300mw太阳能晶硅片项目可行性研究报告.doc

年产14000万片高效单晶硅片项目项目申请报告目录第一章申报单位及项目概况11.1项目申报单位概况11.2 投资估算及投资规模11.3主要数据和技术经济指标17第二章战略规划、产业政策及行业准入192.1拟建项目与相关规划的关系192.2拟建项目与相关产业政策的关系192.3拟建项目与相关行业准入标准的关系19第三章建设用地分析203.1项目选址及用地方案203.2土地利用合理性分析20第四章资源开发及综合利用254.1资源耗用254.2物料供应25第五章节约能源275.1 编制依据275.2能源消耗275.3节能措施275.4 节能效益335.5 主要结论33第六章环境和生态影响分析346.1编制依据346.2场址环境条件346.3生产工艺简述346.4污染物及其治理措施356.5环境保护管理机构406.6环境保护设施的投资416.7项目对风景名胜古迹和人类文化遗产的影响及保护措施41第七章社会和经济影响分析427.1有利于改善我国城市的投资环境，促进参与世界经济分工的国际性城市的形成427.2以本项目为契机，大力推动区域工业的集约化大生产427.3拉动地方就业与经济增长，增加政府财政收入42附录A市场需求44A.1国际市场概况44A.2国内市场概况51A.3本轮经济危机对太阳能电池市场的影响分析54附录B经济分析57B.1生产规模57B.2 项目计算期57B.3 成本57B.4财务评价58B.5 经济分析主要结果60B.6 综合经济评价61附录C组织机构、劳动定员和人员培训62C.1 组织机构62C.2 劳动定员62C.3 人员培训62附录D项目进度计划64D.1 项目进度计划64附录E公共产品及服务价格65E.1 公共产品65E.2 服务价格65附表：表B1总投资估算表表B2流动资金估算表表B3项目总投资使用计划与资金筹措表表B4总成本费用估算表表B5利润与利润分配表表B6项目投资现金流量表表B7项目资本金现金流量表表B8借款还本付息计划表表B9财务计划现金流量表表B10资产负债表表B11固定资产折旧费估算表表B12无形资产和其他资产摊销估算表表B13营业收入、营业税金及附加和增值税估算表附件：附件1 总平面布置图第一章申报单位及项目概况1.1项目申报单位概况1.1.1承办单位基本情况公司名称： 项目名称： 年产14000万片高效单晶硅片项目企业性质： 注册资本： 注册地址： 经营期限： 1.1.2公司基本情况XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX公司本次在安徽省合肥市双凤县双凤开发区，新征785亩工业用地，用于建设年产1.2GW太阳能单晶硅棒和硅片生产基地。其中一期工程用地280亩，年产单晶硅棒2100吨、单晶硅片14000万片（配套电池产能300兆瓦/年）；一期项目总投资145166万元，新建总建筑面积115415平方米，购买工艺及辅助设备仪器752台（套）。1.2 投资估算及投资规模本项目投资总额为145166万元，其中建设投资138959万元，建设期利息2229万元，铺底流动资金6206万元，其中建设投资长期贷款70000万元，流动资金30%贷款，其余资金由企业自筹。项目达产后，平均年销售额234577万元，销售利润率33.44%，盈亏平衡点34.70%，投资回收期4.38年。1.2 .1 建设内容及规模本项目新征建设用地面积约280亩，按照年产300兆瓦高效单晶硅拉棒、切片的产能建设生产厂房和配套设施，配置生产和动力设备，总建筑面积115415平方米。1.2.2投资规模和资金筹措1.2.2.1总投资估算项目总投资估算145166万元，投资范围包括生产设备购置及安装费，动力设备购置及安装费，建筑工程费用，其它工程和费用，预备费，建设期贷款利息、铺底流动资金等，见总投资估算表（附表B1）。1.2.2.2 总投资估算依据国家发展改革委及建设部共同发布的建设项目经济评价方法与参数（第三版）投资项目可行性研究指南（试用版）工程勘察设计收费标准（2002年修订本）拟建项目各单项工程的建设内容及工程量外汇汇率：按中国人民银行公布的外汇牌价，1美元折6.8元人民币计算，实际发生按中国人民银行当日牌价结算1.2.2.3设备费用引进生产用工艺设备：为到岸价，其价格参考外商报价数据进行综合比较后估算的，进口设备价格中含必要的备品备件。