模拟电子技术试卷及答案.doc
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1、-精品word文档 值得下载 值得拥有-模拟电子技术试卷一.填空题(每空1分,共30分)1P型半导体掺入 三 价元素,多子是 自由电子 ,少子是 空穴 。2PN结主要特性是具有单向导电性 ,即正 导通,反向 截止 。3三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结 反向偏置 。4在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的 放大 区;在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区,此时也称它工作在 开关 状态。5幅度失真和相位失真统称为 频率 失真,它属于 线性 失真。6功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 , 乙类 功率放大电路的效率最高。7放大电路中为了稳定静
2、态工作点,应引入 a (a.直流负反馈,b.交流负反馈)。8三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。9分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用,其原理是构成 电压串联 负反馈。10集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端 同相 ;后者的极性同输出端 反相 。11根据MOS管导电沟道的类型,可分为 PMOS 和 NMOS 型。二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)12345678910CDAB1常温下,硅二极管的开启电压约_V,导通后在较大电流下的正向
3、压降约_V;锗二极管的开启电压约_V,导通后在较大电流下的正向压降约_V。CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D ) A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型3在共射基本放大电路中,当
4、一定时,在一定范围内增大IE,电压放大倍数将( A)A) 增加 B) 减小C) 不变 D) 不能确定4如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路C) 减小工作点电流 D) 加大RC窗体顶端5功率放大电路按( A )原则分为甲类,甲乙类和乙类三种类型。A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同6理想集成运算放大器的放大倍数Au,输入电阻Ri,输出电阻Ro分别为( C )A) ,0, B) 0, C) ,0 D) 0,07正弦波振荡电路的起振
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