模电课后习题与答案-第一章 常用半导体器件 至 第十一章 模拟电子电路读图.pdf
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整理:知学易科学护眼模式第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“J”和“X”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型 半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电 压,才能保证其Rgs大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零,则其输入电阻会明显变小。()解:(1)7(2)X(3)V(4)X(5)V(6)X二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 oA.变窄 B.基本不变 C.变宽(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 oA.Iseu B.Iseu/Ur C./s(ew-l)(3)稳压管的稳压区是其工作在_。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(5)Ugs=OV时,能够工作在恒流区的场效应管有 oA.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管解:(1)A(2)C(3)C(4)B(5)A C第一章题解一1三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压Ud=0.7V。解:Uo i4 1.3 V,Uo 2=。,U034一 1.3 V,Uo 4心 2V,UO 5 1.3 V,U060 2Vo四、已知稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值/zmin=5mA。求图 T1.4所示电路中Uo i和。02各为多少伏。图 T1.4解:t/Oi=6V,Uo2=5V。第一章题解一2五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率Pcm=200mW,试画出它的过损耗区。解:根据尸cm=200mW可得:Uce=4 0V 时左=5mA,Uce=3 0V 时/c 4 6.67mA,Uce=20V时/c=10mA,Uce=10V时女=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。六、电路如图T1.6 所示,VCc=15V,=100,t/BE=0.7Vo 试问:(1)Ab=50k。时,uo=?(2)若T临界饱和,则正仁?解:(1)Rb=50k。时,基极电流、集 电极电流和管压降分别为/曦一曜=26 1 A 氏lc=(3 IQ=2.6mAUCE=VCC-ICRC=2V所以输出电压Uo=Uce=2V。(2)设临界饱和时Uces=Ube=0.7V,所以图 T1.6%0尔=2.86mA 凡IB=28.6月ARb=b-be-4 5.4 kQ七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,第一章题解一3它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电 阻区),并填入表内。表 T1.7管号GS(th)/VUs/VUG/VUdN工作状态Ti4-513t2-43310t3-4605解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据 表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示。解表T1.7管号t/GS(th)/VUs/VUgNUd/V工作状态Ti4-513恒流区t2-43310截止区t3-4605可变电阻区习 题1.1 选择合适答案填入空内。(1)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 oA.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当/b从1211A增大到22 u A时,Ic 从1mA变为2mA,那么它的约为。A.83 B.91 C.100(4)当场效应管的漏极直流电流/d从2mA变为4 mA时,它的低频跨导 g m将。A.增大 B.不变 C.减小解:(1)A,C(2)A(3)C(4)A1.2能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?第一章题解一4解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。1.3电路如图P1.3所示,已知妁=l Osin g/(v),试画出妁与的波形。设 二极管正向导通电压可忽略不计。解图P1.3解:刈和的波形如解图P1.3所示。1.4电路如图P1.4所示,已知i=5sin 3/(V),二极管导通电压Ud=0.7V。图 P1.4解图P1.4解:波形如解图P1.4所示。第一章题解一51.5 电路如图Pl.5(a)所示,其输入电压Hu和i2的波形如图(b)所示,二极管导通电压Ud=0.7V。试画出输出电压o的波形,并标出幅值。解:“0的波形如解图P1.5所示。解图P1.5第一章题解一61.6 电路如图Pl.6所示,二极管导通电压Ud=0.7V,常温下UT 26mV,电容C对交流信号可视为短路;妁为正弦波,试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?