复合材料单晶生长热场系统项目可行性研究报告-优秀甲级资质可行性研究报告.doc
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1、-第一章 总 论受*有限公司的委托,我们对*复合材料单晶生长热场系统项目可行性进行了研究,通过对该项目所在地区的市场、环境、交通、电力、给排水、通讯等条件进行调查,收集有关基础资料,并与建设单位交换意见,在认真调查和分析资料的基础上编制了*复合材料单晶生长热场系统项目可行性研究报告。(一)项目背景1、项目名称项目名称:*复合材料单晶生长热场系统项目2、承办单位概况德山经济技术开发区*新材料有限公司属股份制企业,由湖南省星沙实业(集团)发展有限公司、蒋建纯教授共同出资成立。其中,蒋建纯教授以其拥有的居国际先进水平的专利技术作技术出资。生产基地位于德山经济技术开发区内,占地30亩,花园式工业区,是
2、星沙实业集团下属单位。主要从事新材料的开发及生产蒋建纯女士系中南大学粉末冶金学院、博士生导师,蒋建纯教授领导的科研队伍在该领域居于国际领先地位。新材料公司以蒋建纯教授拥有的专利知识产权技术和雄厚的研发实力为依托,通过整合人才、技术与市场优势,构筑新材料基地。新材料公司计划投资5亿元人民币,建设*复合材料200吨/年、炭/石墨材料4000吨/年的生产线,实现年工业产值2亿元人民币以上。并且新材料公司计划以此为产业基础,通过3年的时间,使公司的产品能够覆盖国内大部分或全部的硅单晶生长炉的热场系统,逐步进入国外硅单晶炉热场系统市场;努力开发新产品,扩大该新材料的应有领域,使其应有到其他的晶体生长设备
3、及相关的高技术领域。3、可行性研究报告编制依据(1)投资项目可行性研究指南(中国电力出版社);(2)项目建议书及批复文件(批准文号);(3)合资双方签定的合资意向书及有关会议纪要;(4)业主提供的有关资料;(5)国家、湖南省、常德市国民经济和社会发展第十个五年计划;(6)常德经济技术开发区产业发展规划;(7)国家计委、建设部颁布的建设工程项目经济评价方法与参数;(8)其他文件、协议等。4、项目提出的理由与过程当今世界新材料的发展日新月异,特别是电子、通讯等相关领域发展迅猛,对硅材料需求十分旺盛。数十年以来,硅材料行业一直以“提高硅单晶的尺寸和质量”为主要目标,先后生产了4、5、6、8、12、1
4、6、18英寸硅片。据最新的国家半导体技术(ITRS)介绍,直径18英寸硅单晶抛光片是12英寸的下一代产品,也是未来22nm线宽的64G集成电路的衬底材料。集成电路产业是信息产业的核心,全世界以集成电路为核心的电子元器件,95%以上是硅材料制成的,其中直拉硅单晶的用量超过85%。随着超大规模集成电路集成度的迅速提高,迫切要求采用大直径的直拉硅单晶抛光片。超纯及完整晶体结构的硅晶体是一条长长的价值链的起点。没有硅晶体就没有半导体、光电子、通讯技术及光电技术。硅晶体棒用于制作晶圆,晶圆是半导体工业中制作芯片的基础材料。硅材料的另一个大的需求来自太阳能。从长远看,世界上一半以上的能源生产要采用可再生能
5、源。可再生资源主要有风、水、太阳能。太阳能直接转换成电能(光电效应)靠太阳能电池完成。电池的原材料是带特定晶体结构的硅。专家预测:在今后的十年,结晶硅将在太阳能电池的生产中成为在、最主要的材料。硅片工业目前在生产与市场方面已经形成了垄断,日本、德国等国的资本控制的八大硅片公司的销量占硅片总销量的90%,当前IC用主流硅片是8英寸,并向12英寸过渡。市场调研预测,到2008年,12英寸的硅片的比例将由目前的1.3%增加到21.1%。在IC和太阳能发电等领域对硅单晶的巨大需求和消费,对其生产能力对生产技术提出了更高的要求。其中生产高纯半导体材料的高温电热真空炉硅单晶生长炉正在向大型化、自动化的方向
