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(完整word)材料物理性能-复习资料第二章 材料的热学性能热容：热容是分子或原子热运动的能量随温度而变化的物理量，其定义是物体温度升高1K所需要增加的能量。不同温度下，物体的热容不一定相同，所以在温度T时物体的热容为:物理意义：吸收的热量用来使点阵振动能量升高，改变点阵运动状态，或者还有可能产生对外做功；或加剧电子运动。晶态固体热容的经验定律：一是元素的热容定律杜隆珀替定律:恒压下元素的原子热容为25J/（Kmol）；二是化合物的热容定律奈曼柯普定律：化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和.不同材料的热容：1.金属材料的热容：由点阵振动和自由电子运动两部分组成，即 式中和分别代表点阵振动和自由电子运动的热容；和分别为点阵振动和自由电子运动的热容系数。合金的摩尔热容等于组成的各元素原子热容与其质量百分比的乘积之和，符合奈曼柯普定律： 式中，ni和ci分别为合金相中元素i的原子数、摩尔热容.2。无机材料的热容：（1）对于绝大多数氧化物、碳化物，热容都是从低温时的一个低的数值增加到1273K左右的近似于25J/（Kmol)的数值。温度进一步增加，热容基本无变化。（也即它们符合热容定律）（2）对材料的结构不敏感，但单位体积的热容却与气孔率有关。气孔率越高,热容越小。相变可分为一级相变和二级相变.一级相变:体积发生突变，有相变潜热,例如,铁的ar转变、珠光体相变、马氏体转变等；二级相变:无体积发生突变、无相变潜热,它在一定温度范围逐步完成.例如，铁磁顺磁转变、有序-无序转变等，它们的焓无突变，仅在靠近转变点的狭窄温度区间内有明显增大，导致热容的急剧增大，达转变点时,焓达最大值。3。高分子材料热容：高聚物多为部分结晶或无定形结构，热容不一定符合理论式。一般,高聚物的比热容比金属和无机材料大，高分子材料的比热容由化学结构决定，它存在链段、链节、侧基等，当温度升高时，链段振动加剧，而高聚物是长链，使之改变运动状态较困难，因而，需提供更多的能量。传导机制（1)金属中热传导是以自由电子导热为主，合金热传导以自由电子导热和声子导热为主;金属材料的热导率很大。（2）对于晶体的无机非金属，热传导主要是靠点阵振动，即声子导热为主，约为金属热传导的三十分之一。（3）高聚物的热传导以链段运动传热为主，而高分子链段运动比较困难，所以，其导热能力较差。晶体中存在的各种缺陷和杂质会导致声子的散射,降低声子的平均自由程,使热导率变小。固溶体的形成同样也降低热导率,而且溶质元素的质量和大小与溶剂元素相差愈大,取代后结合力改变愈大，则对热导率的影响愈大。热阻：材料对热传导的阻碍能力.理想晶体中的热阻也即声子与声子的碰撞。热膨胀本质:原子间相互作用，位能曲伸不对称。温度升高，振动加剧,振动中心发生变化（右移），原子间距增大，材料产生热膨胀。线膨胀系数与熔点的关系有一个经验表达式： 因此，固态晶体的熔点愈高，晶体原子间结合力增大，其膨胀系数就愈低。高分子材料的热稳定性提高高分子的耐热性：（1）增加高分子链的刚性（分子链带上庞大的侧基，增加主链共轭双键，减少单链），(2）提高聚物结晶能力（提高链的规整度和对成性)，(3）进行交联，增加分子链间化学键，阻碍分子链运动.