解:二极管的直流电流ID=(V-Ud)/R=2.6mA其动态电阻d弋 Utd=10 Q故动态电流有效值有效值为10mV。/d=Ui D2 1mA 图 Pl.61.7 现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压 为0.7V。试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)两只稳压管串联时可得1.4 V、6.7V、8.7V和14 V等四种稳压 值。(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8 已知稳压管的稳定电压Uz=6V,大功耗Pzm=150mW。试求图P1.8所示电 路中电阻R的取值范围。解:稳压管的最大稳定电流1zm=P zm/Uz=25mA电阻R的电流为/ZM/zmin,所以其 取值范围为R=UUw=0.3 6-1.8kQI7稳定电流的最小值/zmin=5mA,最o-izzi-o+R+G=i5v Dz2s/=6V6-6图 Pl.8第一章题解一71.9 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压Uz=6V,最小稳定电流/zmin=5mA,最大稳定电流,Zmax=25mA。(1)分别计算S为10V、15V、3 5V三种情况下输出电压Uo的值;(2)若S=3 5V时负载开路,则会出 现什么现象?为什么?解:(1)当 S=10V时,若 Uo=Uz=6V,则稳压管的电流为4 mA,小于其最小 稳定电流,所以稳压管未击穿。故Uo=5 3.3 3 V R+Rl当Ui=15V时,稳压管中的电流大于最 小稳定电流,Zmin,所以Uo=Uz=6V同理,当 S=3 5V时,Uo=t/z=6Vo(2),Dz=(。1-Uz)/R=29mA,zM=25mA,稳压管将因功耗过大而损 坏。图 P1.91.10 在图PL10所示电路中,发光二极管导通电压为=1.5V,正向电流在515mA时才能正常工作。试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?(2)R的取值范围是多少?解:(1)S闭合。(2)R的范围为=(UD)DmL 23 3 cRmax=(4)/=700Q。图 Pl.10第一章题解一81.11 电路如图Pl.11(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压Uz=3 V,R的 取值合适,I的波形如图(C)所示。试分别画出Mo i和MO2的波形。图 Pl.l l解:波形如解图P1.H所示1.12 在温度20时某晶体管的/cbo=2u A,试问温度是60时/cbo心?解:60 时/c BO=C BO(T=20)=32。A o第一章题解一91.13 有两只晶体管,一只的=200,/ceo=200r A;另一只的=100,Zceo=10u A,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?解:选用=100、,cbo=1。u A的管子,因其适中、/ceo较小,因而 温度稳定性较另一只管子好。1.14 已知两只晶体管的电流放大系数分别为50和100,现测得放大电 路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。解:答案如解图P1.14所示。第一章题解一101.15 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是错管。图 P1.15解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。解表P1.15管号Tit2t3t4t5t6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16 电路如图P1.16所示,晶体管导通时Ube=0.7V,=50。试分析Vbb 为0V、IV、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压“O的值。解:(1)当/b=0 时,T截止,uo=12Vo(2)当Vbb=1V时,因为Icq=B/bq=3 mAMo=c c【cqRc=9V所以T处于放大状态。(3)当/b=3 V时,因为 r _ Kb-beq.BQ=160 u AIBQ侬?/m=60以A&%第一章题解一 11,cq=B,bq=8mAo=%c-【cqRc Ube 所以T处于饱和状态。1.17 电路如图P1.17所示,试问大于多少 时晶体管饱和?解:取Uces=Ube,若管子饱和,则B 匕c Ube _ K:c _ Ube1一 所以,之殳=100时,管子饱和。1.18 电路如图P1.18所示,晶体管的=50,|UbeI=0.2V,饱和管压降|t/c Esl=0.1V;稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压Ud=0.5V。试问:当 Mi=0V 时 M o=?当I=5V 时说 o=?解:当卬=0时,晶体管截止,稳压管击穿,“o=-Uz=-5Vo当刈=5V时,晶体管饱和,Mo=0.1V。因为:b|=【一、=480、A 品|,c|=|,b|=24 mAUec=Vcc-|/cWcVcc图 Pl.18第一章题解一121.19 分别判断图Pl.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。