本项目按免征关税及进口环节增值税计。银行手续费及外贸手续费按2%计算，设备运输费按1.0%计算，设备安装调试费按2.0计算。国内工艺设备：设备运杂费按1.0%，设备安装费按2.0%计算。1.2.2.4建筑工程费用包括新建生产厂房及其配套设施，包含内部的洁净室装修、给排水系统、暖通空调系统、气体动力系统、供配电系统、电气照明系统、消防系统、自控系统、通信网络等机电工程。根据不同建筑单独估算。参考同类型建设项目并适当考虑建设当地造价水平进行估算。1.2.2.5 其他费用 工具器具费：按工艺设备费的0.5%计算。建设单位管理费：包括建设单位开办费及建设单位经费，按建安工程费的1%计取。前期工作费用：包括咨询费用、调研费用、可研报告编制费、评审费、地质勘探费等。设计费，据工程勘察设计收费标准（2002年修订本）进行计算。项目评估费用：包括编制环境影响报告、职业安全卫生评价、能源评价、水资源评估等费用。人员培训费：包括生产人员及管理人员的培训费及提前进厂费。土地购置费：本项目购置土地280亩，按照8万元/亩，共2240万元。设备调试及试运转费：按照工艺设备费2%计算。1.2.2.6预备费基本预备费：按工程费用及其它工程费用的3计算。1.2.2.7建设期利息本项目建设投资申请银行贷款70000万元，银行贷款利率按7.29%计算。根据方法与参数从建设起点算起借款当年按半年计息，建设期利息共计2229万元。1.2.2.8流动资金估算流动资金详细法计算，根据本项目情况及规模，铺底流动资金按达产年平均流动资金的30%计，为6206万元。1.2.2.9总投资估算结果本项目总投资为145166万元，详见总投资估算表。表11总投资估算表序号项目名称估算投资(万元)占投资比例1建筑工程费48052 33.10%2设备购置费79551 54.80%3设备安装费1575 1.09%4工具器具费394 0.27%5工程建设其它费用3153 2.17%6预备费用4006 2.76%7建设期利息2229 1.54%8铺底流动资金6206 4.28%9合计145166 100.00%1.2.2.10资金筹措（1）固定资产投资投资筹措本项目固定资产投资138959万元，其中XXX公司现金出资20000万元(含流动资金出资部分)，YYY公司现金出资40000万元，承建公司贷款70000万元，贷款利率为7.29%，其余资金由YYY公司自筹。（2）流动资金筹措本项目流动资金20688万元（其中铺底流动资金6206万元），流动资金30%贷款，贷款利率为6.93%，其余由XXX公司自筹。1.2.3产品及技术方案本项目主要考虑高性能的单晶硅生产工艺，最终产品为单晶硅。单晶硅用于制造太阳电池片生产用的硅片。1.2.3.1技术来源本项目生产技术为XXX公司自有技术。1.2.3.2 生产工艺选料清洗测试断头尾拆炉拉晶配料装炉入库图11单晶硅棒生产工艺流程图硅棒准备圆棒切方硅片清洗烘干硅片脱胶、取样线锯切片晶棒粘接滚磨准方棒腐蚀或超声清洗成品测试入库 图12 单晶硅片生产工艺流程图工艺简介选料：将多晶硅、头尾料、埚底料按类分选。清洗：用氢氟酸、硝酸（或中性清洗液）等除去原料表面的杂质。配料：根据拉单晶的电阻率要求，按重量比例配置原料。装炉：将配好的原料装入炉内、抽真空和充氩气。拉晶：加温将原料溶化，按控制程序拉制单晶。单晶生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，然后将籽晶快速向上提升，使长成的籽晶的直径缩小到一定的大小，产生零位错的晶体，这样，长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增长到所要大小。长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径误差维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分称为等径部分，单晶硅片取自于等径部分。等径结束后，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点，而与液面分开，长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成了单晶硅棒的生长过程。