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(完整word版)模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1

班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___

题
号
得
分
阅
卷

一
二
三
四
五
总分
得分

阅卷

一．填空（25分）
（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN结外加正向电压时，PN结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频
特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设级放大电路的每一级的放大倍数分别为，那么多级放大电路的放大倍数＝
（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）
（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 （B） ；
为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 （C） 。
（A）电流负反馈 （B） 电压负反馈 （C） 直流负反馈 （D）交流负反馈

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（2）RC串并联网络在时呈 。
（A）感性 （B） 阻性 （C）容性
（3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A）共基接法 （B）共集接法 （C）共射接法 （D） 差分接法
（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A）β （B） β2 （C）2β （D）1+β
（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是 （B） ；
既能放大电流，又能放大电压的电路是 （C） 。
（A）共基放大电路 （B） 共集放大电路 （C） 共射放大电路
（6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC > uB > uE 。
（A） > （B） < （C） = （D）≤
（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
（A） 大 （B） 小 （C） 相等
（8）在正弦波振荡器中，放大器的主要作用是（ ）。
（A） 保证振荡器满足振幅平衡条件，能持续输出振荡信号
（B）保证电路满足相位平衡条件
（C）把外界的影响减弱
（9）图1中能组成复合管的是 （C） ，其类型是 （B） 。(A、PNP B、NPN)

（10）甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( )。
（A）输出功率大 （B）效率高 （C） 交越失真小 （D）电路结构简单
三．判断题（每题2分，共30分）
（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ × ）
（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ √ ）
（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ × ）
（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ √ ）
（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 （ √ ）
（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ √ ）
（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （ × ）
（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ √ ）
（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ × ）
（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ √ ）
（11）稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点，有利于提高频率稳定度。（ √ ）
（12）只要工作点合适，晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。（ × ）
（13）同一放大电路，若要其增益增大，则其通频带宽度将减小。（ √ ）
（14）差动（差分）放大器的电压增益仅与其输出方式（单端或双端）有关，而与输入方式无关。（ √ ）
（15）为使输出电压稳定，稳压电源的输出电阻应愈大愈好。（ × ）

四．简答题（每题5分，共15分）
（1）简述放大电路的作用和本质。

答：放大电路作用是把微弱的电信号（包括电压、电流、功率）增强到负载所需要数值。其本质是一种换能器，它利用电子器件的控制作用，在输入信号的作用下，将直流电源提供的功率转换成输出信号功率。

（2）三极管导通的内部和外部条件是什么？

答：内部导通条件：发射区浓度高，基区浓度低且薄，集电结面积大于发射结面积。
外部导通条件：发射结正偏，集电结反偏。

（3）理想集成运放的主要特点是什么？

答：1.开环差模电压放大倍数； 2.输入电阻∞； 3.输出电阻；
4.带宽BW∞；转换速率∞； 5.共模抑制比∞。

五．计算题（每题5分，共10分）
（1）在如图所示的电路中，三极管的为50，设三极管的=0.7V，=+15V，，求电路的静态工作点、、。

解：由电路可知，静态工作点
集电极电流
三极管C、E间静态管压降

(2) 如图所示电路中，已知变压器次级电压 ，稳压管V7的稳压值，晶体管均为硅管。
（1） 求整流二极管承受的最大反向电压；
（2） 说明电容C的作用，并求UI的大小；
（3） 求UO的可调范围（求出最大值和最小值）。