解:(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能1.20 已知某结型场效应管的,DS S=2mA,UGS(o ff)=-4 V,试画出它的 转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出予夹断轨迹。解:根据方程;_ T。“GS 2,D-,DS S(1-V;)GS(t h)逐点求出确定的GS卜的ZD,可近似画出转移特性和输出特性;在输出特性中,将各条曲线上“GD=UGS(o f f)的点连接起来,便为予夹断线;如解图PL2。所示。第一章题解一13解图Pl.201.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极、的电位分 别为4 V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明、与G、S、D的对应关系。解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极、与G、S、D的对应关系如解图PL21所示。解图P1.21第一章题解一141.22 已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示,画出它在恒流区的 转移特性曲线。解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.22(a)所示),读 出其与各条曲线交点的纵坐标值及Ugs值,建立,d=/(gs)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.22(b)所示。第一章题解一151.23 电路如图1.23所示,T的输出特性如图P1.22所示,分析当m1=4 V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解:根据图PL22所示T的输出特性可知,其 开启电压为5V,根据图P1.23所示电路可知所以“GS=I。当I=4 V时,“GS小于开启电压,故T截止。当刈=8V时,设T工作在恒流区,根据 输出特性可知近七0.6mA,管压降“DS 4 Vdd 10V因此,GD=GS “DSy2V,小于开启电压,说明假设成立,即T工作在恒流区。当I=12V时,由于Vdd=12V,必然使T工作在可变电阻区。图 P1.231.24分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流 区。图 P1.24解:(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能第一章题解一16第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“4”或“义”表明下列说法是否正确。(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何 放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。()解:(1)X(2)V(3)X(4)X(5)V(6)X(7)X二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。第二章题解一1解:(a)不能。因为输入信号被Vbb短路。(b)可能。(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压 之上,必然失真。(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(e)不能。因为输入信号被C 2短路。(f)不能。因为输出信号被Vc c短路,恒为零。(g)可能。(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。(i)不能。因为T截止。第二章题解一2三、在图T2.3所示电路中,已知Vc c=12V,晶体管的夕=100,吊=100k。填空:要求先填文字表达式后填得数。(1)当代=0V时,测得Ubeq=0.7V,若要 基极电流/bq=20 R A,则耳和Rw之和4,=4 k。;而若测得Uceq=6V,则Rc=k Q。(2)若测得输入电压有效值q=5mV时,输 出电压有效值U;=0.6V,则电压放大倍数 若负载电阻Rl值与外相等,则带上负载 后输出电压有效值Uo=Vo解:(1)(%c-Ubeq)bq 565;(Vc c-Uceq)/4,bq,3。(2)-UJU,-120;0.3 o四、已知图T2.3所示电路中0c=12V,Rc=3 k。,静态管压降Uceq=6V;并在输出端加负载电阻Rl,其阻值为3 kQ。选择一个合适的答案填入空内。(1)该电路的最大不失真输出电压有效值;A.2V B.3 V C.6V(2)当资=l mV时,若在不失真的条件下,减小Rw,则输出电压的幅 值将;A.减小 B.不变 C.增大(3)在代=l mV时,将以调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增 大输入电压,则输出电压波形将;A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将 oA.Rw减小 B.Rc减小 C.Vc c减小解:(1)A(2)C(3)B(4)B五、现有直接耦合基本放大电路如下:第二章题解一3A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路D.共源电路 E.共漏电路它们的电路分别如图 2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2 和 2.7.9(a)所示;设图中&/bs,故 T 饱和,Uc=Uces=0.5 V。