共轭高聚物双分子结构中激子电致解离的动力学研究.pdf
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1、第41卷第2 期2024年4月J.At.Mol.Phys.,2024,41:021008(6pp)共轭高聚物双分子结构中激子电致解离的动力学研究原子与分子物理学报JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICSVol.41 No.2Apr.2024邱宇(浙江师范大学物理与电子信息工程学院,金华32 10 0 4)摘要:通过绝热动力学方法,研究了共轭高聚物双分子结构中激子对外加电场的响应,当外电场强度超过某个临界值时,激子会被解离成一对自由的电子与空穴,对于双分子结构中的激子,其临界解离电场除了受电子与电子相互作用以及电声相互作用影响之外,还受分子间相互作用的影响:
2、由动力学演化的计算得到,激子临界解离电场强度随分子间相互作用强度的增大而呈非线性降低;随电子与电子相互作用强度的增大呈非线性减小的变化;但是,随电声耦合强度的增大却呈现出线性增大的变化。关键词:共轭高聚物;双分子结构;激子;电致解离中图分类号:0 56 1Dynamics study of electric field induced exciton dissociation in文献标识码:Aconjugated polymer bimolecular structureD0I:10.19855/j.1000-0364.2024.021008QIUYu(College of Physics
3、and Electronic Information Engineering,Zhejiang Normal University,Jinhua 321004,China)Abstract:By virtue of adiabatic dynamics method,the response of excitons upon an external electric field isstudied in a conjugated polymer bimolecular structure.As the electric field strength is over the critical v
4、alue,theexciton is dissociated into a couple of free electron and hole.For the excitons in a bimolecular structure,the crit-ical dissociation field is affected by the interaction of the molecules,as well as by the electron-electron interac-tion and the electron-phonon interaction.Due to the dynamica
5、l evolution calculations,the critical electric fieldstrength of exciton dissociation decreases nonlinearly as the interchain interaction increases.The critical dissocia-tion field strength also decreases nonlinearly with the increase of electron-electron interaction strength.Howev-er,the critical di
6、ssociation field strength increases linearly as electron-phonon interaction strength increases.Key words:Conjugated polymer;Bimolecular structure;Exciton;Electric field induced dissociation带10 11,这使得激子的状态及其稳定性会受到多1 引 言种因素的制约有机共轭高聚物是一种从自然界中获取相对便利的材料,所以其来源比较稳定价格也比较低廉又因其具有良好的电致发光性能,使其在有机发光器件的研发上承担着重要的角
7、色1-6,另一方面,该材料还具有较为独特的光伏特性7-,使其在电子工业中的应用更为广泛不论是电致发光特性还是光伏特性,在微观上都与激子密切关联,而该材料的一个普遍特征是具有较宽的禁收稿日期:2 0 2 2-10-10基金项目:纵向科研发展基金(KYZKYY14095)作者简介:邱宇,男,浙江人,主要从事凝聚态物理研究。E-mail:y q i u z j n u.e d u.c n材料光伏特性的应用需要解决的一个重要问题是,如何高效地将光激发所产生的激子解体,并分离成自由的电子与空穴,电场是一种常用解离激子的手段:这方面除了有大量的实验研究外12-18,也有一些相关的理论计算研究19-2 11
8、.由于高聚物材料的结构复杂性,光生激子的状态及其稳定性不仅会受到电声相互作用以及电子与电子相互作用的影响,还会受到分子间相互作用021008-1第41卷的影响,之前理论方面的研究侧重于较为基础的单分子模型,忽略了高分子之间的作用对激子稳定性的影响:本文采用双分子结构作为研究对象,通过绝热动力学计算方法,综合考虑多种微观相互作用的影响,分析受光激发后激子在外电场作用下发生解离的动力学过程,得出更为深入的关于激子稳定性的研究,2模型与方法理论计算基于拓展 Su Sc h r i e f f e r H e e g e r(SSH)模型10.11,有机高聚物双分子体系的哈密顿量可表示为:H=Hlo+
9、Hlu+Heou+Hje,Hdlo=-Zt.(cjin.Cjl,s+C.j.n)+j,n,sU十jnK2(uj,n+1-uj,)j.n原子与分子物理学报入=0.0 8 fs-1.密度矩阵p定义为:pin,n(t)=Z I j,n(t)fij,mu(t)/,(7)其中f(=0,1)代表特定能级上的电子占据数,该占据数在初始时给定,在之后的动力学演化过程中不再发生变化在绝热动力学过程中,瞬时波函数蚂,n满足定态薛定调方程:HY=&业.通过数值方法联立求解微分方程(6)式和(8)式,可获得各个演化瞬间的晶格形态、电子结构及电荷分布。晶格形态可以由交错序参量表示为:.=(4(1)电荷分布的状态可由电荷
10、密度函数获得:Pi.=Zpin.),(2)哈密顿量中的各参量取值11,2 3如下:K=21eV/A,M=1349.14 eV fs/A,t。=0.0 5 e V,t oi(3)M2j,n第2 期(8)(10)=2.5eV,=1.2 2 A.时间步长取为t=1 fs.n,n,s3结果和讨论Hpe=-Z le|E(na+uj.n)(cj.ncj.n-1).(5)j,n有机高分子是典型的宽带隙半导体材料,在其中,Hel.为免受外电场影响的电子哈密顿量,Hial为分子系统的晶格振动哈密顿量,Hco为分子之间的相互作用哈密顿量,Ht。为外加电场所对应的哈密顿量i=1,2代表两个不同链状分子的序号,c.n
11、(c j n.)表示具有自旋s(,)的电子在第个分子中的第n个格点上的产生(灭)算符。tn=to-(ujin+i-ujin))+(-1)l t e,t o 是常规晶格中相邻两格点间的电荷转移积分常数,ui,为第j个分子中第n个格点上重复单体的位移,为电声相互作用常数(-1)n+lt。为Brazovski-Kivova对称破缺项,该项的引人是为了消除非简并高聚物的基态简并2 2.U为格点上的库仑相互作用常数,K为分子晶格的弹性系数,M为晶格重复单体的质量tv是两个分子中序号分别为n和n的两个格点上的重复单体之间的电荷转移积分(表示链间耦合强度的大小).e为电子电量,E为电场强度大小,为晶格常数.