解：
（1）
（2） 电容C起滤波作用。

（3）

故输出电压UO的可调范围为10V~35V。

计算的最后结果数字：
（1）
（2）
（3） UO的可调范围为10V~35V

《模拟电子技术》期末考试试卷2

一、填空题：（20分，每空1分）
1、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。
2、多极放大电路的耦合方式有 、 、 。
3、二极管正向导通时，正向电流为5.2mA，则直流电阻为 Ω，交流电阻为 Ω。
4、差动放大电路两个输入端的电流分别是1.1v和1v，则共模信号是 v，差模信号
为 v。。
5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。
6、电流并联负反馈可以稳定放大电路的 ，并使其输入电阻 。
7、影响放大电路通频带下限频率的是 电容和 电容。
8、理想运算放大器工作在线性区的条件是 。
9、串联型反馈式稳压电路是由 、 、 和 等四部分构成。
二、选择题：（20分，每题2分）
1、PN结正向偏置时，其内电场被（ ）。
A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定
2、三极管工作在放大状态的条件是（ ）。
A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏
C、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏
3、LC正弦波振荡电路的振荡频率为（ ）。
A、f0=1/LC B、f0=1/ C、f0=1/2π D、f0=1/2πLC
4、场效应管的工作原理是（ ）。
A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压
C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流
5、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应采用（ ）。
A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈
6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态
7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流 放大系数β为（ ）。
A、β=100
B、β=50
C、β=150
D、β=25
8、右图所示电路为（ ）。
A、 甲类OCL功率放大电路
B、 乙类OTL功率放大电路
C、 甲乙类OCL功率放大电路
D、 甲乙类OTL功率放大电路
9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果。
A、 C开路
9题图
B、 C的容量过小
C、 C的容量过大
D、 RL开路
10题图
10、右图为两级放大电路，接入RF后引入了极间（ ）。
A、 电流并联负反馈
B、 电流串联负反馈
C、 电压并联负反馈
D、 电压串联负反馈
三、判断题：（8分，每题1分）
1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自 由电子。（ ）
2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（　　）　
3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（　　）
4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（　　）
5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（　　）
6、要稳定放大电路工作点，可以引入直流负反馈。（　　）
7、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（　　）
8、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越窄，（　　）
四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）

（ ） （ ） （ ）
五、①写出右图所示电路名称？（3分）
②标出反馈电压UF的位置及极性？（3分）

六、综合题：（40分）
1、放大电路如右图所示：
① Rb起何作用？
② 当Rb的阻值变小时，对直流工作点有何影响？
③ Re及RL变化时，对电压放大倍数有何影响？

RL=6Ω
+VEE
－VEE
Ui
2、功率放大电路如图所示，设三极管的饱和压降UCES为1V，为了使负载电阻获得12W的功率，请问：
① 正负电源至少应为多少伏？
② 三极管的IM，BVCEO至少应为多少？

3题图
3、在如图所示电路是具有电容滤波的单相桥式整流电路，已知负载电阻RL=200Ω，交流电源频率f=50HZ，则当直流输出电压为U。=30v时，求：
① 每个二极管中流过的平均电流ID；
② 二极管所承受的最高反向电压UDRM；
③ 确定滤波电容C的最小值。

《模拟电子技术》期末考试试卷2（参考答案）

一、填空题：（20分，每空1分）
1、 电流、电压
2、 阻容耦合、变压器耦合、直接耦合
3、 134.6Ω、5Ω
4、 1.05v、0.1v
5、 RC、LC
6、 输出电流、减小。
7、 耦合、旁路。
8、 该电路处于深度负反馈
9、 基准电压、调整环节、取样电路、比较放大
二、选择题：（20分，每题2分）
1、A，2、B，3、C，4、D，5、A，6、A，7、D，8、B，9、D，10、C
三、判断题：（８分，每题１分）
1、√，2、√，3、×，4、√，5、×，6、√，7、×，8、√
四、a图：不能，b图：不能，c图：能
五、①电路为电感三点式振荡电路
②反馈电压UF的位置在L2两端为其电压，极性为上正下负
六、综合题：（40分，1题14分；2题10分；3题16分）
1、①RB作用是向三极管的基极提供合适的偏置电流，并使发射极正偏。
②RB变小时，ICQ增大，UCEQ减小。
③电压放大倍数AU=-β（RC||RL）/[rbe+(1+β)RE]=- βRCRL/[ rbe+(1+β)RE](RC+RL),
可见：当RL不变，RC变大时，AU变大；RC变小时，AU变小
当RC不变，RL变大时，AU变大；RL变小时，AU变小
【评分标准】①3分；②3分；③8分。
2．解：①POM=0.5（UCC-UCES）2/R3
UCC=+Uces＝＋1=13v
②BUCEO > 2VCC=2×13=26v
ICM > VCC/RL=13/6=2.16 A
【评分标准】①5分；②5分。
3. 解：①I。＝U。/RL=30/200=0.15 A
ID=0.5I。=0.5×0.15=75mA
②UDRM=U2=U。/1.2=1.4×30/1.2=35v
③由RLC=(3～5)T/2 取系数为5,
200C=5/2f＝5/2×50=0.05
C=0.00025F=250μF
【评分标准】①8分；②3分；③5分。