拆炉：待炉温冷却后，将炉内坩埚及余料取出。断头尾：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，并将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度。测试：取样测试氧碳含量及电阻率等。圆棒切方、滚磨：将硅圆棒切成准四方型、把四角的圆弧滚磨光滑。超声波清洗：将方棒清洗干净。晶棒粘接：将准方形的单晶硅棒粘接在专用工作台上。线锯切片：将工作台装到多线切片机上，多线切片机进行切片，切片结束后，从多线切片机卸下工作台。硅片脱胶、取样：从工作台通过脱胶取下硅片。硅片清洗、甩干：清洗硅片并进行甩干。样片测试：测试合格，包装入库。1.2.3.4产品目标市场本项目产品全部内销。1.2.4主要设备选型1.2.4.1主要设备、仪器选择本项目的工艺设备选型原则：在保证产品质量和生产能力以及研究发展的前提下，选择性价比高的工艺设备。1.2.4.2主要设备和仪器本项目共需购置工艺及辅助设备仪器752台（套），共计78763万元元。其中进口设备仪器139台（套），进口费用48105万元；国产设备仪器613台（套），费用30658万元。详细设备清单如下：表12单晶硅片进口工艺设备仪器表 序号设备名称数量制造厂家及型号单价（万元）总价（万元）1开方机15HCTE800S-SQ442.00 6630.00 2切片机40PV800S510.00 20400.00 3切片机56MWM442DM267.00 14952.00 4全自动硅片分选机51000.00 5000.00 5非接触电阻率测试仪560.00 300.00 6傅立叶红外光普仪370.00 210.00 7红外探伤仪5120.00 600.00 8平面厚度仪101.30 13.00 合计139 48105.00 表13单晶硅片国产工艺设备仪器表序号设备名称数量制造厂家及型号单价（万元）总价（万元）1打磨机750.20 15.00 2硅料清槽2025.00 500.00 3泡料槽600.45 27.00 4气相光普分析仪230.00 60.00 5单晶炉28895.00 27360.00 6单晶带锯截断机2510.00 250.00 7电阻率测试仪62.00 12.00 8型号测试仪60.15 0.90 9单晶少子寿命仪342.00 126.00 10晶相显微镜325.00 75.00 11倒角机510.00 50.00 12单晶辊磨机1010.00 100.00 13废线切割机52.60 13.00 14砂浆搅拌桶351.20 42.00 15超声波清洗机1050.00 500.00 16硅块脱胶槽100.45 4.50 17平板电炉100.50 5.00 18全自动脱胶机50.90 4.50 19全自动硅片清洗机10145.00 1450.00 20全自动插片机104.00 40.00 21型号测试仪52.00 10.00 22平面厚度仪101.30 13.00 合计613 30657.90 1.2.5配套工程设计方案1.2.5.1总平面布置本项目785亩规划用地采用一次规划，分期实施的原则建设。本次一期工程用地280亩，位于规划用地的东侧，总建筑面积115415平方米。在一期工程用地内设置2个出入口，分别位于用地的东侧淮南北 路和西侧规划道路上，东侧入口为人员入口，西侧入口为货物入口，与二期用地衔接。在厂房的四周设计7-10m的环形道路，供消防和物流使用。变电站及动力设施位于一期用地西北角，与市政供电线路和厂区负荷中心较近；三个单晶厂房位于用地东北角，与洗料厂房相临，有利于物料传输；切片厂房及仓库位于用地西南角，使用物料运输；综合楼等相关生活设施位于用地西南角，与生产设施相对隔离；废水处理区位于一期用地西北侧的二期用地内，离主要废水排放点（洗料厂房和切片厂房）较近，便于废水就近排放和综合治理。1.2.5.2土建建筑洗晶车间（1栋）洗晶车间为单层钢筋混凝土框架结构建筑，层高6.0米。长170m，宽52m。