11月微纳电子关键技术第45卷第11期----中国半导体行业协会.doc
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1、“微纳电子技术”第11期专家论坛P621-InP中深能级杂质与缺陷(续)纳米器件与技术P627-GeSi/Si共振隧穿二极管P635-小发散角量子阱激光器研究纳米材料与构造P639-MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能影响MEMS器件与技术P647-RF MEMS开关发呈现状P654-Research Progress of Passive Micromixers显微、测量、微细加工技术与设备P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制办法P668-CMP承载器初步研究微电子器件与技术P672-高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展P677-R
2、FID中EEPROM时序及控制电路设计市场Invensense公司获得1 900万美元C系列基金Yole报告轻引擎和微微投影仪市场手机MEMS产业机遇美新(MEMSIC)发布第一季度财政总况专家论坛P621-InP中深能级杂质与缺陷(续)孙聂枫1,赵有文2,孙同年1(1.中华人民共和国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051;2. 中华人民共和国科学院半导体研究所,北京100083)纳米器件与技术P627-GeSi/Si共振隧穿二极管郭维廉1,2,3(1.天津工业大学信息与通讯学院,天津300160;2.专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051;3.天津
3、大学电子信息工程学院,天津300072)摘要:GeSi/Si共振隧穿二极管重要涉及空穴型GeSi/Si RTD、应力型GeSi/Si RTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种构造。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD构造;指出GeSi/Si异质结能带偏差重要发生在两者价带之间(即EvEc),形成电子势阱很浅,因而合用于空穴型RTD研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD重要构造;而带间GeSi/Si RITD则将成为更有应用前景、性能较好GeSi/Si RTD器件构造。核心词:GeSi/Si共振隧穿二极管;GeSi/Si异质结;GeSi/Si
4、带间共振隧穿二极管;能带构造;材料构造P635-小发散角量子阱激光器研究李雅静1,2,安振峰2,陈国鹰1,王晓燕2,赵润2,杜伟华1,2,王薇1,2(1. 河北工业大学信息工程学院,天津300130;2. 中华人民共和国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)摘要:使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导构造办法减小垂直方向远场发散角,得到了极窄波导构造量子阱激光器远场分布简化模型,获得了垂直发散角理论值,垂直方向远场发散角减小为28.6;使用传播矩阵办法模仿了模式扩展波导构造量子阱激光器近场光斑及远场分布,垂直方向远场发散角减小
5、为16。实验测试了极窄和模式扩展波导构造量子阱激光器垂直发散角,理论成果与实验测试获得发散角基本一致,实现了减少发散角规定,获得了小发散角量子阱激光器。核心词:量子阱激光器;极窄波导;模式扩展;波导构造;发散角纳米材料与构造P639-MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究刘波,袁凤坡,尹甲运,刘英斌,冯震,冯志宏(专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051)摘要:报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长工艺条件,如生长温度、生长压力及/比等,得到了器件级高质量AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜
6、 X射线双晶衍射(002)面扫描曲线半高宽为97,(102)面扫描曲线半高宽为870,Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射(002)面扫描曲线半高宽为240;使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5 m5 m区域表面平整度进行了表征,AlN外延膜粗糙度(Rms)为8.484 nm,Al0.6Ga0.4N外延膜粗糙度为1.104 nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸取带边分别为205 nm和266 nm,且都非常陡峭。核心词:AlGaN;金属有机化学气相淀积;射线衍射;原子力显微镜;透射光谱P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能影响梁庆a,b,c,徐刚a,b,甄恩明a,b,
7、c,陈丽华a,b,苗蕾a,b(中华人民共和国科学院a.广州能源研究所;b.可再生能源与天然气水合物重点实验室,广州510640;c.研究生院,北京100039)摘要:在简介透明导电薄膜光学性质基本上,分别讨论了不同状况下,太阳能平板集热器盖板采用镀有透明导电薄膜玻璃对集热器光热转换效率和保温性能影响。成果表白,当集热器吸热板表面没有覆盖选取性吸取涂层,在盖板玻璃下表面镀有透明导电薄膜可以在一定温度范畴内提高集热器转换效率和保温性能,而当吸热板已覆盖有选取性吸取涂层时,盖板玻璃再镀透明导电薄膜,集热器辐射热损则减少很少,甚至局限性以补偿由于玻璃透过率减少而增长光反射损失,在这种状况下,盖板不适当
8、再采用镀有透明导电薄膜玻璃。核心词:透明导电薄膜;选取性涂层;光学特性;平板集热器;热效率MEMS器件与技术P647-RF MEMS开关发呈现状严春早,许高斌,叶刘晓(合肥工业大学应用物理系,合肥230009)摘要:RF MEMS开关是其各种组件、系统级应用中最基本器件之一,具备低损耗、低功耗、线性化好、尺寸小及易集成等特点。对各种开关驱动机制特点进行了比较,指出详细驱动机制选用应符合实际应用需求;在和老式pin开关、FET开关相比较基本上,总结了RF MEMS开关优缺陷,概述了其当前应用领域以及面临重要问题;最后简介了当前国内外RF MEMS开关研究状况。通过对国内外某些典型RF MEMS开
9、关范例简述,展望了RF MEMS开关将来发展趋势。核心词:射频微机电系统;开关;驱动机制;可靠性;发展趋势P654-Research Progress of Passive MicromixersYang Yan,Chen Zhuo,Zhou Ping(School of Energy Science and Engineering,Central South University,Changsha 410083,China)Abstract:A general review is made on research of passive micromixers,including typica
10、l mixing element principles,mixer configurations,microfabrications and numerical simulations.Some main passive micromixing principles,such as the multi-laminating,chaotic advection,split-recombining,fluid twisting and flattening,and the circulation flow are studied,respectively.Emphases are put on t
11、he micromixers using combined mixing principle to achieve high mixing efficiency in low Re regime.These mixers generally improve the mixing efficiency by other simple outside effects,such as using the centrifugal force,geometry constriction and three-inlet structure,multi-inlet structure to increase
12、 flows periodically.As the request of low Re and high viscosity growing,more and more attention is paid on the design and research of combined SAR micromixers,in which the split-recombining elements can cause rotation of fluid and the geometry constriction structure adopted can cut down the diffusio
13、n distance at the same time.These dramatically improve the mixing efficiency,however make the microfabrication more difficult.Key words:passive micromixer;mixing principles;high mixing efficiency;multi-lamination;chaotic advection;split-recombining.显微、测量、微细加工技术与设备P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制办法王昭,吴世法(大连理工
14、大学 近场光学与纳米技术研究所,辽宁大连116024)摘要:在动态原子力与近场光学扫描显微镜中,探针与样品间距关系到辨别率以及扫描速度这两个最重要参数性能。在对几种重要动态原子力/扫描近场光学组合显微镜探针/样品间距控制模式分析基本上,以为提高探针Q值是提高扫描显微镜辨别率有效办法。但是,对采用检测控制探针振幅模式,盼望在提高辨别率同步加快扫描成像速度是不可实现,因而限制了其发展空间。而在检测控制探针频率模式下,提高探针Q值,可有效提高扫描探针显微镜辨别率,且不会制约扫描成像速度提高。该结论为将来纳米操作和纳米超高密度光存储实用化提供了也许,对大连理工大学近场光学与纳米技术研究所研制原子力与光
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