《模拟电子技术》期末考试试卷3
一、填空题（25分，每空1分）
1.在本征半导体中，______是多子，由______形成。在P型半导体中，_______是少子，由__________形成。
2. 二极管的基本特性是_______，其反向电阻比正向电阻值_____。当二极管两端加正向电压时，其动态电阻随正向电流的增加而_______。
3.共射电路中，三极管的交流电流放大作用体现在Ib的________变化可控制IC、的_____变
化，所以三极管是一个由______控制_____的器件。它的三种工作状态分别是________、
___________、___________。
4.为了稳定静态工作点,在放大电路中应引入 负反馈;若要稳定放大倍数、改善非线性失真等性能,应引入 负反馈。
5.场效应管是通过改变_______来改变漏极电流的，所以是一个_______控制的_____器件。
6.LC振荡器从起振到稳幅，是利用三极管的_______使放大倍数_______，直至________；而RC文氏电桥式振荡器是利用非线性元件的_______发生变化，使放大电路中的_____增大，
从而使______减小。
二、选择题（18分，每小题2分）
1. 当负载电阻RL = 1kΩ时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R。（ ）；
a．0.25 kΩ b.0．5 kΩ C．1 kΩ d．1．5kΩ
2. 二极管加正向电压时，其正向是由（ ）。
a：:多数载流子扩散形成
b：多数载流子漂移形成
c：少数载流子漂移形成
3. 当晶体管工作在放大区时，（　　　）。
a.发射结和集电结均反偏； b..发射结正偏，集电结反偏；
c.. 发射结和集电结均正偏；
4. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V ,
那么此三极管是（ ）型三极管，U1=2.8V的那个极是（ ），U2=2.1V的那个极是（ ），
U3=7V的那个极是（ ）。
a. NPN b. PNP c. 发射极d . 基极 e. 集电极
5. 在固定式偏置电路中，若偏置电阻RB的值增大了，则静态工作点Q将（ ）。
a. 上移 b. 下移 c. 不动 d.上下来回移动
6. 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。
ａ．1W ｂ． 0.5W ｃ．0.2W
7.对于放大电路，所谓开环是指（　　　）．
a. 无信号源　　b. 无反馈通路　　c.　无电源
8. 若桥式整流由两个二极管组成，负载流过电流IO，则每只整流管中电流ID为（ ），承受最高反向电压为（ ）。
ａ． IO　　　ｂ．IO/2 c ．IO/4 d .U2　 e ． 　f ．2U2
9. 串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是（ ）。
ａ．基准电压 　ｂ．取样电压 　ｃ．基准电压与取样电压之差
三、判断题（8分，每小题1分）
1. 在分压式偏置电路中，β值的大小对放大器静态工作点Q无影响。 （ ）
2.通常多级阻容耦合放大电路，若各级均采用共射电路，则电路的输出电压与输入电压总是反向的。( )
3.振荡电路中只有正反馈网络而没有负反馈网络。( )
4.一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )
5. 在互不对称功率放大电路输入端所加的电源电压越大越好，则交越失真就越容易
消除。 （ ）
6.若放大电路的负载固定,为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈,也可以引入电流负反馈。( )
7.共集电极(或共漏极)放大电路,由于A≤1,故没有反馈。( )
8.使用集成运算放大器器件来组成比例运算电路,这时可按比例运算关系任意选用电阻值。( )
四、分析判断题（8分）
1.判断下图的反馈类型（8分，每小题4分）

VCC
RC1 C2 Rb2 RC2
Rb1
C1 C3
RL

Re1 Ce1 Re2

Rf Cf
v
O
-
+
R
5
R
3
-
+
v
I
R
1
R
4
R
2

2.

