电力电子专业课程设计方案报告.doc
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1、_工_学院_级_电气工程及其自动化_专业 姓名_陈青清_ 学号_180202_(装)(订)(线)本科课程设计专用封面设计题目: 直流变换器设计(升压) 所修课程名称: 电力电子技术课程设计 修课程时间: 年 12 月 20 日至 12 月 30 日完毕设计日期: 年 12 月 30 日评阅成绩: 评阅意见:评阅教师签名: 年 月 日_工_学院_级_电气工程及其自动化_专业 姓名_陈瑶_ 学号_180204_(装)(订)(线)本科课程设计专用封面设计题目: 直流变换器设计(升压) 所修课程名称: 电力电子技术课程设计 修课程时间: 年 12 月 20 日至 12 月 30 日完毕设计日期: 年
2、12 月 30 日评阅成绩: 评阅意见:评阅教师签名: 年 月 日目录摘要1设计目7设计任务7重要技术参数8设计内容10电路仿真及分析15设计小结17 摘要在当前咱们所使用到能源中,电能占了很大比重,它具备成本低廉,输送以便,绿色环保,控制以便能很容易转换成其她信号等等。咱们寻常生活已经离不开电了。在如今高能耗社会,合理运用电能,提高电能品质和用电效率成为了全球研究当务之急。而电力电子技术正是与这一主题有关联。MOSFET升压斩波电路设计是里面一某些,它开关电源,与线性电源相比,具备绿色效率高,控制以便,智能化,易实现计算机控制。直流变换技术已被广泛应用于开关电源及直流电动机驱动中,如不间断电
3、源(UPS)、无轨电车、地铁列车、蓄电池供电机动车辆无级变速及20世纪80年代兴起电动汽车控制。从而使上述控制获得加速平稳、迅速响应性能,并同步收到节约电能效果。由于变速器输入是电网电压经不可控整流而来直流电压,因此直流斩波不但能起到调压作用,同步还能起到有效地抑制网侧谐波电流作用。直流斩波电路功能是将直流电变为另一种固定或可调直流电,也称为直流-直流变换器(DC/DCConverter),直流斩波电路普通是指直接将直流变成直流状况,不涉及直流-交流-直流状况;直流斩波电路种类诸多:降压斩波电路,升压斩波电路,这两种是最基本电路。此外尚有升降压斩波电路,Cuk斩波电路,Sepic斩波电路,Ze
4、ta斩波电路。斩波器工作方式有:脉宽调制方式(Ts不变,变化ton)和频率调制方式(ton不变,变化Ts)。MOSFET升压斩波电路又称为boost变换器,它对输入电压进行升压变换。通过控制电路占空比即通过MOSFET来控制升压斩波电路输出电压。直流斩波电路作为将直流电变成另一种固定电压或可调电压DC-DC变换器,在直流传动系统、充电蓄电电路、开关电源、电力电子变换装置及各种用电设备中得到普通应用.直流斩波技术已被广泛用于开关电源及直流电动机驱动中,使其控制获得加速平稳、迅速响应、节约电能效果。全控型电力电子器件MOSFET在牵引电传动电能传播与变换、有源滤波等领域得到了广泛应用。MOSFET
5、是金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模仿电路与数字电路场效晶体管。MOSFET依照其“通道”极性不同,可分为N沟道型与P沟道型MOSFET,普通又称为NMOSFET与PMOSFET,其她简称尚涉及NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。 图1它普通有耗尽型和增强型两种。本文使用为增强型MOS场效应管,其内部构造见图1。它可分为NPN型PNP型。NPN型普通称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。由图可看出,对于N沟道场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。咱们懂得普通三极管是由输
6、入电流控制输出电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入电压(或称电场)控制,可以以为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高输入阻抗,同步这也是咱们称之为场效应管因素。为解释MOS场效应管工作原理,咱们先理解一下仅具有一种PN结二极管工作过程。如图2所示,咱们懂得在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是由于在P型半导体端为正电压时,N型半导体内负电子被吸引而涌向加有正电压P型半导体端,而P型半导体端内正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被汇集在
7、P型半导体端,负电子则汇集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。 图2 在栅极没有电压时,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(图3a)。当有一种正电压加在N沟道MOS场效应管栅极上时,由于电场作用,此时N型半导体源极和漏极负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜阻挡,使得电子汇集在两个N沟道之间P型半导体中(见图3b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。咱们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压建立相称于为它们之间搭了一座桥梁,该桥大小由栅压大小决。 a b 图3电力MOSFET基本特性a转移特性 b输出特性图4a测试电路 b开关过程波
8、形图5MOSFET斩波电路是被设计核心某些,而其核心器件又是MOSFET。本某些是通过触发电路控制MOSFET启动与关断,再运用电感和电容储能作用实现升压功能。场效应管与晶体管比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只容许从信号源取较少电流状况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又容许从信号源取较多电流条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是运用多数载流子导电,因此称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也运用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压条件下工作,并
9、且它制造工艺可以很以便地把诸多场效应管集成在一块硅片上,因而场效应管在大规模集成电路中得到了广泛应用 核心字:电能、MOSFET升压斩波电路、升压变换、变换器、直流斩波技术一、 设计目 1、把从电力电子技术及其他先修课程(电工基本、电子技术、电机学等)中所学到理论和实践知识,在课程设计实践中全面综合加以运用,使这些知识得到巩固、提高,并使理论知识与实践技能密切结合起来。 2、初步树立起对的设计思想,掌握普通电力电子电路设计基本办法和技能,培养观测、分析和解决问题及独立设计能力,训练设计构思和创新能力。 3、培养具备查阅参照文献和技术资料能力,能熟悉或较熟悉地应用有关手册、图表、国标,为此后成为
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