(4)T截止,Uc=12Vo(5)由于集电极直接接直流电源,Uc=Vc c=12V2.7 电路如图P2.7所示,晶体管的夕=80,0=100。分别计算a=8和 RL=3 kQ时的0点、耳、Ri和R。第二章题解一9解2.7在空载和带负载情况下,电路的静态电流、r be均相等,它们分别 为【cq=B,bq 1.76mA展=rbb-+(1+夕)26mV,EQ1.3 kQ空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为“CEQ=%-,cqV6.2V代=-308 展&=凡展六展L3 kQ怎。d 93Rs+.&=&=50&=5k Q时,静态管压降、电压放大倍数分别为也=4ICQ(Rc/RL)2.3V r+r c l,&T15 rbe歆。禹。-47 Rs+小第二章题解一 io&=凡展“展L3 kQR。=RC=5kQ2.8 在图P2.7所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波 时,测得输出波形如图P2.8(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什 么失真,如何消除。图 P2.8解:(a)饱和失真,增大即,减小心。(b)截止失真,减小即。(c)同时出现饱和失真和截止失真,应增大Vc c。2.9 若由PNP型管组成的共射电路中,输出电压波形如图P2.8(a)、(b)、(c)所示,则分别产生了什么失真?解:(a)截止失真;(b)饱和失真;(c)同时出现饱和失真和截止失真。2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的夕=100,rbe=l kQ o(1)现已测得静态管压降Uceq=6V,估算即约为多少千欧;(2)若测得的和火的有效值分别为ImV和100mV,则负载电阻心为多少千欧?第二章题解一 11图 P2.10解:(1)求解此%c _Uc EQ=2mACQ&/bq=20u ARb=beq 工 565kc,BQ(2)求解比:用=-*=-100 用=-4组 Rl=IkQq&+=1 R,=1.5kQ4 Rl2.11 在图P2.10所示电路中,设静态时1c Q=2mA,晶体管饱和管压降Uces=0.6Vo试问:当负载电阻a=8和RL=3 kQ时电路的最大不失真输出电压 各为多少伏?解:由于 1c Q=2mA,所以 Uceq=Vc c-,cqRc=6V。空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故U-TJ。幺里里2V41勺=3心时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故IcoRl=2.12丫第二章题解一122.12 在图P2.10所示电路中,设某一参数变化时其余参数不变,在表中 填入增大减小或基本不变。参数变化/bqUC EQ图RiR。%增大息增大Rl增大解:答案如解表P2.12所示。解表P2.12所示参数变化IbqUcEQ困R。%增大息增大Rl增大2.13 电路如图P2.13所示,晶体管的4=100,rbb,=100Q o(1)求电路的。点、禹、R和&;(2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变 化?第二章题解一13图 P2.13解:(1)静态分析:Ubq。Vc c=2V&】+凡2BQUceqA1+穴%-1(4+&+&)=5.7丫动态分析:bq二。晅 4+&=+(1+)2.737 EQ/(4%),7.7%+(1+/)层&=凡1 42 Kbe+(1+4)Rf a 3.7kQR。=4=5kQ(2)R增大,R产4.1kQ;图减小,4“工一.92。导+&2.14 试求出图P2.3(a)所示电路。点、片、昭和扁 的表达式。解:。点为丫8-BEQBQ 一%+&+(1+0凡,C Q=P,BQEQ 二C C 一(1+B)1 BQ,用、Ri和&的表达式分别为2.15 试求出图P2.3(b)所示电路。点、片、品和R。的表达式。设静态时 2中的电流远大于T的基极电流。第二章题解一 14解:。点:4q=一 UBEQ)辰2&+(l+/)RJ&+层/Icq=P,bqUcEQ=匕C-1CQ&+BEQ氏、尺和&的表达式分别为R=RX/1 1+0凡=&2.16 试求出图P2.3(c)所示电路。点、用、舄和凡的表达式。设静态时 2中的电流远大于12管的基极电流且心中的电流远大于Ti管的基极电流。解:两只晶体管的静态电流、管压降分析如下:T 匕c-beqi beqiBQ1 Rl+R2 rT,C Q2,C Q1=P BQ lUCQ2=VC C-,C Q 2&RUBQ 2 ij D(Vc c BEQ 1)+0BEQ 1K+K2C EQ 1=BQ 2 一BEQ 2C EQ 2=UC Q 2-BQ 2 十 BEQ 2用、Ri和&的表达式分析如下:第二章题解一15&1+024=-rbe24=每卷4=%2.17设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问:(1)(2)解:/广典/善心?42=跳。2/您分?画出输入电压和输出电压“i、Mo l o 2的波形;(1)因为通常1,所以电压放大倍数分别应为禹1=一rbe+(l+m用2(1+4)凡%+(1+4)凡。+1第二章题解一16(2)两个电压放大倍数说明01七一”i,o24”i。波形如解图Pl.17所7J o2.18电路如图P2.18所示,晶体管的夕=80,rbe=l kQ o(1)求出。点;(2)分别求出七=8和RL=3 kQ时电路的用和品;Q+k(+15V)第二章题解一17(3)求出R。图 P2.18解:(1)求解。