6、发展。硅单晶生长炉隔热保温筒、坩埚、发热体等热场系统元件采用高纯石墨、超高纯石墨材料制造,产品要求材料的金属杂质含量要求不超过530ppm。同时硅单晶生长炉最主要的易损件的消耗量特别大。根据权威部门统计,一台小型晶体生长炉(如12英寸)每年消耗的石墨坩埚、加热器、保温隔热材料的价值,达到20万元以上;一台大型晶体生长炉的热场系统备件损耗,可达50万元以上。由于生产大型高纯石墨、超高纯石墨材料工艺控制难,需要大型的等静压设备等,其投资极大。因此,高纯石墨尺寸受到限制,经常不能满足制造较大硅单晶生长炉的热场零件的要求;另外,石墨脆性大,机械强度不高,使用可靠性不强,使用寿命短。本项目提出的*复合材
7、料单晶生长热场系统零件的材料及热场解决方案,经过实践验证,对解决以上问题起到了很好的效果。实施本案对发展大型硅单晶生长设备,制造大尺寸的晶体,提升我国微电子技术水平具有极为重大的意义。5、项目拟建地点本项目拟建于国家级常德经济技术开发区内。国家级德山经济技术开发区创建于1998年8月,2005年12月经国务院批准为国家级经济技术开发区。建区9年多来,开发区坚持“以工业项目为主、吸引外资为主、出口为主和致力于发展高新技术”的方针,强调以产业发展为中心,走产业兴区之路,通过卓有成效的招商引资工作,目前入区工业企业106家,其中三资企业40家,内资企业66家,入区企业基本上实现了由单个到群体的转变,
8、区内产业也正由零散向集成转变。到目前为止,区内共完成基本建设投资120亿元,移动土石方近亿立方米,完成13亿元人民币的基础设施投资任务,各项建设工作都取得了十分显著的成绩。目前,区内主次干道已拉通28条,总长60公里;6座大型跨线桥已经竣工通车;已经完成12.84公里,架设铁塔33座的三回超高压线路的改道工程,2个110千伏的变电站已经投入使用,目前区内日供电能力已经达到240万千瓦时;2座日供水10万吨的自来水厂已经投入运行;日处理能力8万吨的污水净化中心已经正式营业;装机容量为10万门的程控大楼,现已开通20000门程控电话和高速宽带通讯网,实现了与156个国家和地区通信联网;投资1400
9、多万元的电视发射塔已经正式投入使用。目前,德山经济技术开发区已经形成了以三一重工、光南摩托为主体的先进制造工业,以LG曙光、长海视听、中芯数码为主体的电子信息产业,以华天铝业、长沙力元、瑞翔为主体的新材料产业,以中粮、可口可乐、常德娃哈哈、荷兰泰松、喜瑞来速冻系列为主体的食品饮料产业,以金沙利彩印、金和包装、星沙包装为主体的轻印产业等五大产业格局。2003年年底,区内累计完成总产值250亿元。德山经济技术开发区位于常德市星沙镇,地理位置优越,交通十分便利。开发区以西5公里毗邻京广复线铁路大动脉,北京至深圳107国道,成都至厦门319国道和京珠高速公路穿区而过,构成南北东西交通优势。同时,开发区
10、内已经建成具有一定规模的物流基础设施,即星沙物流中心,可为入区企业提供完善的物流服务。6、项目预期目标*复合材料单晶生产热场项目总体规划占地250亩,总投资56072万元,总建筑面积1万平方米(全部为标准工业厂房)固定资产投资3466万元。项目建设预期目标:形成年产*复合材料200吨/年、碳/石墨材料4000吨/年的生产能力。7、项目主要建设条件本项目市场前景较好,市场容量大;项目生产所需能源有保障,来源稳定可靠;项目建设资金有保障;项目建设地政府对项目建设大力支持,项目用地落实,建设地域交通方便,施工条件良好,建设项目的主要条件基本具备。(二)项目主要经济技术指标项目建设主要经济技术指标见表
