STI及WPE问题及版图注意项目.docx
《STI及WPE问题及版图注意项目.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《STI及WPE问题及版图注意项目.docx(16页珍藏版)》请在咨信网上搜索。
1、STI及WPE问题及版图注意分locos隔离和STI隔离Locos隔离是厚氧隔离,STI是浅沟道隔离STI概念STI是Shallow Trench Isolation缩写,STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件隔离,在它周围必需形成绝缘侧壁,在较为优异CMOS工艺制成中,通常见STI方法来做隔离。浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直凹槽。该凹槽侧壁被氧化,然后淀积多晶硅填满凹槽剩下部分1。在substrate挖出浅槽时会产生压力问题。因为扩散区到MOS管距离不一样,压力对MOS管影响也不一样。所以对于相同长宽两个MOS管,因为对应扩散区长度不一样而造成器件
2、性能不一样。第四组:用固体能带理论来解释导体、半导体、绝缘体简单来说,绝缘体理论上是不导电,就是说你随便怎么加电,全部没有电流产生,因为绝缘体中是没有自由电子;导体导电性好,只要加电,就会产生电流,因为导体中有大量自由电子,在电场作用下朝一个方向移动,产生电流;半导体相对复杂部分,不一样半导体导带中自由电子数量不一样(即使不一样导体自由电子也不一样,但平均来说,半导体自由电子量级是远远低于导体),如本征半导体,导电性很差,因为电子和空穴数目相等,而掺杂半导体依据掺杂类型不一样,P型中空穴较多,N型中电子较多,这么在电场作用下就会产生电流。深入到具体理论,需要从能带角度来解释,这个相对要深部分。
3、本征半导体在绝对零度是不导电,因为导带中没有电子,在温度、光照等作用下,价带电子跃迁到导带形成自由电子,价带中形成空穴,这就是电子空穴对;掺杂半导体杂质原子提供电子或空穴。而导体导带是半满带,本身就有大量自由电子,不需要激发跃迁,所以导电性好。绝缘体因为禁带宽度很大,所以价带上电子极难跃过禁带跃迁到导带,导带上没有电子就不导电。第五组:什么是Bipolar工艺,什么是Cmos工艺,什么是Bi-cmos工艺,什么是BCD工艺双极器件,bipolar,是以PN-PN结为基础器件 CMOS指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同组成互补型MOS集成电路制造工艺,它特点是低功耗。因为CMOS中一
4、对MOS组成门电路在瞬间看,要么PMOS导通,要么NMOS导通,要么全部截至,比线性三极管(BJT)效率要高得多,所以功耗很低。BCD工艺概述 Overview of BCD Process 是一个单片集成工艺技术。1986年由意法半导体(ST)企业率先研制成功,这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar,CMOS和DMOS 器件,称为BCD工艺。了解BCD工艺特点,需要先了解双极管 bipolar,CMOS和DMOS器件这三种器件特点,详见表1。$ j& D, P k1 D( g 表1 双极管Bipolar,CMOS和DMOS器件特点 器件类别 器件特点 应用 双极器件 两种载流子全部
5、参见导电,驱动能力强,工作频率高,集成度低 模拟电路对性能要求较高部分(高速、强驱动、高精度) 3 1 n$ 6 h# s7 Y CMOS器件 集成度高,功耗低 适合做逻辑处理,部分输入,也能够做输出驱动 DMOS器件 高压大电流驱动(器件结构决定漏端能承受高压,高集成度可在小面积内做超大W/L) 模拟电路和驱动,尤其是高压功率部分,不适合做逻辑处理.) BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗优点,使其相互取长补短,发挥各自优点。更为关键是,它集成了DMOS功率器件,DMOS能够在开关模式下工作,功耗极低。不需要
6、昂贵封装和冷却系统就能够将大功率传输给负载。低功耗是BCD工艺一个关键优点之一。整合过BCD工艺制程,可大幅降低功率耗损,提升系统性能,节省电路封装费用,并含有愈加好可靠性。 第六组:衬底噪声产生原因,及处理方法衬底噪声产生原因:源、漏-衬底pn结正偏导通,或电源连线接点引入串绕,使得衬底电位会产生抖动偏差,这称为衬底噪声。 处理方法: 对于轻掺杂衬底,要用保护环把敏感部分电路包围起来 把gnd和衬底在片内连在一起,然后由一条线连到片外全 局地线,使得gnd和衬底跳动一致,也能够消除衬底噪声。 场屏蔽作用:每个block外围一层金属(ptap),使每单元 模块同电势,而且模块之间不相互影响。
7、第七组:什么是WPEWPE概念在离子注入制造工艺时,原子从掩模板边缘开始扩散,在阱边周围地方硅片表面变得密集,图2所表示。结果就是,阱表面浓度会伴随距离掩模板边缘远近而有所不一样,所以整个阱掺杂浓度是不均匀,图2中a)所表示。这种不均匀造成MOS管阈值电压不一样,还有其它电性能也有所不一样,它会伴随距离阱边距离不一样而不一样,图2中b)所表示。这种现象就是我们常说阱邻近效应(WPE:Well Proximity Effect)2。Wpe: 井邻近效应(well edge proximity(靠近、邻近、感应器)effect)WPE效应根本原因是: 植入离子在光阻材料上发生了散射,在光阻边缘,