12、在动力学演化的过程中,分子中的最小重复单体的位移满足牛顿位移约束方程:Mij,n=-K(2uj,n-ulj+-ulj,n-1I)+2(pin,+1-jin,n-1)-Mij,.其中入为相应的阻尼系数,其引人使得电子和晶格体系的动力学演化更贴近实际过程计算中取高频的光照下,价带上的电子被激发至导带上,于是,在导带上产生了自由电子,而相应地,在价带上便生成了自由空穴,最基本也是发生概率最高的激发跃迁是价带顶(Highest occupied molec-ular orbit(H O M O)至导带底(Lowest unoccupiedmolecular orbit(LU M O)的电子跃迁对于有机
13、共轭高分子,由于电声相互作用较强,电子和空穴会诱导周边的晶格发生畸变,进而在空间中形成一个势阱,电子和空穴在电声相互作用以及库仑相互作用的共同作用下被深深地束缚在势阱中,形成激子:对于有机双分子,激子的激发模式对于激子的稳定性和最终形态有着重要的影响,对于从HOMO到LUMO的电子跃迁,分子内激子的生成概率更大2 3.为了讨论激子在外场作用下的响应,考虑一个开放的耦合双分子链结构,每个分子链皆由120个重复单体构成,每个分子上的对应部分通过链间相互作用联系在一起:对于开放链结构12 1.2 3,激子,极化子,大极化子等元激发通常会在分子链中心形成图1给出了电子被光激(6)发并发生从HOMO到L
14、UMO的跃迁后所生成的激子的形态图1中上图给出的是晶格发生畸变后的位形状态,下图虚线给出的是相应的电荷分布021008-2第41卷0.00-0.02-0.04-0.06一0.80.40.0-0.4-0.81图1不受外电场影响,电子发生从HOMO至LU-MO 的跃迁所生成的激子形态(tv=0.1eV)Fig.1 Configuration of the exciton resulted from elec-tronic transition from HOMO to LUMO in theabsence of extermal electric field.(ty=0.1eV)状态可以看出在第一
15、条分子链上几乎保持着二聚化的晶格形态,2 4,而在第二条链的中心位置则明显发生了晶格畸变,说明这是一个分子内激子,激子主要局域于第二个分子链的中心处从下面的电荷分布图可以看出,分子整体仍然保持着电中性,这是由于电子和空穴总是被成对激发的,在不受外界干扰的情况下,激子不会发生极化但是,当在高分子上加上一个沿着分子链伸展方向上的电场时,激子立刻会发生极化极化的程度随着电场的增强而增大当电场强度超过某个临界强度时,激子会发生解体,最终导致一对自由的电子极化子和空穴极化子的形成。图2给出了外电场强度超过临界电场强度的情况下,激子被解离后的分子晶格形态以及分子体系的电荷分布状态上面的子图显示,在两个分子
16、的左右端各形成了一个晶格畸变中心,对应着两个独立的元激发结构,很明显,这是体系处于能量最低的稳定态所呈现的结果:再由图2 的下图可看出,分子链1左端被束缚的是一个电子,而分子链2 右端被束缚的一个空穴,所以综合起来,激子在外场作用下发生解体后,形成了自由的电子和空穴,电子和空穴在电场作用下迅速到达两个分子链的左右端,又在强电声相互作用的影响下,邱宇:共轭高聚物双分子结构中激子电致解离的动力学研究Chain1Chain2120Chain11-120Siten第2 期各自在链端形成了电子极化子和空穴极化子。-0.02-0.03-0.04-0.05120-0.0610.080.040.00-0.04
17、Chain 2120021008-3Chain1-0.08Chain11图2 不在电场(E=4.9mV/A)作用下,激子解体后在链端生成自由的电子极化子和空穴极化子.Fig.2Configuration of the free electron polaronand hole polaron at the chain ends resul-ted from the exciton dissociation in thepresence of external electric field E=4.9mV/A.5.45.25.04.84.64.44.2F4.03.80.04图3给定=4.1leV
18、/A,U=0,激子临界解离电场强度关于链间耦合强度的变化曲线:Fig.3Given =4.leV/A and U=O,curve ofcritical exciton dissociation field strength withrespect to interchain coupling strength.在有机双分子中,激子的生成受到分子之间的相互作用,电子一电子相互作用以及电声相互作用的影响,激子的解体明显也会受到这些因素的影响下面将讨论激子的临界解离电场对各个影响因素的变化规律首先,固定电子电子相互作用以及电声相互作用强度,研究激子的临界解离电场随分子之间的相互作用强度的变化规律。C
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