无机材料的热稳定性提高抗热冲击断裂性能的措施（主要针对陶瓷，玻璃等)：提高材料强度，减小弹性模量 E,使/E提高。 提高材料的热导率，使R提高。减小材料的热膨胀系数。也即产生的热应力小.减小表面热传递系数h。减小产品的有效厚度rm。热差分析：是在程序控制温度下，将被测材料与参比物在相同条件下加热或冷却，测量试样与参比物之间温差（T）随温度(T)时间（t)的变化关系.参比物要求：应为热惰性物质，即在整个测试的温度范围内它本身不发生分解、相变、破坏，也不与被测物质产生化学反应同时参比物的比热容，热传导系数等应尽量与试样接近。第三章 材料的光学性能一、光在介质中的传播速度比真空慢的原因当光的电磁场作用到介质上时，介质的原子受到外加电场的作用而极化,正电荷沿着电场方向移动,负电荷沿着反电场方向移动，这样正负电荷的中心发生相对位移.外电场越强，原子正负电荷中心距离越大。由于这种光波电磁场和介质原子的电子体系的相互作用而产生的极化，“拖住”了电磁波的步伐,使光波的传播速度减少。二、光的反射:指光在传播到不同物质时，在分界面上改变传播方向又返回原来物质中的现象。影响因素：在垂直入射的情况下，光在界面上反射的多少取决于两种介质的相对折射率n21 ，如果n1和n2相差很大，那么界面反射损失就严重。如果n1等于n2，几乎没有反射损失。由许多块玻璃组成透镜系统。反射损失更可观。为了减小这种界面损失，常常采用折射率和玻璃相近的胶将它们粘起来，这样，除了最外和最内的表面是玻璃和空气的相对折射率外，内部各界面都是玻璃和胶的较小的相对折射率，从而大大减小了界面的反射损失。三、双折射现象、常光折射和非常光折射的概念当光通过除立方晶体以外的其他品型介质时，一般都要分为振动方向和互垂直、传播速度不等的两个波，它们分别形成两条折射光线，这个现象称为双折射。双折射光线中，平行于人射面的光线的折射率，称为常光折射率n0，不论入射光的入射角如何变化,n0始终为一常数，因而常光折射率严格服从折射定律.另一条与之垂直的光线所构成的折射率、则随入射线方向的改变而变化，称为非常光折射率ne，它不遵守折射定律,随入射光的方向而变化。四、 选择吸收:同一物质对各种波长的光吸收程度不一样，有的波长的光吸收系数可以非常大,而对另一波长的吸收系数又可以非常小。均匀吸收：介质在可见光范围对各种波长的吸收程度相同.金属材料、半导体、电介质产生吸收峰的原因 (1)金属对光能吸收很强烈，这是因为金属的价电子处于未满带，吸收光子后即呈激发态，用不着跃迁到导带即能发生碰撞而发热。(2）半导体的禁带比较窄,吸收可见光的能量就足以跃迁.（3）电介质的禁带宽，可见光的能量不足以使它跃迁，所以可见光区没有吸收峰。紫外光区能量高于禁带宽度,可以使电介质发生跃迁，从而出现吸收峰。电介质在红外区也有一个吸收峰，这是因为离子的弹性振动与光子辐射发生谐振消耗能量所致.五、散射：材料中如果有光学性能不均匀的结构，例如含有透明小粒子，光性能不同的晶界相、气孔或其他夹杂物，都会引起一部分光束偏离原来的传播方向而向四面八方散开来。折射:当光依次通过两种不同介质时,光的行进方向要发生改变，这种现象称为折射.弹性散射：光的波长(或光子能量)在散射前后不发生变化的，称为弹性散射。非弹性散射：当光束通过介质时，人射光子与介质发生非弹性碰撞，使散射光的波长（或频率)发生改变，这种散射称为非弹性散射。与弹性散射相比，非弹性散射通常要弱几个数量级，常常被忽略。