1（ ） 2 ( )

五、计算题（41分）
1.（6分）图中RS、Re、Rb1、Rb2、、RC、RL、VCC均已知；求：IC、IB、VCB

VCC
vS
vo
Rs
Rb1
Rb2
RC
RL
Re
Cb1
Cb2
CB

2. 电路如图(2)所示,设运放是理想的,试求,,的值。（8分）

3.如下图所示电路为输出电压可调电路，当时，流过的最小电流为
（5~10），调整端1输出的电流远小于，。（１5分）
（1）求的值；
（2）当，时，求输出电压；
（3）调节从0~时，求输出电压的调节范围。

4. 电路如图所示，已知VCC=VEE=15V.晶体管T1,T2的β＝100,rbb=200Ω
RC=RL=6kΩ,RE=7.2kΩ（12分）
1.估算T1,T2管的静态工作点ICQ,VCEQ
2.计算AVD=VO/(Vi1-Vi2),Rid,Rod

《模拟电子技术》期末考试试卷3（参考答案）

一、填空题（25分，每空1分）
1.自由电子 掺杂 自由电子 本征激发
2.单向导电性 大 减小
3.微小 较大 电流 电流源 饱和状态 放大状态 截止状态
4.直流 交流
5.栅源电压 电压 电流源
6. 非线性性 减小 KF=1 阻值 负反馈深度 放大倍数
二、选择题（18分，每小题2分）
1.a 2.a 3.b 4.a,d,c,e 5.b
6.b 7.b 8.b,e 9.C
三、判断题（8分，每小题1分）
1. × 2.× 3.× 4.√
5.× 6.√ 7.× 8.×
四、分析判断题（8分）
1.判断下图的反馈类型（8分，每小题4分）
1．本级反馈：
Re1：第一级的直流的电流串联负反馈
Re2：第二级的交、直流的电流串联负反馈
级间反馈：
Rf1、Cf ：交流的电流并联负反馈
2．本级反馈：
第一级的电压串联负反馈
第二级的电压并联负反馈
级间反馈：
电压并联负反馈
【评分标准】每题4分

五、计算题（41分）
1.（６分）解：

【评分标准】①过程６分；
2.（8分）解:

【评分标准】求得每个电压值得4分
3.（13分）【评分标准】①4分
②3分
③8分
解：①
　　　　　②
可得

③当时，
当时，
即输出电压的的调节范围（～）。
4.【评分标准】①6分；
②6分；
解：(1) ICQ=1mA,VCEQ=9.7V
(2) AVD=-71.4,Rid=5.6kΩ,Rod=12kΩ

《模拟电子技术》期末考试试卷4
一、填空题：（2８分，每空1分）
1、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。
2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；
若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。
3.简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对________信号有较强的放大作用。
4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v，则共模信号是 v，差模信号
为 v。。
5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。
6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_____了，但其他的性能得到了改善：_________、_____________、____________、____________。
7、射极输出器的重要特点是____________、_______________和___________。
8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_____。源极输出电路的重要特点是______，____________和____________。
9、理想集成运放的条件是_________、_____________、___________、________和_________________。
二、选择题：（20分，每题2分）
1、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。
A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定
2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。
A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏
C、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏
3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。
a：其反向电流增大
b：其反向电流减小
c：其反向电流基本不变
4、稳压二极管是利用PN结的（ ）。
a：单向导电性
b：反向击穿性
c：电容特性
5、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ ）。
a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA
6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态
7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时。其电流 放大系数β为（ ）。
A、β=100
B、β=50
C、β=150
D、β=25
8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（　　）
　a．集电极最大允许功耗ＰＣＭ　　　b．集电极最大允许电流ＩＣＭ
c．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果。
9题图
a.开路 b.C的容量过小
c.C的容量过大 d.RL开路
10、在非线性失真中，饱和失真也称为（ ）
a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真
三、判断题：（８分，每题１分）
1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自 由电子。（ ）
2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（　　）　
3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（　　）
4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（　　）
5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（　　）
6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（　　）
7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（　　）
8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（　　）
四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）