8、散射离子进入到阱硅表面,影响了边缘区域掺杂浓度。考虑WPE影响关键表现在三个方面:阈值电压、迁移率及体效应。CMC(Compact Model Council)紧凑模型协会对WPE模型进行了拓展。上述定义较为宽泛,因为通常来讲应该有三种情况:1,形成N型阱;2,形成P型阱;3,形成深N型埋层;在另一资料中有这么说明:深阱为闩锁效应保护提供了低电阻路径,而且抑制了双极型增益,深埋层也是NMOSFET隔离三阱关键。然而,深埋层影响了光阻边缘器件。部分离子在光阻上散射到光阻边缘硅表面上,改变了这些器件阈值电压。据观察阈值偏差能够达成20-100mV,横向范围约3-10um, 在硼深反型P阱中,磷深反
9、型N阱中及被三阱隔离P阱中全部能够观察到。需要注意是: 深埋层次序在不一样工厂会有所不一样,比如IBM:STI - NW - PW - DNW,TSMC:STI - DNW - PW - NW。相对而言,TSMC深埋层对隔离P型阈值影响要小些。怎样降低或避免WPE/STI效应对IP模块设计影响伴随深亚微米工艺发展,CMOS制造工艺对设计影响也越来越大。在0.18um以前全部能够忽略工艺影响,在工艺一步一步发展情形下,制造工艺所带来影响变成了芯片设计中不可忽略原因。本文诠释了制造工艺两个关键效应:STI、WPE。经过对两种效应分析,提出了在芯片设计阶段考虑它们必需性。尤其是针对IP模块等级设计,
10、本文给出了在电路设计阶段和版图设计阶段时,怎样减小或避免这两种效应方法,而且分析和讨论这些方法优缺点。STI概念STI是Shallow Trench Isolation缩写,STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件隔离,在它周围必需形成绝缘侧壁,在较为优异CMOS工艺制成中,通常见STI方法来做隔离。浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直凹槽。该凹槽侧壁被氧化,然后淀积多晶硅填满凹槽剩下部分1。在substrate挖出浅槽时会产生压力问题。因为扩散区到MOS管距离不一样,压力对MOS管影响也不一样。所以对于相同长宽两个MOS管,因为对应扩散区长度不一样而造成器
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- STI WPE 问题 版图 注意 项目
1、咨信平台为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,收益归上传人(含作者)所有;本站仅是提供信息存储空间和展示预览,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿,我们不确定上传用户享有完全著作权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果侵犯了您的版权、权益或隐私,请联系我们,核实后会尽快下架及时删除,并可随时和客服了解处理情况,尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确),网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据,平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺,下载前须认真查看,确认无误后再购买,务必慎重购买;若有违法违纪将进行移交司法处理,若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传,付费前请自行鉴别,如您付费,意味着您已接受本站规则且自行承担风险,本站不进行额外附加服务,虚拟产品一经售出概不退款(未进行购买下载可退充值款),文档一经付费(服务费)、不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印,是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已,我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改,文档下载后都不会有水印标识(原文档上传前个别存留的除外),下载后原文更清晰;试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓;PPT和DOC文档可被视为“模板”,允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得,本站不作要求视为允许,下载前自行私信或留言给上传者【天****】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用;网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽--等)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题,请及时私信或留言给本站上传会员【天****】,需本站解决可联系【 微信客服】、【 QQ客服】,若有其他问题请点击或扫码反馈【 服务填表】;文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“【 版权申诉】”(推荐),意见反馈和侵权处理邮箱:1219186828@qq.com;也可以拔打客服电话:4008-655-100;投诉/维权电话:4009-655-100。