六、红移、蓝移原因（1）从能量的角度看，可以用简单的能级跃迁图来说明。图a表示瑞利散射过程，图b可表示红移过程,图c表示蓝移过程。(2)从波动观点来看，光的非弹性散射机制是光波电磁场与介质内微观粒子固有振动之间的耦合,从而激发介质微观结构的振动或导致振动的消失,以致散射光波频率相应出现“红移”频率降低或“蓝移”(频率增高)。七、利用拉曼散射分析物质的结构（不确定)由于拉曼散射和布里渊散射中散射光的频率与散射物质的能态结构有关,研究非弹性光散射已经成为获得固体结构、点阵振动、声学动力学以及分子的能级特征等信息的有效手段。八、色散：材料的折射率随入射光的频率的减小（或波长的增加）而减小的性质,称为材料的色散。原因：在光波电磁场的作用下，光波引起介质中束缚电荷受迫振动,受迫振动的振子（束缚电荷)又可以作为新的电磁波波源，向外发射“电磁次波”（或称散射波）.在固体材料中，这种散射中心的密度很高，多个振子波的相互干涉使得次波只沿原来入射光波的方向前进.按照波的叠加原理，次波和入射光波叠加的结果使合成波的位相与入射波不同。次波的叠加改变了波的位相,也就改变了光波的速度.九、自发辐射与受激辐射的区别自发辐射过程是指，如果原子已经处于高能级，那么它就可能自发、独立地向低能级跃迁并发射一个光子，其能量为: h=E2E1各个原子发射的自发辐射光子，除了能量（频率)受上式限制外，其发射方向和偏振态都是随机和无规的。受激辐射过程是，当一个能量满足h=E2-E1的光子趋近高能级E2的原子时，人射的光子诱导高能级原子发射一个和自己性质完全相同的光子来。受激辐射的光子和人射光子具有相同的频率、方向和偏振状态。十、激光的激活介质的作用：实现粒子数反转的介质，具有对光的放大作用。十一、红宝石红宝石（CrAl2O3） 加工好的红宝石激光器呈棒状，两端面平行,靠近两个端面各放置一面镜子，以便使一些自发发射的光通过激光棒来回反射。其中一个镜子起完全反射的作用，另一个镜子只是部分反射。当沿着激光棒的长度方向用氙闪光灯照射时，大部分闪光的能量以热的形式散失,一小部分被激光棒吸收，Cr3+的d电子可以从4A2基态激发到4F1和4F2 激发态.这些激发态寿命很短(10-9s），通过无辐射跃迁迅速衰变,降到2E能级.2 E激发态的寿命很长，约为5x103s，这表明有足够的时间形成位子数反转。然后由2E能级跃迁返回基态，多余的能量以激光形式释放出来,于是产生了激光.第四章 材料的导电性能一、超导:在一定的低温条件下材料突然失去电阻的现象称为超导电性。两个基本特性：完全导电性和完全抗磁性（即超导体内无磁场，内部磁感应强度B为零)二、库柏电子对（BCS理论）：当超导体内处于超导态的某一电子e1在晶体中运动时，它周围的正离子点阵将被这个电子吸引以降低静电能，从而使这个局部区域的正电荷密度增加，而这个带正电的区域又会对邻近电子e2产生吸引力，正是由于这种吸引力克服了静电斥力，使动量和自旋方向相反的两个电子e1、e2结成了电子对，这种电子对称为库柏电子对。材料变为超导态后,由于电子对结成库柏对,使能量降低而成为一种稳定态。三、固溶体、化合物对导电性能的影响1.固溶体的导电性(1）固溶体组元浓度对电阻的影响 一般情况下形成固溶体时合金的电导率降低，即电阻率增高。固溶体电阻率比纯金属高的主要原因是溶质原子的溶入引起溶剂点阵的畸变,破坏了晶格势场的周期性，从而增加了电子的散射概率,使电阻率增大。