1． 2.
VCC
R1
R2
RL
vi
vo
VCC
RC
RB

Vs

　　 （ ） （ ）

五、综合题（38分）
1.已知如图：VＣＣ=12V，RB=100kΩ，RW=400KΩ， RC＝４ＫΩ，β＝３７.5
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 ）（8分）

RW +VＣＣ
　　　　　　 RＣ
　　 RＢ C2

Ｃ1

RL=6Ω
+VEE
－VEE
Ui
2、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc＝12 V，RL＝6Ω，vI为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗 PCM至少应为多少？（3）每个管子的耐压 |V(BR)CEO|应大于多少？（10分）

3题图
3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40，C=1000uF，u2=20sinwtV,现用万用表测量输出直流电压，如果出现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分）
④ UO=18V:
⑤ UO=28V:
⑥ UO=9V:
⑦ UO=24V:

4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替,如图(4)所示,试证明（10分）

《模拟电子技术》期末考试试卷4（参考答案）
一、填空题：（28分，每空1分）
10、 电流、电压
11、 开路 内部短路 正常
12、 共摸 差摸
13、 1.5v、1v
14、 RC、LC
15、 降低　　提高放大倍数的稳定性　　减小非线性失真　　　展宽频带　　改善电路输入输出电阻
16、 电压跟随特性好　　输入电阻高　　输出电阻低
17、 大　　　　跟随性好　　输入电阻大　　　输出电阻小
18、 开环增益无穷大　　　　差模输入电阻无穷大　　　输出电阻为０　　共模抑制比无穷大　　　　　带宽无穷大
二、选择题：（20分，每题2分）
1、b，2、a，3、b，4、c，5、a，6、a，7、d，8、c，9、d，10、C
三、判断题：（８分，每题１分）
1、√，2、√，3、×，4、√，5、×，6、×，7、√，8、×
四、1图：不能，2图：不能
【评分标准】每个3分
五、综合题（38分）
1.①IB= UCC/（RB＋200）= 40μA
②IC=βIB=1.5m A
③UCE= UCC －IC RC=6V

IC( mA)

3 80μA
60μA
Q 40μA
1.5
20μA
IB=0
0 6 12 UCE (V)

【评分标准】
①2分
②2分
③4分

2. 解 （1）输出功率
（1）
（2）每管允许的管耗

（3） 每管子的耐压

【评分标准】（1）3分；（2）3分；（3）4分；
3.解：① UO=18V是U2的0.9倍，说明电解C开路，不合理；
② UO=28V是U2的峰值，说明负载RL开路，不合理；
③UO=9V是U2的0.45倍，说明电解C开路，同时至少又有一个二极管脱焊，不合理；
④UO=24V是U2的1.2倍，属于正常情况，合理。
【评分标准】①2.5分 ②2.5分③2.5分④2.5分

4. 证明:

由于 得

即

【评分标准】得出Uo的表达式给5分，最后证明出等式相等给5分共计10分

《模拟电子技术》期末考试试卷5
一． 填空题（共20分，每空1分）
1、P型半导体中多数载流子为 ，少数载流子为 。
2、用万用表检测二极管时，应将万用表的电阻挡置于 和 量程。
3、三极管有 型和 型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为 结，基区与发射区之间的PN结成为 结。
4、三极管的输出特性曲线分为 区、 区和 区