模拟集成电路设计试卷.doc
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1、1、与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按_比例_缩小,CMOS电路被证明具有_较低_的制造成本。2、 放大应用时,通常使MOS管工作在_ 饱和_区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,值_较小_(较大、较小)。4、源跟随器主要应用是起到_电压缓冲器_的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高,因此可以做成_恒定电流源_。6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素,共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。7、理想情况下,_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影
2、响,实际应用中,为了抑制沟长调制效应带来的误差,可以进一步将其改进为_共源共栅电流镜_结构。8、为方便求解,在一定条件下可用_极点结点关联_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示,电路的输入电容Cin为_ CF(1A)_。10、为沟长调制效应系数,值与沟道长度成_反比_(正比、反比)。二名词解释(每题3分,共15分)1、阱解:在CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。2、亚阈值导电效应解:实际上,VGS=VTH时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至
3、当VGSVTH时,ID也并非是无限小,而是与VGS呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。3、沟道长度调制解:当栅与漏之间的电压增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小,也就是说,L实际上是VDS的函数,这种效应称为沟道长度调制。4、等效跨导Gm解:对于某种具体的电路结构,定义为电路的等效跨导,来表示输入电压转换成输出电流的能力5、米勒定理解:如果将图(a)的电路转换成图(b)的电路,则Z1=Z/(1-AV),Z2=Z/(1-AV-1),其中AV=VY/VX。这种现象可总结为米勒定理。6、N阱:解:CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,若衬底为P型,则PMOS管要做在一个N型的“局
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