同时,由于固溶体组元间化学相互作用（能带、电子云分布等）的加强使有效电子数减少，也会造成电阻率的增高.（2）有序固溶体的电阻 固溶体有序化对合金的电阻有显著的影响,其影响作用体现在两方面:一方面，固溶体有序化后，其合金组元间化学作用加强，电子结合比无序固溶体强，导致导电电子数减少而合金的剩余电阻增加；另一方面，晶体的离子电场在有序化后更对称，从而减少对电子的散射，使电阻降低。综合这两方面，通常情况下第二个因素占优势，所以有序化后，合金的电阻总体上是降低的。(3）不均匀固溶体(K状态)的电阻 当形成不均匀固溶体时，在固溶体点阵中只形成原子的偏聚，原子聚集区域的集合尺寸与电子波的波长相当(约1nm)，故可以强烈地散射电子波,提高了合金电阻率.2。金属化合物的导电性当两种金属原子形成化合物时,其合金电导率要比纯组元的电导率低得多，这是因为组成化合物后，原子间的金属键至少有一部分转化为共价键或离子键，使有效电子数减少,导致电阻率增高。四、温度、压力、形变对于导电性质的影响温度:金属电阻率随温度升高而增大,温度升高会使离子振动加剧，热振动振幅加大,原子的无序度增加,周期势场的涨落也加大。这些因素都使电子运动的自由程减小，散射概率增加而导致电阻率增大。大多数金属在熔化成液态时，其电阻率会突然增大约1.52倍,这是由于原子排列的长程有序被破坏，从而加强了对电子的散射，引起电阻增加。应力的影响：弹性应力范围内的单向拉应力，使原子间的距离增大,点阵的畸变增大，导致金属的电阻增大.高的压力往往能导致物质的金属化.引起导电类型的变化，而且有助于从绝缘休半导体金属超导体的转变。冷加工变形的影响：冷加工变形使晶体点阵畸变和晶体缺陷增加,特别是空位浓度的增加，造成点阵电场的不均匀而加剧对电子散射的结果。若对冷加工变形的金属进行退火，使它产生回复和再结晶，则电阻下降。再结晶生成的新晶粒的晶界增多，对电子运动的阻碍作用增强所造成的，晶粒越细，电阻越大。（回复退火可以显著降低点缺陷浓度,因此使电阻率有明显的降低。再结晶过程可以消除形变时造成的点阵畸变和晶体缺陷，所以再结晶可使电阻率恢复到冷变形前的水平。）五、多晶多相的陶瓷材料影响导电性的因素其导电性受玻璃相、晶界和气孔的影响。电导很大程度上取决于玻璃相。晶界对带电离子运动产生散射，但要弱于晶格的散射效应。气孔相电导率一般较低,所以，对于少量气孔分散相,气孔率增加，陶瓷材料的电导率减小.如果气孔量很大，形成连续相，电导主要受气相控制。这些气孔形成通道，使环境中的潮气、杂质很容易进人,对电导有很大的影响。六、双碱效应和压碱效应双碱效应：双碱效应是指当玻璃中碱金属离子总浓度大（占玻璃组成2530)时，碱金属离子总浓度相同的情况下,含两种碱金属离子比含一种碱金属离子的玻璃电导率要小。当两种碱金属浓度比例适当时，电导率可以降到很低。压碱效应：压碱效应是指含碱玻璃中加人二价金属氧化物，特别是重金属氧化物。使玻璃的电导率降低.（相应的阳离子半径越大,这种效应越强.这是由于二价离子与玻璃中氧离子结合比较牢固,能嵌入玻璃网络结构，以致堵住了迁移通道，使碱金属离子移动困难，因而电导率降低.）七、三个热电效应的概念1。第一热电效应塞贝克效应当两种不同的导体组在两接头处存在温度差，则回路中将有电势及电流产生，这种现象称为塞贝克效应。回路中产生的电势称为热电势，电流称为热电流，上述回路称为热电偶或温差电池。塞贝克效应产生的机理：1。