电力电子关键技术教案.doc
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1、泰州学院教 案第二学期学院(系、部) 教研室(实验室)电气工程教研室课 程 名 称电力电子技术授 课 班 级 主 讲 教 师 职 称 使 用 教 材电力电子技术 王兆安主编xxxxxxx二一七年一月 电力电子技术 课程教案第1讲课程类别理论课 实训课 实验课 习题课 其她学时安排2授课题目1 绪论教学目、规定1掌握电力电子技术基本概念、学科地位、基本内容;2理解电力电子技术发展史;3理解电力电子技术应用、电力电子技术发展前景;4理解本教材内容。教学重点及难点重点:电力电子器件分类,电能4种变换形式。难点:无教 学 过 程办法及手段导入:电力电子技术应用案例。新授:1 基本概念1.1 什么是电力
2、电子技术电力电子技术:使用电力电子器件对电能进行变换和控制技术当前电力电子器件均用半导体制成,故也称电力半导体器件。电力电子技术变换“电力”可大到数百MW甚至GW,也可小到数W甚至mW级。电子技术普通即指信息电子技术,广义而言,也涉及电力电子技术。1.2 两大分支(1)电力电子器件制造技术电力电子技术基本,理论基本是半导体物理。(2)变流技术(电力电子器件应用技术)用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制技术,以及构成电力电子装置和电力电子系统技术。电力电子技术核心,理论基本是电路理论。电力变换四大类:交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流1.3 与有关学科关系 电力电子学 (Po
3、wer Electronics)名称60年代浮现; 1974年,美国W.Newell用倒三角形对电力电子学进行了描述,被全世界普遍接受。(1)与电子学(信息电子学)关系 都分为器件和应用两大分支;多媒体举例解说 器件材料、工艺基本相似,采用微电子技术; 应用理论基本、分析办法、分析软件也基本相似; 信息电子电路器件可工作在开关状态,也可工作在放大状态;电力电子电路器件普通只工作在开关状态;(2)与电力学(电气工程)关系 电力电子技术广泛用于电气工程中:高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传、电解、电镀、电加热、高性能交直流电源; 国内外均把电力电子技术归为电气工程一种分支,电力
4、电子技术是电气工程学科中最为活跃一种分支。(3)与控制理论(自动化技术)关系 电力电子技术是弱电控制强电技术,是弱电和强电接口;控制理论是这种接口有力纽带; 电力电子装置是自动化技术基本元件和重要支撑技术。(4)地位和将来电力电子技术和运动控制一起,和计算机技术共同成为将来科学技术两大支柱。电力电子技术是一门崭新技术,21世纪仍将以迅猛速度发展。2 电力电子技术发展史 普通工业:交直流电机、电化学工业、冶金工业; 交通运送:电气化铁道、电动汽车、航空、航海; 电力系统:高压直流输电、柔性交流输电、无功补偿; 电子装置电源:为信息电子装置提供动力; 家用电器: “节能灯”、变频空调; 其她:UP
5、S、航天飞行器、新能源、发电装置。3 电力电子技术应用 电源技术:电力电子装置提供应负载是各种不同电源; 节能技术:电力电子技术对节约电能有重要意义,特别在大型风机、水泵采用变频调速,在使用量十分庞大照明电源等方面。作业和思考题:教学反思:电力电子技术 课程教案第2讲课程类别理论课 实训课 实验课 习题课 其她学时安排2授课题目2.1 电力电子器件概述2.2 不控型器件电力二极管教学目、规定1.掌握电力电子器件概念和特性;2.熟悉应用电力电子器件系统构成;3.理解电力电子器件分类;4.掌握电力二极管工作特性。教学重点及难点重点:器件工作原理、基本特性、重要参数以及选取和使用中应注意某些问题。难
6、点:基本特性及电力电子器件两个基本规定。教 学 过 程办法及手段导入:复习回顾。新授:1.1 电力电子器件概述1.1.1 电力电子器件概念和特性 主电路(Main Power Circuit)电气设备或电力系统中,直接承担电能变换或控制任务电路。 电力电子器件(Power Electronic Device)可直接用于解决电能主电路中,实现电能变换或控制电子器件。 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。 两类中,自20世纪50年代以来,真空管仅在频率很高(如微波)大功率高频电源中还在使用,而电力半导体器件已取代了汞弧整流器(Mercury Arc Rectifier)、闸流管(T
7、hyratron)等电真空器件,成为绝对主力。因而,电力电子器件当前也往往专指电力半导体器件。 电力半导体器件所采用重要材料依然是硅。 同解决信息电子器件相比,电力电子器件普通特性:1)解决电功率能力小至毫瓦级,大至兆瓦级;2)电力电子器件普通都工作在开关状态;3)电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制;4)不但在器件封装上讲究散热设计,在其工作时普通都要安装散热器。1.1.2 应用电力电子器件系统构成电力电子系统:由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心主电路构成。1.1.3 电力电子器件分类 按照器件可以被控制电路信号所控制限度,分为如下三类: 半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而