单晶厂房（3栋）单晶厂房均为二层钢筋砼框架结构，钢筋混凝土屋顶，一层层高3.5米，二层9米；建筑火灾危险类别为丁类；一层主要为单晶炉下半部分以及变压器、泵等，建筑面积为165m52m2=17160m2；主生产区一层为单晶炉炉体放置区，二楼为单晶炉上半部分操作区。除生产区外，还布置有生产管理、更衣，以及生产配套的空调机房、车间变配电等。另外，车间还考虑有一般物品库，包括暂存间、物料入口等，以利于物料的传输暂存。切片厂房及仓库（1栋）切片厂房及仓库为单层钢结构厂房，层高8米；建筑火灾危险类别为戊类，建筑面积为130m170m=22100m2；主生产区放置开方、切片、清洗等生产设备。除生产区外，还布置有生产管理、更衣，以及生产配套的空调机房、车间变配电等。另外，车间还考虑有一般物品库，包括暂存间、物料入口等，以利于物料的传输暂存。 动力厂房动力厂房为单层钢筋砼框架结构，钢筋混凝土屋顶，层高7米；建筑火灾危险类别为戊类；主要包括变电站、冷冻机、空压机等、纯水站、控制室和值班室等，建筑面积为80m90m=7200m2。 办公综合楼办公综合楼为六层，总建筑面积15600m2。 其它其它辅助建筑如：氩气罐、高压变电站、甲类库、化学品库、废水处理设施等。1.2.5.3建筑服务系统空调及采暖系统单晶厂房生产区、硅料处理车间、切片厂房、综合楼、各建筑的辅助办公室等区域设置空调，温湿度要求为：1536，系统采用新风机组+诱导风机（使气流均匀）。通风、排烟系统单晶厂房部分辅助房间、硅料处理车间等设置全室通风，通风方式为机械进风；变配电站、泵房、空压、冷冻站设置全室通风，根据房间不同的风量设置相应的通风机；各建筑的辅助办公室等设置卫生通风，满足卫生要求；卫生间设全室通风，各主要生产区设置局部通风系统。冷冻水系统在动力厂房内设置低温(6/12)水冷离心式冷冻机组，使用R134a冷媒为空调系统、冷却水系统等设施提供冷源。蒸汽及空调热水系统本项目蒸汽主要为空调系统、纯水系统等提供热源。自来水系统生活用水：2600人38升/人.天生产用自来水：71.3m3/h 24h/d纯水站补水：6m3/h 24h/d冷却水补水：1.2%8649m3/h24h/d洗涤塔补水：采用纯水站RO浓缩水，不消耗自来水消耗量最大使用量约：170 m3/h新鲜水年消耗量约：160万m3/a水源与水池本项目水源来自开发区市政给水管网。场区内设置生产消防水池和冷却水池，供消防及生产使用。生活水水源直接取自开发区市政给水管网。消防系统消防水量消火栓给水系统室内外消火栓给水采用独立的临时高压系统，由消防蓄水池、电消火栓加压电泵、高位消防水箱、消火栓管网和室内外消火栓组成。消防蓄水池采用地下式钢筋混凝土水池，消火栓泵采用消防专用泵 ,为自灌式吸水。除消防水箱设在最高处屋面上，其余设备均设于地下水泵房内。平时室内外消火栓给水管网的压力由消防水箱保证，消火栓泵可以就地启停，也可在消防控制中心手动启停，同时室内消火栓泵可由室内消火栓箱内按钮远距离启动，消防时主泵启动前的室内消防用水由消防水箱保证。火栓泵组两路出水至室外环状消防管路，环网上均匀设置室外消火栓。设置室内消火栓的各建筑物均从该环状管路上引两路接至其室内环状消防管路。灭火器配置根据建筑灭火器配置设计规范的规定，本工程灭火器配置场所危险等级为中危险级，可能的火灾种类为A类、B类和带电火灾，采用磷铵干粉灭火器。1.2.5.5工艺服务系统工艺设备冷却水系统工艺设备冷却水供给生产设备冷却用，流量8649m3/h，单晶炉进水温度2329, 切片机进水温度67和1213。系统补充水水质为反渗透水(RO)(R100kW-cm)，工艺设备冷却水系统采用板式水-水换热器，水泵为变频水泵。压缩空气系统干燥压缩空气供给生产设备、部分动力系统使用。项目消耗量4300m3/h，使用点压力0.6 MPa，压力露点40C，微粒(0.1m) 5pcs/cft。经过滤器过滤后的空气经空压机压缩后进入储气罐，再经预过滤器、无热再生干燥器干燥后进入终端过滤器，干燥净化后的压缩空气经主配管送至生产厂房CDA分配系统。空压站设置在动力厂房内。氩气系统单晶炉使用氩气作保护气，最大量1800m3/h，平时用量1400m3/h。氩气贮罐设在生产厂房动力区附近的室外空地。液氩低温槽车到接卸区后，接通贮罐与槽车的汽液相管，利用槽车的自身压力将低温液氩卸至贮罐。液氩为低温贮存，液氩低温贮罐为真空绝热容器。