触点处有接触电位差，当两种不同金属紧密接触时,由于它们的真空能级都为零，而各自的表面势垒E0和费米能EF不同，也即它们的逸出功不同。另外不同金属的自由电子密度不同，由此产生接触电位差。2.回路里面的电位差，2。第二热电效应玻尔帖效应当电流通过两个不同金属的接点时,除因电流产生的焦耳热外，还要在两接头处额外产生放热或吸热效应，这种现象称为玻尔帖效应。玻尔帖效应可以用接触电位差来解释。接触电位差的电场将阻碍电流电子的运动，电子要反抗电场力做功eV12，电子动能要减小；减速的电子与金属原子相碰，又从金属原子取得动能，从而使该处温度降低，须从外界吸收能量.（而在接头B处，情况相反.）3.第三热电效应汤姆逊效应当电流通过有温差的导体时，会有一横向热流流入或流出导体，其方向视电流的方向和温度梯度的方向而定，此种热电现象称为汤姆逊效应。对汤姆逊效应可作如下解释：当某一金属存在一定的温差（温度梯度)时，电子被温差电场加速，电子从温差电场中获得的能量，除一部分用于电子达高温端所需的动能增加外，剩余的能量将通过电子与晶格的碰撞传给晶格，使整个金属温度升高，并放出热量.反之则吸热。第五章 材料的介电性能一、束缚电荷：在真空平板电容间嵌人一块电介质，当加上外电场时，则在正极板附近的介质表面上感应出负电荷，负极板附近的介质表面感应出正电荷。这种感应出的表面电荷称为感应电荷，亦称束缚电荷。二、电介质极化的机制包括电子的极化、离子的极化(又可分为位移极化和弛豫极化)、电偶极子取向极化、空间电荷极化.1。电子、离子位移极化:（1)电子位移极化 在外电场作用下，原子外围的电子轨道相对于原子核发生位移，原子中的正、负电荷重心产生相对位移。(2)离子位移极化离子在电场作用下偏移平衡位置的移动,相当于形成一个感生偶极矩。2弛豫(松弛)极化：这种极化机制也是由外加电场造成的,但与带电质点的热运动状态密切相关。极化是一种非可逆过程.3。取向极化:沿外场方向取向的偶极子数大于与外场反向的偶极子数,因此电介质整体出现宏观偶极矩，这种极化称为取向极化。4.空间电荷极化：混乱分布的空间电荷，在外电场作用下。趋向于有序化.即空间电荷的正、负电荷质点分别向外电场的负、正极方向移动，从而表现为极化。 压电性：对晶体在一些特定方向上加力，则在力的垂直方向的平面上出现正、负束缚电荷,这种现象为压电效应。产生条件:压电体首先必须是电介质，同时其结构必须有带正、负电荷的质点离子或离子团的存在。（必须是离子晶体或者由离子团组成的分子晶体）热释电性:晶体由于温度作用而使共电极化强度变化,这就是热释电性,亦称热电性。产生条件:晶体是具有自发极化（固有极化）的能力，在结构上应具有极轴,无对称中心.铁电性：晶体中其极化强度随外加电场的变化而变化的性质。产生条件：铁电体具有自发极化（电场极化）,无对称中心，有极轴和电滞回线。第六章 材料的磁学性能一、固有磁矩产生的原因 原子固有磁矩由电子的轨道磁矩和电子的自旋磁矩构成,电子绕原子核运动,产生轨道磁矩;电子的自旋也产生自旋磁矩。当电子层的各个轨道电子都排满时，其电子磁矩相互抵消，这个电子层的磁矩总和为零。原子中如果有未被填满的电子壳层，其电子的自旋磁矩未被抵消(方向相反的电子自旋磁矩可以互相抵消)，原子就具有“永久磁矩”。二、抗磁性与顺磁性抗磁性:轨道运动的电子在外磁场作用下产生附加的且与外磁场反向的磁矩。产生原因：外加磁场作用下电子绕核运动所感应的附加磁矩造成的。顺磁性：材科的顺磁性来源于原子的固有磁矩。