8、不能控制其关断,如晶闸管; 全控型器件:通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断,又称自关断器件,涉及绝缘栅双极晶体管IGBT、电力场效应晶体管MOSFET以及门极可关断晶闸管GTO; 不可控器件:不能用控制信号来控制其通断,因而也就不需要驱动电路,如电力二极管。(2)按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号性质,分为两类: 电流驱动型:通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断控制; 电压驱动型:仅通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号就可实现导通或者关断控制。(3)按照器件内部电子和空穴两种载流子参加导电状况分为三类: 单极型器件:由一种载流子参加导电器件; 双极型器件:由电子和空
9、穴两种载流子参加导电器件; 复合型器件:由单极型器件和双极型器件集成混合而成器件 。1.2不可控器件电力二极管1.2.1 PN结与电力二极管工作原理PN结单向导电性:二极管基本原理就在于PN结单向导电性这一重要特性。导致电力二极管和信息电子电路中普通二极管区别某些因素: 正向导通时要流过很大电流; 引线和焊接电阻压降等均有明显影响; 承受电流变化率di/dt较大; 为了提高反向耐压,其掺杂浓度低也导致正向压降较大。1.2.2 电力二极管基本特性(1)静态特性:伏安特性当电力二极管承受正向电压大到一定值(门槛电压UTO),正向电流才开始明显增长,处在稳定导通状态。与正向电流IF相应电力二极管两端
10、电压UF即为其正向电压降。当电力二极管承受反向电压时,只有少子引起微小而数值恒定反向漏电流。(2)动态特性:因结电容存在,三种状态之间转换必然有一种过渡过程,此过程中电压电流特性是随时间变化。(3)开关特性:反映通态和断态之间转换过程。电力二极管正向压降先浮现一种过冲UFP,通过一段时间才趋于接近稳态压降某个值(如 2V)。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。1.2.3 电力二极管重要参数(1)正向平均电流IF(AV)在指定管壳温度(简称壳温,用TC表达)和散热条件下,其容许流过最大工频正弦半波电流平均值。(2)正向压降UF指电力二极管在指定温度下,流过某一指定稳态正向电流时相应正向压降
11、。(3)反向重复峰值电压URRM指对电力二极管所能重复施加反向最高峰值电压,普通是其雪崩击穿电压UB2/3,使用时,往往按照电路中电力二极管也许承受反向最高峰值电压两倍来选定。(4)最高工作结温TJM结温是指管芯PN结平均温度,用TJ表达,最高工作结温TJM是指在PN结不致损坏前提下所能承受最高平均温度,TJM普通在125175C范畴之内。(5)反向恢复时间trrtrr= td+ tf ,关断过程中,电流降到0起到恢复反向阻断能力止时间。(6)浪涌电流IFSM指电力二极管所能承受最大持续一种或几种工频周期过电流。1.2.4 电力二极管重要类型 普通二极管(General Purpose Dio
12、de) 快恢复二极管(Fast Recovery Diode FRD) 肖特基二极管作业和思考题:教学反思:电力电子技术 课程教案第3讲课程类别理论课 实训课 实验课 习题课 其她学时安排2授课题目2.3半控型器件晶闸管教学目、规定1.掌握晶闸管工作原理、参数拟定和型号选取,熟悉其基本特性,理解晶闸管派生器件;2.熟悉可关断晶闸管(GTO)构造和工作原理,理解关于特性和参数。教学重点及难点重点:晶闸管额定电流、额定电压参数,晶闸管额定电流计算,GTO工作原理;难点:晶闸管额定电流计算和型号选取,几种重要参数理解;教 学 过 程办法及手段导入:复习回忆:1二极管导通原理是什么?2功率二极管额定电
13、流如何计算?3功率二极管伏安特性相比较有什么特点?新授:1.3 半控型器件晶闸管晶闸管(Thyristor):晶体闸流管,又称可控硅整流器(Silicon Controlled RectifierSCR),1956年美国贝尔实验室(Bell Lab)创造了晶闸管,1957年美国通用电气公司(GE)开发出第一只晶闸管产品,1958年商业化,开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用崭新时代,20世纪80年代以来,开始被性能更好全控型器件取代,能承受电压和电流容量最高,工作可靠,在大容量场合具备重要地位。1.3.1 晶闸管构造与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装, 引出阳极A、阴极K和门极(控制端)
14、G三个联接端, 对于螺栓型封装,普通螺栓是其阳极,能与散热器紧密联接且安装以便,平板型封装晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。工作原理:Ic1=a1 IA + ICBO1;Ic2=a2 IK + ICBO2;IK=IA+IG ;IA=Ic1+Ic2。多媒体、举例录像 式中a1和a2分别是晶体管V1和V2共基极电流增益;ICBO1和ICBO2分别是V1和V2共基极漏电流。由以上式(1-1)(1-4)可得 晶体管特性是:在低发射极电流下a 是很小,而当发射极电流建立起来之后,a 迅速增大。 阻断状态:IG=0,a1+a2很小,流过晶闸管漏电流稍不不大于两个晶体管漏电流之和。 开通(门极触发):注入触