使用时，利用贮罐的压力将液氩送入气化器自然气化，再经减压阀组减压至0.5MPa后，通过氩气总管输送至主机房。然后分别通过各支管，经二级减压至0.2MPa后，接至各单晶炉。纯水系统生产中多晶硅料的清洗、硅片的清洗，生产工具、器具、石英制品清洗等使用纯水。纯水用量为20m3/h。纯水系统分成前处理和后处理两部分，均设置在动力厂房内。前处理部分首先由纯水原水泵从生产、消防合用贮水池取水，加压送至纯水站，经机械过滤、活性碳过滤等预处理后，由热交换器换热至25，再经过RO过滤器过滤，进入二级RO装置，制成10M纯水，进入初级纯水箱。RO水同时作为工艺冷却水和机械冷冻水的补充水，RO浓缩水作为洗涤塔用水。后处理部分由纯水加压泵从初级纯水箱取水，经杀菌、脱气、离子交换进入终端纯水箱，最终由纯水输送泵经杀菌、热交换器、混床、超滤送至用户，循环回水再回至终端纯水箱。工艺排风系统根据生产性质，工艺设备排风分为酸碱性废气排风和一般排风，项目工艺设备排风预计为204000m3/h，包括：酸碱性废气排风：78000m3/h一般排风：126000m3/h酸碱性废气排风设置酸性废气洗涤塔，并设排气筒高空排放。单晶炉等使用电能作热源的设备需要排出热废气。酸碱性废气主要是多晶硅料和单晶硅在各类酸和碱中进行化学清洗工艺中产生，以酸性气体为主要成分，主要污染物有NaOH、HNO3、HF等。1.2.5.6电气供电项目用电装设功率55000KW，实际消耗功率35600KW，实际用电量估计29912万度/年。本项目用电从开发区XX变电站引来，在动力中心内建设35KV总降压变电站一座，内设35KV高压配电设备、35KV/10KV主变压器，将供电电压由35KV降为10KV，为10KV终端变配电所供电，变电所内设10KV/0.4KV配电装置、10KV/0.4KV分配电变压器及低压配电装置。消防用电和部分生产用电为一级负荷，其它为二级负荷。一级负荷需用双回路供电,其中一回路故障时,另一回路能带大部分或全部负荷,使生产不致中断。同时，为了保证单晶炉应急冷却水系统的供电，该系统双电源供电的情况下，另设备用发电机。接地设置防雷接地、保护接地、防静电接地、安全接地、采用共用接地系统等。照明各建筑内照明配电除一般照明外，还设置应急照明及疏散照明。急照明光源及照明灯具选型与所在区域的一般照明的光源及灯具相同，应急照明灯具内自带蓄电池，应急时间不小于90分钟。在主要出入口处、疏散走道、楼梯间设置诱导标志灯作为疏散照明，其地面照度值为1lx，疏散路线上的诱导标志灯带方向指示，出口的诱导标志灯安装在门的上方，诱导标志灯带蓄电池，应急时间不小于90分钟。所有荧光灯采用高效、节能、寿命长的灯管,灯具配电子镇流器。工厂动力管理系统（FMCS）设置设施管理系统（FMCS），该系统由设施监控系统（SCADA）、PLC设备（硬件及软件）、DDC设备（硬件及软件）、远程I/O接口柜、过程仪表、控制盘、控制电缆、驱动器、附属设备、FMS控制室的操作控制台构成。控制对象包括各建筑内空气处理调节系统；纯水制备处理系统、冷冻水供应系统、热水供应系统、工艺冷却水（PCW）系统；高纯气体、工艺真空、压缩空气系统；废气、废水、废物处理系统；办公区的空气处理调节系统等。另外，生命安全系统（火灾报警、气体报警）、中央变电站及终端变电站各有自己专门的控制系统，可经TCP/IP网在FMCS操作界面进行监视（不能控制）。控制仪表、传感器及驱动器包括温度、湿度、压力仪表或传感器、压差传感器、变送器、差压开关、信号转换器、导电率探头、液位变送器、驱动器等，采集测量各子系统现场工艺参数和状态信息，并通过驱动器完成调节控制。1.2.5.7通信按照规范及顾客要求，设计内容为：电话系统、计算机网络系统、监控系统、电话/数据综合布线系统、门禁控制及考勤系统、广播系统及安防系统。电话系统根据项目建筑内各区域电话数量要求及以后发展的需要，设一全时分数字程控用户电话交换机，初装容量满足工程近期的需要，交换机可扩容。具有模拟/数字语音通信及数据通信能力，并有强大的组网能力，电话站预留电源及配线的发展容量。消防控制室、变配电站、保安室等除设内线电话外还设市内直拨电话。计算机网络企业内计算机网络支持办公、生产、设备等计算机管理系统、会议电视、企业资源管理、因特网接入等数据传输。数据服务宽带网光纤由运营商接入。