产生原因：因为存在未填满的电子层，原子存在固有磁矩,当加上外磁场时，为了降低静磁能，原子磁矩要转向外磁场方向,结果使总磁矩不为零而表现出磁性。三、强顺磁性：过渡族金属在高温都属于顺磁体，这些金属的顺磁性主要是由于3d, 4d， 5d电子壳层未填满，而d和f态电子未抵消的磁矩形成晶体离子构架的固有磁矩，因此产生强烈的顺磁性.四、磁化曲线、磁滞回线剩余磁感应强度：Br（剩余磁化强度Mr)矫顽力：Hc饱和磁感应强度:Bs（饱和磁化强度Ms五、磁畴：在铁磁材料中存在着许多自发磁化的小区域，我们把磁化方向一致的小区域,称为磁畴。结构:磁畴结构包括磁畴的形状、尺寸、畴壁的类型与厚度，同一磁性材料如果磁畴结构不同，则其磁化行为不同。从能量观点来看，磁畴结构受到交换能、各向异性能、磁弹性能、畴壁能及退磁能的影响.稳定的磁畴结构，应使其能量总和最小。由于晶体表面形成磁极的结果,这种组态退磁能最大。从能量的观点，把晶体分为两个或四个平行反向的自发磁化区域可以大大降低退磁能。当磁体被分为n个区域（即n个磁畴)时，退磁能降到原来的1/n.但由于两个相邻磁畴间畴壁的存在又增加了畴壁能，因此自发磁化区域的划分并不是可以无限地小,而是以畴壁能及退磁能之和为最小，分畴停止.六、产生自发磁化的原因在没有外磁场的情况下，材料所发生的磁化称为自发磁化。(1）从能量的角度:铁磁性物质自发磁化是由于电子间的相互作用产生的。当两个原子相接近时，电子云相互重叠，由于3d层和4s层的电子能量相差不大，因此它们的电子可以相互交换位置,迫使相邻原子自旋磁矩产生有序排列.因交换作用所产生的附加能量成为交换能，用Eex表示。交换能的正负取决于A和,当A为正值（A0)时，时，Eex为负最大值,即相邻自旋磁矩同向平行排列时能量最低,即自发磁化;（当A为负值（A0). =180，Eex为负最大值，即相邻自旋磁矩反向平行排列时能量最低，即产生反磁性。）(2)交换能积分常数A与原子之间的距离a和未填满电子壳层半径r之比有如下关系：当a/r3时，A0，有自发磁化倾向。(当a/r3时，A0，这时自旋磁矩反向平行排列时能量最低）七、超交换：通过夹在磁性离子间的氧离子形成的间接交换作用，称为超交换作用.八、正尖晶石型、反尖晶石型通常把氧四面体空隙位置称为A位，八面体空隙位置称为B位并用来表示。如果M2+都处于四面体A位，Fe3+处于B位，如Zn2+Fe3+2O4,这种离子分布的铁氧体称为正尖晶石型铁氧体；如果M2+占有B位，F3+占有A位及余下的B位，则称为反尖晶石型铁氧体，如Fe3+Fe3+ M2+O4。九、磁滞伸缩效应:当铁磁体在磁场中被磁化时，由于原子磁矩有序排列，电子间的相互作用，导致原子间距的自发调整过程而使其尺寸和形状发生改变。十、铁磁的技术磁化的过程技术磁化是指在外磁场作用下铁磁体从完全退磁状态磁化至饱和状态的内部变化过程。铁磁物质的磁化可以分为三个阶段：起始磁化阶段、急剧磁化阶段及缓慢磁化至饱和阶段。在起始磁化阶段,在外加磁场的作用下,能态低的锐角畴扩大，能态高的钝角畴缩小，是铁磁体宏观上表现出微弱的磁化,该过程是可逆的。在急剧磁化阶段，钝角畴瞬时转向与磁场成锐角的易磁化方向，发生巴克豪森跳跃，不可逆的.当所有的原子磁矩都转向与磁场成锐角的易磁化方向后,晶体成为单畴。如果再增强磁场，磁矩将逐渐转向外磁场H的方向。当外磁场使磁畴的磁化强度矢量与外磁场方向一致（或基本上一致）时，磁化达到饱和,称为磁饱和状态,此过程是可逆的。