2-任务2半导体二极管的识别与检测分析.doc
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1、学习情境一 常用半导体器件的识别与检测任务二 半导体二极管的识别与检测一、 任务目的1. 了解半导体二极管导电特性;2. 了解半导体二极管的种类;3掌握半导体二极管的识别与检测。二、任务的要求及技术指标1. 了解本征半导体与杂质半导体的区别;2掌握PN结的形成与单向导电性;3. 了解半导体二极管的结构类型和型号。4掌握半导体二极管的识别与检测。三、半导体导电特性介绍自然界的物质就其导电性能可分为导体、绝缘体、和半导体。导体:导电性能良好的物质。如金、银铜等。绝缘体:几乎不导电的物质。如陶瓷、橡胶、玻璃等。图1-10 共价键示意图半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗。半导体一般分
2、为本征半导体和杂质半导体两种类型。1本征半导体常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge) 。这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体。图1-10所示分别为硅(锗)的原子结构示意图及硅(锗)原子在晶体中的共价键排列。如果共价键中的价电子受热激发获得足够能量,则可摆脱共价键的束缚而成为自由电子。这个电子原来所在的共价键的位置上就留下一个缺少负电荷的空位,这个空位称为空穴。空穴带正电。2. 杂质半导体本征半导体实际使用价值不大,但如果在本征半导体中掺入微量的某种杂质元素,就形成N型和P型半导体。(1)N型半导体在本征半导体(以硅为例)中掺入少量的5价元素,如磷(P)、砷(As)等。磷原子的最外层有5个价电
3、子,其中4个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结构,多余的电子很容易受激发成为自由电子。这种掺入5价元素的半导体称为N型半导体,如图1-11所示。N型半导体主要靠自由电子导电。 图1-11 N型半导体原理图(2)P型半导体在本征半导体(以硅为例)中掺入三价元素如硼(B),硼原子最外层的3个价电子工和相邻的3个硅原子形成共价键后,就留下一下空穴,空穴数量增多,自由电子则相对很少,这种掺入3价元素的半导体称为P型半导体,如图1-12所示。图1-12 P型半导体原理图注意:不论是N型半导体还是P型半导体都是中性,对外不显电性。当P型半导体与N型半导体接触以后,由于交界两侧半导体类型不
4、同,存在电子和空穴的浓度差。这样,P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散。这样,在P区和N区的接触面就产生正、负离子层。这离子层就称为PN结。如图1-13所示。图1-13 PN结形成示意图3.PN结的特性(1)PN结的正向导通特性给PN结加正向电压,即P区接正电源,N区接负电源,此时称PN结为正向偏置,如图1-14所示。这时PN结外电场与内电场方向相反,外加电场抵消内电场使空间电荷区变薄,有利于多数载运动,形成正向电流,外加电场越强,正向电流越大,这意味PN结正向电阻变小。 图1-15 PN结反向偏置示意图图1-14 PN结正向偏置示意图(2)PN结的反向截止特性给PN结加反向电压,即电源
5、正极接N区,负极接P区,称PN结反向偏置,如图1-15所示。这时外加电场与内电场方向相同,使内电场的作用增强,PN结变厚,多数载流子运动难于进行,有助于少数载流子运动,所以电流很少,接近于零,即PN节反向电阻很大。综上所述:PN结具有单向导电性,正向偏置时,PN结导通,反向偏置时,PN结载止。四、半导体二极管的结构、类型与符号介绍一个PN结和加上相应的引出线,然后用塑料、玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最简单的二极管。二极管按所用材料不同分为锗管和硅管。接在二极管P区引出线为阳极,接在N区引出线为阴极。如图1-16所示。图1-17 二极管图形符号及外观图1-16 二极管结构图 二极管有许多类型
6、:从工艺上分为点接触型和面接触型;按用途分有整流管、检波二极管、稳压二极管和开关二极管,二极管的外形也是多种多样,如图1-17。五、二极管检测1.普通二极管的识别与检测(1)极性的判别 将万用表置于R100档或R1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。(2)单向导电性能的检测及好坏的判断 通常,锗材料二极管的正向电阻值为1k左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 k左右,
7、反向电阻值为(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。(3)反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反
8、向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。2、发光二极管的识别与检测(1)单色发光二极管的检测 目测极性判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。用指针式万用表检测极性在万用表外部附接一节1.5V干电池,将万用表置R10或R100挡。这种接
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