计算机网络布线进入建筑物综合布线系统，计算机网络速率采用100MBPS以太网，星型结构，布线系统采用超五类综合配置。数据中心即电话系统的通信机房。广播系统广播系统为公共广播与消防广播系统合用，广播主机设在消防值班室内，由火灾报警主机引来应急广播自动播音信号线，正常时为全厂室内区域提供业务广播，背景音乐，作息信号等服务，火灾时由火灾报警主机强制开启并播放火灾报警信号。门禁控制及考勤系统在建筑的人员入口、通道、重要的房间设门禁控制系统。门禁系统可对相应的建筑或区域的入口进行人员流动的控制、管理，防止非法进入，并在主要入口设置考勤机。在火灾等紧急状态下，入口处的门均被打开，以便人员疏散。安防系统为了保证本工程各建筑及室外的安全，设置安全监控系统：（1）安全监控主机、监视器、数字硬盘录像机、监视器等设备，设在消防保安控制室。（2）安全监控摄像机设在厂区各主要出入口及周界各处、建筑各主要出入口及室内重要生产区域等处。（3）该系统对监控场所进行实时、有效的视频探测、监视、显示和记录，并具有报警和图像复核功能。同时，该系统还具有与入侵报警系统进行联动控制的功能。（4）在室外设置周界报警系统。沿围墙周界设对射式红外线探测器，翻越、跨越围墙入侵即发出报警信号。1.3主要数据和技术经济指标表14主要数据和技术经济指标序号名称单位数据备注1产能：配套电池产能300兆瓦/年单晶硅吨/年2100单晶硅片万片/年14000 2总投资万元145166一期工程其中铺底流动资金万元6206其中固定资产投资万元1389593职工人数人26004总建筑面积m21154155主要生产设备台/套7526用电量万度/Y299127自来水消耗量万T/Y1608销售收入万元234577达产年平均9销售利润率33.44平均利润10内部收益率%36.17税后11投资回收期年4.38第二章战略规划、产业政策及行业准入2.1拟建项目与相关规划的关系能源发展“十一五”规划中指出：“十一五”期间，重点发展资源潜力大、技术基本成熟的风力发电、生物质发电、生物质成型燃料、太阳能利用等可再生能源，以规模化建设带动产业化发展。同时制定可再生能源发电配额制度，完善可再生能源发电电价优惠政策，施行有利于生产和使用可再生能源的税收政策。本项目生产的单晶硅全部用于制造太阳电池，且为产业化项目，为国家规划发展之重点方向。2.2拟建项目与相关产业政策的关系中华人民共和国国家发展和改革委员会2007年12月1日发第57号令产业结构调整指导目录（2007年本）鼓励类中制造业第十五项第1条指出“直径200mm以上硅单晶及抛光片、多晶硅生产”为鼓励类产业，本项目主要为200mm*200mm单晶硅的制造，因此项目为国家鼓励类产业。2.3拟建项目与相关行业准入标准的关系国家限制用地项目目录（2006年本）和禁止用地项目目录（2006年本）未列入该类项目。国家产业结构调整指导目录(2007年本)列入鼓励类产业目录。第三章建设用地分析3.1项目选址及用地方案3.1.1厂区位置XXXXXXXXXXXX本项目785亩规划用地采用一次规划，分期实施的原则建设。本次一期工程用地280亩，位于规划用地的东侧，总建筑面积115415平方米。3.1.2 工程地质、水文地质及地震烈度 工程地质 水文地质 地形地貌3.1.3 气象条件3.1.4 交通运输条件3.1.5 给排水本项目工艺生产用水水源来自经济开发区市政自来水。生产废水经本项目污水预处理装置处理后排入开发区废水管网。生活污水直接排至化粪池。生产净下水及雨水收集后排至雨水管网。3.2土地利用合理性分析3.2.1厂区规划方案本项目厂区总征地面积约280亩，建筑系数42.8%，总建筑面积为115415m2，容积率1.05。