十一、单畴颗粒的磁化特点：单畴颗粒中不存在畴壁，因而在技术磁化时不会有壁移过程,而只能依靠畴的转动.具有低的磁导率和高的矫顽力。十二、磁畴迁移的杂质理论和内应力理论技术磁化过程中，磁畴壁移动存在阻力，因此需要由外磁场做功。阻力来自两个方面:一是由磁体磁化时产生的退磁能。二是由晶体内部的缺陷、应力及组织所造成的不均匀性。（1)内应力理论：实际晶体中不可避免存在位错、空位、间晾原子及溶质原子,这些晶体缺陷都会产生内应力,磁化过程中铁磁体的磁致伸缩效应也会造成内应力。铁磁体中内应力的分布状态决定了畴壁迁移的阻力。(2）杂质理论：从能量角度考虑，在无外磁场作用时，畴壁如果位于杂质处，畴壁就要被杂质穿孔而减少畴壁总面积,因此畴壁能低。如果施加磁场使畴壁移动离开这个位置，畴壁的面积就要增大,导致畴壁能量的增高,给畴壁迁移造成阻力。十三、提高剩磁Mr措施:使材料的易磁化方向与外磁场方向一致;进行磁场热处理。十四、影响铁磁性的因素影响铁磁性的因素主要有两方面：一是外部环境因素,如温度和应力等；二是材料内部因素,如成分、组织和结构等。1。温度的影响：随温度升高,饱和磁化强度Ms下降。2。应力的影响：当应力方向与金属的磁致伸缩为同向时，应力对磁化起促进作用，反之起阻碍作用。3.形变和晶粒细化的影响：磁导率m,随形变量的增加而下降，而矫顽力Hc则相反。剩余磁感应强度Br,在临界变形度下(约5%8%)急剧下降，而在临界变形度以上则随形变量的增加而增加。晶粒细化对磁性的影响和塑性变形的作用相似，晶粒越细,则矫顽力和磁滞损耗越大，而磁导率越小.形变影响原因：在临界变形度以下，只有少量晶粒发生了塑性变形，整个晶体的应力状态比较简单,沿铁丝轴向应力状态有利于磁畴在去磁后的反向可逆转动而使Br降低；在临界变形度以下，晶体中大部分晶粒参与形变，应力状态复杂，内应力增加明显,不利于磁畴在去磁后的反向可逆转动，因而使Br随形变量的增加而增加.冷塑性变形不影响饱和磁化强度.十五、铁磁金属化合物的磁性特点:1.铁磁金属与顺磁或抗磁金属所组成的化合物和中间相都是顺磁性的；2。 铁磁金属与非金属所组成的化合物Fe3 O4 ，FeSi2， FeS等均呈亚铁磁性，即两相邻原子的自旋磁矩反平行排列，而又没有完全抵消。而Fe3C和Fe4N则为弱铁磁性。第七章 材料弹性变形与内耗一、晶体结构材料和高弹态聚合物弹性变形本质弹性模量的物理本质是标志原子间结合力的大小。材料原子间结合力越大,其弹性模量越高；原子排列越紧密，其弹性模量越高。高聚物分子的链段是由主链上若干个单键内旋转所形成的独立运动单元。像小分子一样,是一个无规热运动单元。在没有受到外力时，高分子链通常总是卷曲的，在受到外力作用时，高分子链转变为较伸展的分子构象，构象熵小。而当拉伸外力被解除后,高弹形变可完全回复，宏观上可以观察到显著的、可逆的高弹形变。二、温度对弹性模量的影响一般说来，随温度的升高，物质的原子振动加剧，原子间距增大体积膨胀，原子间结合力减弱，使材料的弹性模量降低.对于高弹态聚合物，弹性模量随温度的升高略有增加，这一点与其他材料不同。其原因是温度升高时,高分子链的分子运动加剧，力图恢复到卷曲的平衡状态的能力增强所致.三、滞弹性内耗（动滞后型内耗）、静滞后型内耗区别特点：应变应力滞后回线的出现是由试样的动态性质所决定的。因此，回线的面积与振动频率的关系很大，但与振幅无关。