11、1-1。*复合材料单晶生产热场项目主要经济技术指标表1-1序号指标名称单位指标备注1项目产品规模1.1年产*材料吨/年2001.2年产炭/石墨材料吨/年40002主要原材料、燃料消耗2.1石墨吨/年38002.2炭纤维坯体吨/年2002.3炭源气体吨/年15002.4惰性气体吨/年25003项目总定员人11404项目占地亩2505项目总投资万元560726年平均销售收入万元354207财务评价指标7.1财务净现值万元77.367.2内部收益率%17.717.3投资回收期年7.88建设工期年3建设*复合材料单晶生长热场系统项目,能促进德山经济技术开发区及整个常德市工业发展,加快地方产业结构调整,
12、增加人民收入;同时可拓宽就业渠道,保持项目区社会经济的可持续健康快速发展。本项目建设符合国家产业政策,符合国家的投资方向,当地政府大力支持,建设条件具备,工程技术方案切实可行,市场前景广阔,经济效益良好,社会效益明显,项目建设是必要的也是可行的。第二章 市场预测(一)产品市场供应预测1、国内供需现状国内现有生产硅单晶的设备600余台,近年来,每年递增200台左右。目前的设备主要拉制从3至6,少量为8的晶棒。由于单炉投料量仅为几十公斤,因此,多采用高纯石墨制造坩埚,而这些高纯石墨多为进口冷等静压石墨。16英寸的热系统的隔热保温套,则多为进口件。相当一部分较大型的进口设备,其热系统完全依靠进口。C
13、/C复合材料热场系统研究组,为满足半导体工业的要求,与西安理工大学单硅晶基地、有研硅股等单位合作,对C/C复合材料热场系统进行试验和使用。在西安用C/C复合材料制作的12坩埚(306mm)及加热器,装在加有横向磁场的TDR-62上,使用情况很好。2、国外的发展现状1993年东芝陶瓷申请的美国专利介绍用二维C纤维织物绕制作成Si单晶生长炉坩埚坯体,浸渍树脂后碳化制成坩埚。随后,在1997年美国Walsh等用三维C/C复合材料制造了Si单晶生长炉用坩埚埚帮、埚托、发热体、隔热屏及支撑块等;Metter等人制备的高纯C/C复合材料,制造的硅单晶生长炉的热场零部件,通过一系列的高温处理,金属杂质含量控
14、制到很低的程度。1999年,Kawashima等采用C/C复合材料在硅单晶生长炉的底部设置一个容积等于坩埚的容积的环槽,在硅单晶生长炉出现意外漏硅时,可以防止其他热场零件受到损伤。东洋炭素、SGL Carbon Composites,Inc. 等国外厂商在其产品介绍中,也提到C/C复合材料制造单硅晶生长炉的坩埚、发热体等产品。其中提到的个别产品已经投入使用,大多数则仍处于研究阶段。(二)产品目标市场分析1、目标市场确定超高纯及晶体结构完整的硅晶圆是半导体工业中制作芯片的基础材料。集成电路的出现及发展,使人类步入了微电子时代。随着微电子元件尺寸小型化、管芯面积大型化与LSI集成度的日益提高,硅单
15、晶生长技术装备面临新的挑战。为改变我国集成电路用关键基础材料技术水平低、品种不配套、产业化规模小、关键基础材料依赖进口的局面,国家科技部设立了微电子配套材料专项,选择12英寸硅单晶抛光制备技术研究作为首次研究任务,并要求12英寸硅单晶抛光片形成小批量生产能力,达到0.130.10m集成电路技术要求。实施该项目第一个要解决的是12英寸硅单晶生长技术与装备的问题,大尺寸的热场系统的关键元件的设计制造技术,也迫切需要解决。本项目产品的销售市场主要集中在长江三角洲、珠江三角洲、环渤海地区等电子产业发达地区,上述地区的客户对本案提出的方案有浓厚的兴趣。2、主要竞争对手情况硅单晶炉热场的市场目前主要由两部
16、分组成:*复合材料制件市场由日本的东洋炭素、东海、吴羽化工等3家占领;而高纯石墨件这部分,则是主要由国内的一些厂家进口日本东洋炭素公司的石墨加工而成。国内现在有几家在上大尺寸高纯石墨项目。同时,从近一年的复合材料热场零件的试用过程中,许多原来制造石墨件的厂家也准备生产与*复合材料相似的产品。国内还没有生产当今世界上的主流产品12英寸硅单晶的设备,国内的设备只用来生产8英寸的硅棒。而且该设备使用的坩埚、保温隔热件等整个热场系统依靠进口。国外大型硅单晶生长设备的热场系统均由国外厂家的产品配套,其中吴羽公司的产品市场占有率最高。中国、欧美市场几乎全部为其所垄断。但是,在硅行业迅猛发展的今天,其生产能