点:Jc-Ubeq(32.3“BQ凡+(1+4)凡/eq=(1+0)1 bq 2.61mA Uceq=%c-,eq 凡。7.17V(2)求解输入电阻和电压放大倍数:Rl=8 时尾=凡吐+(1+0号卜”Ok。7?L=3 kQ 时K=凡展+(1+0(凡&)卜 76kQ(3)求解输出电阻:凡=凡号产。3 7Q2.19电路如图P2.19所示,晶体管的/=60,/b l OOQ。(1)求解。点、用、凡和&;(2)设4=10mV(有效值),问q=?Uo=?若C 3开路,则 q=?u0第二章题解一18图 P2.19解:(1)。点:Aq=匕lUbeQ _3 WABQ 凡+(1+0凡/cq Wbq 86mAUceq Lc./eq(4+&)=4.56V 比、一和凡的分析:展=之,+(1+0争丫*952。7 EQHi=&-952QrbeR=Rc=3 kQ(2)设q=10mV(有效值),则RU.=-U,-3.2mV E+KUo=阖 3 04 mV若C 3开路,则K=Rb 此+。+0凡。51.3 k。金 Rc/Rl&x-=-1.5凡Ui=5_u 9.6mV 凡+&U0=|阉。产 14.4 mV第二章题解一192.20 改正图P2.20所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电 压。要求保留电路的共漏接法。解:(a)源极加电阻Rs。(b)漏极加电阻Rd。(c)输入端加耦合电容。(d)在4支路加一 Vgg,+Vdd改为一 Vdd 改正电路如解图P2.20所示。第二章题解一20解图P2.20第二章题解一212.21已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如 图(b)(c)所示。(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解禹、R和R。解:(1)在转移特性中作直线GS=一五&,与转移特性的交点即为。点;读出坐标值,得出,DQ=l mA,Ugsq=-2V。如解图P2.21(a)所示。第二章题解一22在输出特性中作直流负载线mds=Vdd,D(Rd+Rs),与Ugsq=-2V的那 条输出特性曲线的交点为。点,Udsq 3 V。如解图P2.21(b)所示。(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。g m=察小 TT-DS S DQ=l mA/VUGS U GS(of f)用=-g n A=-5R=Rg=1MQA=%=5k Q2.22已知图P2.22(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的。点和用。解:(1)求。点:根据电路图可知,Ugsq=Vgg=3 Vo从转移特性查得,当Ugsq=3 V时的漏极电流1dq=1mA因此管压降 Udsq=Vdd1dqRd=5V。(2)求电压放大倍数:2 _g m=dq,do=2mA/VU GS(t h)用=-g m&=-20第二章题解一232.23电路如图P.23所示,已知场效应管的低频跨导为g m,试写出片、品和凡的表达式。解:再、R和R。的表达式分别为 片二”(品&)=R3+R/R2&=Rd2.24图P2.24中的哪些接法可以构成复合管?标出它们等效管的类型(如NPN型、PNP型、N沟道结型.)及管脚(b、e、c、d、g、s)。图 P2.24解:(a)不能。(b)不能。(c)构成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。(d)不能。(e)不能。(f)PNP型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。(g)构成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为 发射极。第二章题解一24第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“J”,否则打“X”。(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为一100,将它 们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000c()(2)阻容耦合多级放大电路各级的。点相互独立,()它只能放大交流信号。()(3)直接耦合多级放大电路各级的。点相互影响,()它只能放大直流信号。()(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。()(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。()解:(1)X(2)J J(3)V X(4)X(5)V二、现有基本放大电路:A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路D.共源电路 E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。(1)要求输入电阻为l k Q至2k。,电压放大倍数大于3000,第一级应 采用,第二级应采用 O(2)要求输入电阻大于10MQ,电压放大倍数大于300,第一级应采 用,第二级应采用。(3)要求输入电阻为100kQ200k。,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用 o(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MQ,输出电 阻小于100Q,第一级应采用,第二级应采用。(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且用=|窕/用 100,输出电阻火。