北京理工大学《887电子科学与技术基础》历年考研真题汇编.pdf

目录2016年北京理工大学887电子科学与技术基础考研真题（回忆版）2012年北京理工大学887电子科学与技术基础考研真题（回忆版）2010年北京理工大学887电子科学与技术基础考研真题（回忆版）北京理工大学887电子科学与技术基础考试大纲2016年北京理工大学887电子科学与技术基础考研真题（回忆版）2012年北京理工大学887电子科学与技术基础考研真题（回忆版）2010年北京理工大学887电子科学与技术基础考研真题（回忆版）北京理工大学887电子科学与技术基础考试大纲887电子科学与技术基础1考试内容（1）电子技术基础部分主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念：正、负反馈；电压、电流、串联、并联负反馈；掌握反馈类型和极性判断，引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器，用电压比较器组成的非正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则；逻辑代数的表示方法及相互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。（2）电磁场理论部分主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度，以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性，题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为：矢量分析：三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质；静电场：库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力；恒定电场和电流：恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比；恒定磁场：安培磁力定律和毕奥-沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件；静态场的边值问题：拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法；电磁感应：法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量；时变电磁场：位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件；平面电磁波：理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射；导行电磁波：矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔；电磁波辐射：赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。（3）半导体物理部分主要包含半导体中的电子状态；半导体中的电子状态和能带、电子的运动，本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构；半导体中的杂质和缺陷能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级；半导体中载流子的统计分布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体；载流子的位移与扩散运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射，耿氏效应；非平衡载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，连续性方程；PN结的伏安特性，PN结电容，击穿；金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触；表面态，表面场效应，C-V特性，表面电场对PN结特性的影响；半导体的光学性质，光电性质，发光现象，半导体激光器；半导体的热电性质，温差电动势率，热电效应及其应用；半导体磁效应和压阻效应。2考试要求（1）电子技术基础部分要求全部考生必做；（2）电磁场理论部分（A）要求报考02 电磁仿真与天线、03 毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做；（3）半导体物理部分（B）要求报考04 微电子与集成电路方向考生必做；（4）报考其他方向考生可任选A或B。3题型及分值安排（1）题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义，计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。（2）分值安排：简答题占40%，计算题占60%。参考书目（1）模拟电路基础；（2）半导体物理学；（3）电磁场理论基础。（1）北京理工大学出版社；（2）国防工业出版社；（3）北京理工大学出版社。（1）吴丙申，卞祖富；（2）刘恩科，朱秉升，罗晋生等；（3）陈重，崔正勤。（1）1997；（2）1994；（3）2003。