20理想JFET的IV特性资料.pptx
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1、Physics of Semiconductor DevicesPhysics of Semiconductor DevicesJFETJFET特性分析特性分析5.25.2Physics of Semiconductor Devices1、JFET的静态特性2、小信号参数与等效电路3、JFET的截止频率4、沟道夹断后的JFET性能 OutlinePhysics of Semiconductor Devices一 JFET的静态特性低电压时,漏极电流与电压成正比。原点附近,曲线斜率是栅压的函数。夹断曲线JFETJFET的的I-VI-V特性特性Physics of Semiconductor De
2、vices多项式展开线性区的电流-电压方程:1、线性区上式反映了:1、漏极电流对漏极电压的线性依赖关系;2、栅压对I-V曲线斜率的影响。G0为没有任何耗尽层时的沟道电导Physics of Semiconductor Devices2、饱和区在夹断点,漏极和栅极上的偏置电压的大小满足条件:漏极电流和栅压的函数关系,反映了栅压对漏极电流的控制作用,称为JFET的转移特性。Physics of Semiconductor DevicesJFET的转移特性曲线IDSS栅极电压为零时的漏极饱和电流Physics of Semiconductor Devices即使y方向为任意非均匀的杂质分布,所有JF
3、ET的转移特性都落在两条曲线之间。在放大应用当中,JFET通常工作在饱和区,并且在已知栅电压信号时,可利用转移特性求得输出的漏极电流。实验发现:Physics of Semiconductor Devices二 小信号参数与等效电路1、线性区漏极导纳漏极导纳与外加栅电压的关系。这种特性使得JFET适用于作电压控制的可变电阻Physics of Semiconductor Devices2、线性区跨导Physics of Semiconductor Devices3、饱和区跨导线性输出导纳等于饱和跨导。Physics of Semiconductor Devices跨导的理论曲线和实验曲线的比较
4、跨导较小时,两者吻合较好;跨导较大时,误差较大,此时需考虑靠近源端和漏端的串联电阻的影响,必须对跨导理论公式进行修正。较小Physics of Semiconductor Devices具有漏电阻和源电阻的JFETPhysics of Semiconductor Devices4、交流小信号分析交流漏电压和交流栅电压叠加到相应的直流电压上,且假设JFET能跟得上交流电压的变化:或:第一项展开成泰勒级数,保留直流电压和交流电压的线性项,可得:分别表示沟道导纳和跨导Physics of Semiconductor Devices考虑源漏串联电阻的影响,其端电压-电流方程表示为:因此:对于小信号参数
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