1。0,第一级应采用,第二级应 采用 O解:(1)A,A(2)D,A(3)B,A(4)D,B(5)C,B第三章题解一1三、选择合适答案填入空内。(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 OA.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 oA.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 oA.克服温漂 B.提高输入电阻 C.稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信 号是两个输入端信号的 oA.差 B.和 C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻七,将使电路 的 oA.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大C.带负载能力强解:(1)C,D(2)C(3)A(4)A,C(5)B(6)C四、电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管,均为60,r.=100 DDQ,静态时I Ubeq I 0.7Vo试求:(1)静态时Ti管和T2管的发射极电流。(2)若静态时mo0,则应如何调节的值才能使o=0V?若静态“0=0V,则Rc2=?电压放大倍数为多少?第三章题解一2解:(1)T3管的集电极电流1c 3=(Uz Ubeq3)/Re3=0.3 mA静态时Ti管和T2管的发射极电流/Ei=/E2=0/5mA(2)若静态时o 0,则应减小二2。当1=0时o=0,T4管的集电极电流/cq4=Vee/二4=0.6mA。凡2的电流 及其阻值分别为%=心-K-T=4 mA凡2=匐。7.14 g/&2电压放大倍数求解过程如下:噎2=。,+(1+/)。107皿,EQ 2八 八、26mV 31八&4=标+(1+/)一 2.74 k。,EQ 4,=凡2 区e4+(l+-)Re4 X的5康 B凡4 1 o&4+(1+夕)&4用=演,禹2。297第三章题解一3习题3.1 判断图P3.1所示各两级放大电路中,T和T2管分别组成哪种基本接 法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基(e)共源,共集(f)共基,共集第三章题解一43.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等 效电路,并写出片、R和扁的表达式。解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。(2)各电路片、尺和凡的表达式分别为图(a)左二二&2+(1+之/31(1+阮/3R1+rbe2+(1+42)&R=Rr+rbel图(b)声二(1+4)(区3&2)(。2%)。+(1+以)(“&)喂2舄=与%+(1+4)%2%噎 2)R=R,第三章题解一5图(c)解=尸1宠2%2+(1+62)。尸2&一 +喂2+(1+不)一用=6+%elR=R3图(d)禹*端&4与3管)&=R3+&R?第三章题解一63.3基本放大电路如图P3.3(a)(b)所示,图(a)虚线框内为电路I,图(t o虚线框内为电路n。由电路I、n组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻比较大;(2)哪些电路的输出电阻比较小;(3)哪个电路的匹卜阳/叫最大。解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻较大。(2)图(c)、(e)所小电路的输出电阻较小。(3)图(e)所示电路的|旗|最大。第三章题解一73.4电路如图P3.1(a)(b)所示,晶体管的均为50,小均为1.2kQ,。点合适。求解解、号和&。解:在图(a)所示电路中一禹2=也=125仆2片=鬲鹏2。-125凡=R&rbel 0.93 kQRo=R3=3 k。在图(b)所示电路中鬲=也业遢。-5。rb el卷=皿一2联2屏=禹.晶=2100&=(&+&)*工 L2kO4=&=IkC3.5电路如图P3.1(c)(e)所示,晶体管的均为80,F均为1.5kQ,场效应管的g m为3 mA/V;。点合适。求解片、&和R。解:在图(c)所示电路中题外(%)62 限1卷=_也。T07rbe2用二右.甩。6634R、=R *1.5kQR=R4=2kQ第三章题解一8在图(e)所示电路中41=一8加氏2%e+(l+)R4 a-g mR2 2一6包二(夕阳一&+(1+阳片=凰用2*-6号=10MQR=R k-。43。0 1+fi3.6图P3.6所示电路参数理想对称,1=。2=,bel=r be2=He。(1)写出Rw的滑动端在中点时4的表达式;(2)写出Aw的滑动端在最右端时4 d的表达式,比较两个结果有什么不 同。解:(1)Rw的滑动端在中点时Ad的表达式为Ad*,(凡+与)(2)Rw的滑动端在最右端时第三章题解一9。(R+RG P R=-=+-A%2rbe 2rbe,(凡+?Awo=AmC -AmC 2=-Aw j一 展所以Ad的表达式为%限比较结果可知,两种情况下的Ad完全相等;但第二种情况下的|ac1|aC 2|o3.7 图P3.7所示电路参数理想对称,晶体管的均为50,r.=100 0,bbUbeq O.7。试计算Rw滑动端在中点时Ti管和T2管的发射极静态电流/eq,以及 动态参数4 d和&。解:Rw滑动端在中点时T管和T2管的发射极静态电流分析如下:BEQ+1EQ,+2%凡=%Ieq=VUbeq 0.517mA也+2R2第三章题解一10Ad和国分析如下:噎=小,+(1+026mV I EQ。