国家标准重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法送模板.doc
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1、公布ICS 29.045H 21中国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会200-实施200- 公布重掺n型硅衬底中硼沾污二次离子质谱检测方法Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry(送审稿)GB/T 200中国国家标准前 言本标准技术内容等同采取SEMI MF 1528-1104 Test method for measuring Boron contamination in
2、heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry 标准。和原标准相比,本标准对原标准格式进行了对应调整。本标准由全国半导体材料和设备标准委员会提出。本标准由中国有色金属工业标准计量研究所归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团企业第四十六研究所。本标准关键起草人:马农农、何友琴、丁丽。重掺n型硅衬底中硼沾污二次离子质谱检测方法1 范围1.1本标准适适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)测试。1.2本标准适适用于对锑、砷、磷
3、掺杂浓度0.2(11020atoms/cm3)硅材料中硼浓度检测。尤其适适用于硼为非有意掺杂p型杂质,且其浓度为痕量水平(1108counts/s。8.2.3.2开始时,依据束斑大小,使用几百微米几百微米第一扫描测试条件(经典条件是250m250m),这么能够除去表面自然氧化层中B。实际测试时,使用第二扫描测试条件,扫描区域要比第一扫描测试条件降低几倍(经典第二扫描条件是50m50m)。采取计数时间是1s。8.3样品分析8.3.1移动样品架,使样品上溅射坑形成在窗口中心位置周围。8.3.2对中一次束,开始SIMS剖析。8.3.2.1首先用第一扫描条件溅射样品50100个磁场周期,直到硼信号强度
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