e r a t u r e s e n s o r sJ.S e n s o r s,2 0 1 9,1 9(1 4):3 0 7 7.4 AK E E L A R,D E Z F OU L I B.S o f t w a r e-d e f i n e d r a d i o s:a r c h i t e c t u r e,s t a t e-o f-t h e-a r t,a n d c h a l l e n g e sJ.C o m-p u t e r C o mm u n i c a t i o n s,2 0 1 8,1 2 8:1 0 6-1 2 5.5 王睿,张万里,彭斌,等.谐振型S AW无线无源传感器的测试系统研究J.压电与声光,2 0 1 6,3 8(4):5 6 6-5 6 9.WANG R u i,Z HAN G W a n l i,P E N G B i n,e t a l.R e-s e a r c h o n t e s t s y s t e m f o r r e s o n a n t t y p e S AW w i r e l e s s p a s s i v e s e n s o r sJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 1 6,3 8(4):5 6 6-5 6 9.6 潘峰.声表面波材料与器件M.北京:科学出版社,2 0 1 2.7 章明琦.基于声表面波气体传感器的无线无源气体检测系 统 电 路 设 计 与 应 用 D.武 汉:华 中 科 技 大学,2 0 2 1.(上接第1 0页)8 D I N G R,X U A N W,D O N G S,e t a l.T h e 3.4 G H z B A W R F f i l t e r b a s e d o n s i n g l e c r y s t a l a l n r e s o n a t o r f o r 5 G a a p-p l i c a t i o nJ.N a n o m a t e r i a l s,2 0 2 2,1 2(1 7):3 0 8 2.9 N G U Y E N N,J OHA N N E S S E N A,R O O TH S,e t a l.A d e s i g n a p p r o a c h f o r h i g h-Q F B A R s w i t h a d u a l-s t e p f r a m eJ.I E E E T r a n s a c t i o n s o n U l t r a s o n i c s,F e r r o e l e c t r i c s,a n d F r e q u e n c y C o n t r o l,2 0 1 8,6 5(9):1 7 1 7-1 7 2 5.1 0P E N S A L A T,Y L I L AMM I M.S p u r i o u s r e s o n a n c e s u p p r e s s i o n i n g i g a h e r t z-r a n g e Z n O t h i n-f i l m b u l k a-c o u s t i c w a v e r e s o n a t o r s b y t h e b o u n d a r y f r a m e m e t h-o d:m o d e l i n g a n d e x p e r i m e n t.J.I E E E T r a n s a c t i o n s o n U l t r a s o n i c s F e r r o e l e c t r i c s&F r e q u e n c y C o n t r o l,2 0 0 9,5 6(8):1 7 3 1.52 第1期王其豪等:基于软件无线电方案无线无源S AW温度阅读器设计