5.18k。&=2喂+(1+B)R%20.5kQ3.8 电路如图P3.8所示,Ti管和T2管的均为40,&均为3 k。试问:若输入直流信号u=20mv,i2=10mv,则电路的共模输入电压m1c=?差模输入 电压id=?输出动态电压()=?解:电路的共模输入电压ic、差模输入电压id、差模放大倍数Ad和动态 电压“o分别为WIL+1=15mVIC 2“id=Mn-i2=10mVAd=-672rbeAo=Ad“id -0.67V由于电路的共模放大倍数为零,故o仅由差模输入电压和差模放大倍 数决定。第三章题解一 113.9电路如图P3.9所示,晶体管的=50,r.=100Q。DO(1)计算静态时Ti管和T2管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得o=2V,i=?若i=10mv,则“o=?解:(1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为&=凡&。6.670,Vcc=-Vcc=5V静态时T管和T2管的集电极电流和集电极电位分别为,cqi=【cq2=,cq,eq -=0.265mAOcqi-cqA-3.23 V Ucq2=%=15V(2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下:mo=c Ucqi g-1.23 V“a、26mA u c喂=%,+(1+)5.1kQ/eqAd=也-3 2.72(4+限)u,=3 7.6mV4若“i=10mv,则Awo=AM -0.3 27Vu0-t/C Q1+Am0 a 2.9V3.10 试写出图P3.10所示电路4 d和R的近似表达式。设Ti和T2的电流放第三章题解一12大系数分别为1和B 2,b-e间动态电阻分别为r bel和be2。解:Ad和&的近似表达式分别为一2(4母)Ad H-61+(1+4)62&=21y be1+(1+夕1)be2 13.11 电路如图P3.l l所示,T1和T2的低频跨导g m均为2mA/V。试求解差 模放大倍数和输入电阻。图 P3.l l解:差模放大倍数和输入电阻分别为Ad=-g mRD=-40Ri=83.12 试求出图P3.12所示电路的人。设Ti与T3的低频跨导g m均为2mA/V,第三章题解一13T2和T4的电流放大系数均为80o图 P3.12解:首先求出输出电压和输入电压的变化量,然后求解差模放大倍数。Awo=-(Azd+Mc)Rd=(g mAGS+4 g mAGS)RD不=Awgs+Awbe=AGS+Ad 喂=AgS+gmAGS 展4二二.(1+版风,若 rbe=l k Q,则 Ad=-540。2 1+g m 噎3.13 电路如图P3.13所示,TiT5的电流放大系数分别为 15,b-e 间动态电阻分别为bel be5,写出A“、Ri和3的表达式。解:&、Ri和&的表达式分析如下:第三章题解一14A=A。二 忸2+(1+孔)%A=AO2=_ 瓦限 6 喂5+(1+45),7 2 喂4+(1+凡/54 _ A O3 _(1+尸5/7A z “13%+(1+夕5)尺74=T=4 r42-43K=rb el+rbe2R R 喂5+凡1+053.14 电路如图3.14所示。已知电压放大倍数为一 100,输入电压I为正 弦波,T2和T3管的饱和压降I Uces I=l Vo试问:(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值Uimax为多少伏?(2)若Ui=10mv(有效值),则。=?若此时私开路,则。=?若必短路,则。=?+-P3.14解:(1)最大不失真输出电压有效值为%*es-7.78V故在不失真的情况下,输入电压最大有效值Umax第三章题解一15maxUm工 77.8mV国(2)若 G=10mV,则 U=1V(有效值)。若开路,则Ti和T3组成复合管,等效心i3,T3可能饱和,使得o4-11V(直流)。若心短路,则3 V(直流)。第三章题解一16第四章集成运算放大电路 自测题一、选择合适答案填入空内。(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 OA.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大 oA.高频信号 B.低频信号C.任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的 oA.指标参数准确 B.参数不受温度影响C.参数一致性好(4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 oA.减小温漂 B.增大放大倍数C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。A.共射放大电路 B.共集放大电路C.共基放大电路解:(1)C(2)B(3)C(4)A(5)A二、判断下列说法是否正确,用“J”或“X”表示判断结果填入括号 内。(1)运放的输入失调电压S o是两输入端电位之差。()(2)运放的输入失调电流八0是两端电流之差。()(3)运放的共模抑制比Kcmr=因()A(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。()(5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。()解:(1)X(2)V(3)V(4)V(5)X第四章题解一1三、电路如图T4.3所示,- 配套讲稿:
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