15、发电流使晶体管发射极电流增大以致a1+a2趋近于1话,流过晶闸管电流IA(阳极电流)将趋近于无穷大,实现饱和导通。IA实际由外电路决定。其她几种也许导通状况: 阳极电压升高至相称高数值导致雪崩效应; 阳极电压上升率du/dt过高; 结温较高; 光直接照射硅片,即光触发。光触发可以保证控制电路与主电路之间良好绝缘而应用于高压电力设备中之外,其他都因不易控制而难以应用于实践,称为光控晶闸管(Light Triggered ThyristorLTT) 只有门极触发(涉及光触发)是最精准、迅速而可靠控制手段。晶闸管正常工作时特性总结: 承受反向电压时,无论门极与否有触发电流,晶闸管都不会导通; 承受正
16、向电压时,仅在门极有触发电流状况下晶闸管才干开通; 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管电流降到接近于零某一数值如下。1.3.2 晶闸管基本特性(1)正向特性IG=0时,器件两端施加正向电压,只有很小正向漏电流,为正向阻断状态;正向电压超过正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件开通;随着门极电流幅值增大,正向转折电压减少。(2)反向特性。反向阻断状态时,只有极小反向漏电流流过;当反向电压达到反向击穿电压后,也许导致晶闸管发热损坏。1.3.3 晶闸管重要参数1)断态重复峰值电压UDRM在门极断路而结温为额定值时,容许重复加在器件上正向峰值电压。2)反向重复峰值电压
17、URRM在门极断路而结温为额定值时,容许重复加在器件上反向峰值电压。3)通态(峰值)电压UT晶闸管通以某一规定倍数额定通态平均电流时瞬态峰值电压。 普通取晶闸管UDRM和URRM中较小标值作为该器件额定电压; 选用时,普通取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。4) 维持电流 IH :使晶闸管维持导通所必须最小电流。5)擎住电流 IL :晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后, 能维持导通所需最小电流。对同一晶闸管来说,普通IL约为IH24倍。6)浪涌电流ITSM:指由于电路异常状况引起并使结温超过额定结温不重复性最大正向过载电流 。7)通态平均电流 IT(AV) 使用时应按实际电流
18、与通态平均电流所导致发热效应相等 ,即有效值相等原则来选用晶闸管。应留一定裕量,普通取1.52倍。作业和思考题:P42习题4、5教学反思:电力电子技术 课程教案第4讲课程类别理论课 实训课 实验课 习题课 其她学时安排2授课题目2.4典型全控型器件教学目、规定1熟悉可关断晶闸管(GTO)构造和工作原理,理解关于特性和参数;2熟悉电力晶体管(GTR)、功率场效应晶体管(P-MOSFET)构造和工作原理。教学重点及难点重点:熟悉GTR、P-MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)构造及其工作原理;难点:上述各种器件导通和关断过程分析。教 学 过 程办法及手段导入:复习回顾:1晶闸管额定电流如何
19、计算?2晶闸管重要参数有哪些?3、与普通晶闸管相比较,对GTO构造、工作原理进行比较分析。新授:1.4 典型全控型器件门极可关断晶闸管(GTO)在20世纪80年代问世,是晶闸管一种派生器件,标志电力电子技术进入了一种崭新时代,典型代表涉及门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。1.4.1 门极可关断晶闸管(1)重要特点: 可以通过在门极施加负脉冲电流使其关断 GTO电压、电流容量较大。(2)构造:(与普通晶闸管相比) 相似点:PNPN四层半导体构造,外部引出阳极、阴极和门极。 不同点:GTO是一种多元功率集成器件。(3)工作原理:普通晶闸管同样,可以用图所示双晶体管模
20、型来分析。1.4.2 电力晶体管 电力晶体管(Giant TransistorGTR,直译为巨型晶体管); 耐高电压、大电流双极结型晶体管(Bipolar Junction TransistorBJT),英文有时候也称为Power BJT。 应用:20世纪80年代以来,在中、小功率范畴内取代晶闸管,但当前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。多媒体举例解说1GTR构造和工作原理(1)静态特性 共发射极接法时典型输出特性:截止区、放大区和饱和区; 在电力电子电路中GTR工作在开关状态;(2)动态特性 开通过程:延迟时间td和上升时间tr,两者之和为开通时间ton。 关断过程:储存时间ts和下降
21、时间tf,两者之和为关断时间toff 。GTR开关时间在几微秒以内,比晶闸管和GTO都短诸多。(3)参数1)最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿; 击穿电压不但和晶体管自身特性关于,还与外电路接法关于; BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。2)集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下容许耗散功率。 一次击穿:集电极电压升高至击穿电压时,Ic迅速增大,只要Ic不超过限度,GTR普通不会损坏,工作特性也不变。 二次击穿:一次击穿发生时,Ic突然急剧上升,电压陡然下降,经常及时导致器件永久损坏,或者工作特性明显衰变。1.4.3 电力场效应晶体管普通重要指绝缘栅型中
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