即使是滞弹性材料，如果试验是静态地进行,即试验时应力的施加和撤除都非常缓慢，也不会产生内耗，所以,可以将滞弹性内耗看作是一种动态滞后行为的结果。所谓静滞后是指弹性范围内与加载速度无关、应变变化落后于应力的行为。它们在应力应变间虽也存在多值函数关系，同一载荷下加载与去载具有不同应变值。但在完全去载后却留下残余形变，只有反向加载才能使其恢复到零应变状态.由于应力变化时应变总是瞬时调整到相应的值，因此这种滞后回线的面积是恒定的，与振动频率无关。注：（一般来说,静滞后回线的面积与振幅不存在线性关系，因此其内耗一般与振幅有关而与振动频率无关，这往往被认为是静滞型内耗的特征.它与前面所讨论的弛豫型内耗和频率和关、振幅无关的特征恰好相反，这一明显的差别可作为区分这两类内耗的重要依据）四、内耗和角频率之间的关系 （1)当，即时，弛豫时间远大于振动周期，意味着应力的变化非常快，以至于材料来不及产生弛豫过程，即内耗趋于零。 (2)当，即时，弛豫时间远小于振动周期，应力的变化非常快,这时应变和应力同步变化,应力和应变组成的回线趋于一条直线，但斜率较低，内耗也趋向于零. （3）当为中间值，即在上述两种极限情况之间, 当时，内耗曲线达到峰值，即内耗达到最大值。五、背底内耗背底内耗的含义可用右图内耗曲线说明。图中内耗峰abc是在虚线ac的基础上产生的，则虚线ac以下即为背底内耗。减缩量可分为与振幅无关和与振幅有关两个部分。与应变幅0无关，与频率有关,相当于滞弹性内耗; 与应变幅0有关，相当于静滞后型内耗。六、K-GL理论位错网络的结点为强钉扎，杂质原子为弱钉扎。当受较小的交变应力作用时,位错线段Lc弯曲弓出，并作往复运动（图b)。随着外力增加，位错线弓出加剧（图c）.在运动过程中要克服阻尼力,因而引起内耗，这种从杂质原子处脱钉之前位错产生的内耗与振幅无关。当交变应力足够大时，位错便从杂质的钉扎处解脱出来，即发生脱钉。一旦这段位错线脱钉，就会像雪崩一样连续地进行,直到网络结点之间的弱钉扎全部脱开为止（图d）。当位错从杂质原子脱钉之后便产生了与振幅有关的内耗.继续增加应力,位错线LN继续弓出.应力去除时，位错线LN弹性收缩。如图7-28(f），（g)所示，最后重新被钉扎。脱钉与收缩过程.位错级运动情况不同,对应的应力-应变曲线如图729所示.曲线上的字母对应于图728中的各个过程.七、应力感生有序：所谓应力感生有序是指固溶体中由于溶质原子溶入造成晶格的不对称畸变，在没有应力作用时呈无序分布，但在外应力作用下,溶质原子将沿某方向择优分布以降低畸变能,这一现象称为应力感生有序.八、多晶铝出现这个内耗峰的原因对高纯铝内耗曲线的测量表明，多晶铝随着温度的变化约在285附近出现一个内耗峰。图中曲线具有一个明显的特征，就是晶粒愈大，内耗峰就愈低，而单晶铝则不出现这个内耗峰。该峰的激活能为1. 34 X 104J/mol，它相当铝晶界弛豫的激活能与蠕变法求得的激活能基本一致，它表明此内耗峰是由晶界引起的。晶界黏滞性流动引起的能量损耗可近似认为：能量=相对位移X沿晶界滑移的阻力在温度比较高时，晶界的黏滞系数变小。晶界受到切应力时便可产生相对滑移， 晶界的滑移阻力很小,虽然滑移的距离较大。但总的能量损耗还是很小；在温度比较低时,虽然滑移阻力大，但是滑移距离很小，所以，能量损耗也还是很小。只有在中间温度范围，位移和滑移阻力都较为显著的时候.内耗才达到最大值,出现内耗峰. 13 / 13