低频电路B.ppt

1.4.1 结构与符号1.4.2 工作原理1.4.3 特性曲线1.4.4 参数1.4.5 型号 1.4 半导体三极管三极管图片1.4.1 结构与符号两种类型:NPN和PNP一、一、结构构e(Emitter)：发射极b(Base）：基极c(Collector)：集电极发射射结(Je)集集电结(Jc)基区基区发射区射区集集电区区三极三极:三区三区:两两节:特点:b区薄 e区搀杂多 c区面积大e,b,cJe,Jc二、符号二、符号1.4.1 结构与符号*Je箭箭头:P N1.4.2 工作原理一、放大条件一、放大条件二、内部二、内部载流子的流子的传输过程程三、三、电流分配关系流分配关系四、放大作用四、放大作用 外部外部条件：条件：一、放大条件一、放大条件电位关系：位关系：内部内部条件？条件？三区掺杂不同！Je正偏正偏，Jc反偏。反偏。对NPN型：VC VB VE对PNP型：VC VB VE 集集电区区发射区射区基区基区JeJcIB(1)(2)(3)IEIC扩散漂移正偏反偏复合二、内部二、内部载流子的流子的传输过程程忽略支流：忽略支流：IE=IC+IB 另外还有支流 IEP、ICBO 三、三、电流分配关系流分配关系IE=IC+IB四、放大作用 三种组态 应用：共射共射电压放大电流放大流放大(控制控制）作用）作用问题1：若两个PN结对接，三极管有无 电流放大作用。问题2：为什么当温度升高时，三极管 将失去放大作用？1.4.3 特性曲线 输入特性曲线 iB=f(vBE)vCE=const 输出特性曲线iC=f(vCE)iB=const共射接法图02.04 共射接法的电压-电流关系(1)输入特性曲线方程：iB=f(vBE)vCE=const曲线：如图(2)输出特性曲线方程：iC=f(vCE)iB=const曲线：饱和区放大区截止区发射射结集集电结 正偏 正偏 正偏 反偏 反偏 反偏 三区偏置特点：例1：测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工作状态。放大截止饱和1.4.4 参数 分为三大类:(1)(1)直流参数直流参数 电流放大系数流放大系数 1.1.共射共射 IC/IB vCE=const直流参数直流参数交流参数交流参数极限参数极限参数2.共基共基 关系关系 =IC/IE=IB/1+IB=/1+，或或 =/1-IC/IE VCB=const 1.ICBO O(Open)关系：关系：ICEO=（1+）ICBO 2.ICEO（穿透穿透电流）流）极极间反向反向饱和和电流（温度流（温度稳定性）定性）(2)(2)交流参数交流参数交流交流电流放大系数流放大系数 1.共射共射 =IC/IB vCE=const 2.共基 =IC/IE VCB=const 特征特征频率率fT 当 下降到1时所对应的频率当当ICBO和和ICEO很小很小时，(3)极限参数 ICM IC上升时 会下降，下降到线性放大区值的70时所允许的电流。PCM 超过此值会使管子性能变坏或烧毁。PCM=ICVCBICVCE 1.V(BR)CBO 发射极开路时的 集电结击穿电压。BR（Breakdown）2.V(BR)EBO 3.V(BR)CEO 关系：V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)EBO 反向击穿电压（V(BR)XXO）由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定三区：1.4.5 半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的种用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同用字母表示同一型号中的不同规格格三极管三极管 表02.01 双极型三极管的参数 参 数型 号 PCM mW ICM mAVR CBO VVR CEO VVR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126*83BX31C 125 125 40 246*83 3CG101CCG101C 100 30 450.1 1003 3DG123CDG123C 500 50 40 300.353 3DD101DDD101D 5W 5A 300 25042mA3 3DK100BDK100B 100 30 25 150.1 3003DKG23 250W 30A 400 325 8注：*为 f 1.正确理解PN结。2.熟练掌握器件器件（二极管、三极管）的的外特性、主要参数外特性、主要参数。3.正确理解双极型三极管的工作原理。4.会查阅电子器件手册。1.5 基本要求