具体指标如下：表31主要建筑物一览表序号建筑号厂房名称单位占地面积实际建筑面积容积率计算建筑面积层数一期1101综合楼m22600156001560062102单晶厂房 (年产120MW)m28580171602574023103单晶厂房 (年产120MW)m28580171602574024104单晶厂房 (年产120MW)m28580171602574025105动力站及水池m272007200720016106高压变电站m263006300630017107化学品库m210501050105018108Ar罐区m26000091091.2GW洗晶车间m2884088408840110110300MW切片厂房及仓库m2221002210044200111111甲类库m2200200200112112岗亭m2202020113113停车场m2105052552514114停车场m242002100210015213预留宿舍m223451641516415716214预留宿舍m2234516415164157一期建设合计79900115415163255一期规划合计m284590148245196085二期201综合仓库m21100011000220001202300MW切片厂房m21500015000300001203300MW切片厂房m21500015000300001204单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402205单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402206单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402207单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402208Ar罐区m260000209污水处理厂房m2680068006800210岗亭m22020201211停车场m21050525525212岗亭m22020201二期建设合计88500149835225155二期规划合计m283810117005192325三期301300MW切片厂房m21500015000300001302单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402303单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402304单晶厂房 (年产120MW)m2858017160257402305动力站及水池m21200012000120001306化学品库m21050105010501307甲类库m220020020013081.2GW砂浆回收厂房m21540015400154001309Ar罐区m260000310岗亭m22020201三期建设及规划合计m27001095150135890总计m2238410360400524300表32主要技术指标序号名 称单 位数 量备 注1一期用地面积m2186667约280亩最终用地面积m2523334约785亩2民用建筑用地面积m233333约50亩3民用建筑总建筑面积m2484304一期建筑占地面积m279900最终建筑占地面积m22384105一期总建筑面积m2115415最终总建筑面积m23604006一期容积率计算总建筑面积m2196085最终容积率计算总建筑面积m25243007一期绿化面积m217794最终绿化面积m2474878一期建筑密度%42.8 最终建筑密度%45.6 9一期容积率-1.050 最终容积率-1.002 10一期绿化率%9.5 最终绿化率%9.1 11民用建筑用地比例%6.4 12民用建筑建筑面积比例%13.4 3.2.2土地利用合理性分析本项目建设均按照当地建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计。将严格按照当地规划与国土资源局提供的界址点坐标及用地方案图布置厂区总平面布置图。本项目建筑系数为42.8%（国土资源部最新发布的工业项目建设用地控制指标中规定建筑系数不得低于30%），同时满足地方“建筑密度：40%”的要求。本项目容积率为1.05，（国土资源部最新发布的工业项目建设用地控制指标中未明确硅棒、硅片、太阳电池制造等的行业分类，对相临近的行业容积率控制指标要求是不低于0.70.8），同时满足地方“容积率（FAR）：FAR1.0”的要求。 本项目绿化率为9.5%，满足国家指标要求，同时满足地方“绿化率：绿化率10%”的要求。本项目行政办公及生活服务设施针对785亩项目用地考虑，使用指标满足国家规定，同时满足地方“行政办公及