17、力有限,市场空缺较大。迅速实现硅单晶生长炉的热场国产化,对发展我国的IT产业的意义极大。3、项目的市场优势由于国外公司控制了该类产品的市场,产品价格奇高。所以,与国外对手相比较,本项目的产品有较大的价格优势。同时,由于德山经济技术开发区*新材料有限公司拥有自主知识产权,通过前期的产品研究开发,掌握了对生产的主要设备的技术要求及各项具体措施,摸索出了材料制备的主要工艺过程及相关技术参数,已先一步于国内竞争对手生产出了满足工业应用要求的产品。在技术上领先于国内对手;对于国际上的竞争对手,通过努力控制生产成本,在价格上也应当具有优势。通过大量的、多方位的工业性试验,了解了市场需求和使用要求及其细节,
18、减少了盲目性,降低了风险;通过试验和使用与使用方有较多的沟通,与客户建立了良好的关系。(三)总体营销思路根据产品的目标市场定位、产品定位及竞争力的研究结论,在市场营销战略上,应注意两个方面:一是建立完善的销售及售后服务网络,由销售工程师针对客户的使用和信息进行调研,以满足向高附加值产品发展的要求。二是在产品质量无较大差距的情况下,价格就成为高度敏感的因素,为提高产品竞争力,要发挥低成本策略的作用,充分利用自身优势,发展稳定而灵活的销售机制。本项目的产品价格的制定,原则上以国外同等质量的相同产品的价格为基础,较之低520%。第三章 建设用地规模与产品方案(一)建设用地规模确定项目建设规模遵循的基
19、本原则:合理经济规模;市场容量;企业本身的资金、资源、原材料以及外部协作条件等通过对项目规模建设影响的因素进行了综合考虑,确定了项目的建设规模,本项目建设需用占地250亩,经研究决定,特在德山经济技术开发内购地250亩,用于开发此项目。(二)产品方案1、产品方案构成项目建成以后,公司以生产、加工热场系统的保温隔热材料及坩埚为主,生产部分的大型发热体。针对这些产品的高纯度要求,对进入生产线的原材料的纯度、生产线的洁净度,进行严格控制,保证产品的纯度和质量;材料的生产制造工艺、产品的机械加工、产品的转运、包装等过程要进行严格控制,在材料及产品的成型过程中,合理安排提纯工艺处理,保证产品的高质量,提
20、高产品的纯度。根据产品的品种、规格多的特点,产品开发需要一项一项进行,争取在3年内,公司的产品能够覆盖大部分或全部的硅单晶生长炉的热场系统,同时逐步扩大到其他的晶体生长设备,进而扩大到其他的高技术领域。2、产品方案的目标公司成立以后,主要是以硅单晶生长炉的坩埚、保温筒和固化保温毡为主要产品,重点针对国内当前面大量广的16英寸热场系统。等到该产品市场较为巩固以后,再开发其他系统的热场零件。公司热诚与科研院所、企业合作,研究硅单晶生长炉对热场零部件的使用要求,研究C/C复合材料制造的热场零件的特性,掌握C/C复合材料在单晶生长炉上的特殊性和规律性,满足硅单晶生长炉具的其他性能要求。自主开发,突破关
21、键技术,实现C/C复合材料制造硅单晶生长炉热场零部件的国产化。配合863计划专项计划:及早研制出完全能满足IC级单晶Si生长炉拉制300mm晶棒的坩埚(坩埚直径在600mm左右);研制出拉制300mm硅晶棒的单晶棒的单晶生长炉用发热体(发热体的直径在800mm左右);通过物理机械性能检测, 材料的抗拉强度达到普通高强石墨的3倍以上;金属杂质含量控制在100PPm以内;实现C/C复合材料单晶硅生长炉热场的工业化生产;密切与用户合作,调整制造热场材料的设计和拉晶的工艺参数,将产品做到令用户十分满意。第四章 场址选择(一)场址所在位置现状1、地点与地理位置本项目的选址充分考虑项目的市场需求、物流成本
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