MOSFET-器件回顾与展望(下).doc
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1、MOSFET 器件回顾与展望(下) 作者: 日期:2 个人收集整理 勿做商业用途“半导体技术”2007年 第32卷 第1期技术论文“摘要”趋势与展望P1 MOSFET器件回顾与展望(下)P6 AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展P12 用于光刻的EUV光源现代管理P17 300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨器件制造与应用P21 CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点P26- 改进型抗单粒子效应D触发器P29 一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵P33 LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究工艺技术与材料P37 pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响P40
2、- ICP刻蚀损伤对nGaNNi/Au肖特基接触特性的影响P43 ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究P47- 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究集成电路设计与开发P52- 一种基于DDS的改进信号合成电路设计P55 车载定位导航终端的设计P58- FPGA中通用互连结构的设计与优化P62 2。45 GHz全集成CMOS功率放大器设计P65- 高性能双模前置分频器设计封装、测试与设备P68 TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析P74 基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统的研究P77 ESD电热模拟分析趋势与展望MOSFET器件回顾与展望(下)肖德元,夏青,陈国庆(中芯国际集成电路(上海)有
3、限公司存储器技术发展中心,上海;上海第二工业大学,上海)摘要:介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展,比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势.AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展裴风丽,,冯震,陈炳若(武汉大学 物理科学与技术学院,武汉;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄)摘要:从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等.回顾了近年来这些方法的研究进展.用于光刻的EUV光源赵环昱,赵红卫(中国科
4、学院近代物理研究所,兰州;中国科学院研究生院,北京)摘要:对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。紫外光刻使摩尔定律得以延续的信心。现代管理300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨张云秀,黄其煜(上海交通大学 微电子学院,上海)摘要:随着中国半导体业的发展,300 mm半导体代工厂(foundry)在中国纷纷出现,本讨论介绍了300 mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点,力图使读
5、者对厂务化学系统有一个整体的了解,针对一些化学供应系统的常见问题和可改进之处,提出了改进建议.器件制造与应用CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点宁彦卿,王志华,陈弘毅(清华大学 微电子学研究所,北京)摘要:在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端.在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力.改进型抗单粒子效应D触发器赵金薇,沈鸣杰,程君侠(复旦大学 专用集成电路与系
6、统国家重点实验室,上海)摘要:在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题.一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵王少军,程珍娟,叶星宁(电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都)摘要:为了得到稳定的输出电压,电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制.在传统的“Skip”模式电荷泵中,采用工作在线性区的MOS管做开关,通过控制振荡器来调节输出电压,但这种方式会产生较大的输出电压纹波.设计了一种采用饱和
7、区MOS管作调节开关的电荷泵,通过控制饱和区MOS管的导通电阻来调节电荷泵的输出电压。它工作在占空比为50 的方波信号下,具有很低的输出电压纹波(37 mV)。LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究冯永生,刘元安(北京邮电大学 电信工程学院,北京)摘要:以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOSFET电热效应模型,理论推导了LDMOSFET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放大器电热记忆效应产生的本质原因。仿真和实验结果直观描述了电热记忆效应对放大器性能的影响,在此基础上提出了减少电热记忆效应的一般方法。工艺技术与材料pH值对铌酸锂晶片抛光
8、速率及抛光表面的影响武晓玲,刘玉岭,王胜利,刘长宇,刘承霖(河北工业大学 微电子研究所,天津)摘要:采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率.分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响。ICP刻蚀损伤对nGaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响刘杰,王冲,冯倩,张进诚,郝跃,杨艳,龚欣(西安电子科技大学 微电子研究所,西安)摘要:通过电流电压法(IV),电容电压法(C-V)对nGaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和
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