PCB系统设计指南模板.doc
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1、高速PCB设计指南之八第一篇 掌握IC封装特征以达成最好EMI抑制性能将去耦电容直接放在IC封装内能够有效控制EMI并提升信号完整性,本文从IC内部封装入手,分析EMI起源、IC封装在EMI控制中作用,进而提出11个有效控制EMI设计规则,包含封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器和去耦电容设计方法等,有利于设计工程师在新设计中选择最适宜集成电路芯片,以达成最好EMI抑制性能。 现有系统级EMI控制技术包含:(1) 电路封闭在一个Faraday盒中(注意包含电路机械封装应该密封)来实现EMI屏蔽;(2) 电路板或系统I/O端口上采取滤波和衰减技术来实现EMI控制;(3) 现电路电场和磁场严格屏蔽,
2、或在电路板上采取合适设计技术严格控制PCB走线和电路板层(自屏蔽)电容和电感,从而改善EMI性能。EMI控制通常需要结合利用上述各项技术。通常来说,越靠近EMI源,实现EMI控制所需成本就越小。PCB上集成电路芯片是EMI最关键能量起源,所以假如能够深入了解集成电路芯片内部特征,能够简化PCB和系统级设计中EMI控制。 PCB板级和系统级设计工程师通常认为,它们能够接触到EMI起源就是PCB。显然,在PCB设计层面,确实能够做很多工作来改善EMI。然而在考虑EMI控制时,设计工程师首先应该考虑IC芯片选择。集成电路一些特征如封装类型、偏置电压和芯片工艺技术(比如CMOS、ECL、TTL)等全部
3、对电磁干扰有很大影响。本文将着重讨论这些问题,而且探讨IC对EMI控制影响。1、EMI起源 数字集成电路从逻辑高到逻辑低之间转换或从逻辑低到逻辑高之间转换过程中,输出端产生方波信号频率并不是造成EMI唯一频率成份。该方波中包含频率范围宽广正弦谐波分量,这些正弦谐波分量组成工程师所关心EMI频率成份。最高EMI频率也称为EMI发射带宽,它是信号上升时间而不是信号频率函数。计算EMI发射带宽公式为: F=0.35/Tr其中:F是频率,单位是GHz;Tr是单位为ns(纳秒)信号上升时间或下降时间。从上述公式中不难看出,假如电路开关频率为50MHz,而采取集成电路芯片上升时间是1ns,那么该电路最高E
4、MI发射频率将达成350MHz,远远大于该电路开关频率。而假如IC上升时间为500ps,那么该电路最高EMI发射频率将高达700MHz。众所周知,电路中每一个电压值全部对应一定电流,一样每一个电流全部存在对应电压。当IC输出在逻辑高到逻辑低或逻辑低到逻辑高之间变换时,这些信号电压和信号电流就会产生电场和磁场,而这些电场和磁场最高频率就是发射带宽。电场和磁场强度和对外辐射百分比,不仅是信号上升时间函数,同时也取决于对信号源到负载点之间信号通道上电容和电感控制好坏,在此,信号源在PCB板IC内部,而负载在其它IC内部,这些IC可能在PCB上,也可能不在该PCB上。为了有效地控制EMI,不仅需要关注
5、IC芯片本身电容和电感,一样需要重视PCB上存在电容和电感。 当信号电压和信号回路之间耦合不紧密时,电路电容就会减小,所以对电场抑制作用就会减弱,从而使EMI增大;电路中电流也存在一样情况,假如电流同返回路径之间耦合不佳,势必加大回路上电感,从而增强了磁场,最终造成EMI增加。换句话说,对电场控制不佳通常也会造成磁场抑制不佳。用来控制电路板中电磁场方法和用来抑制IC封装中电磁场方法大致相同。正如同PCB设计情况,IC封装设计将极大地影响EMI。 电路中相当一部分电磁辐射是由电源总线中电压瞬变造成。当IC输出级发生跳变并驱动相连PCB线为逻辑“高”时,IC芯片将从电源中吸纳电流,提供输出级所需能
6、量。对于IC不停转换所产生超高频电流而言,电源总线始于PCB上去耦网络,止于IC输出级。假如输出级信号上升时间为1.0ns,那么IC要在1.0ns这么短时间内从电源上吸纳足够电流来驱动PCB上传输线。电源总线上电压瞬变取决于电源总线路径上电感、吸纳电流和电流传输时间。电压瞬变由下面公式所定义:V=Ldi/dt,其中:L是电流传输路径上电感值;di表示信号上升时间间隔内电流改变;dt表示电流传输时间(信号上升时间)。 因为IC管脚和内部电路全部是电源总线一部分,而且吸纳电流和输出信号上升时间也在一定程度上取决于IC工艺技术,所以选择适宜IC就能够在很大程度上控制上述公式中提到全部三个要素。2、I
7、C封装在电磁干扰控制中作用 IC封装通常包含:硅基芯片、一个小型内部PCB和焊盘。硅基芯片安装在小型PCB上,经过绑定线实现硅基芯片和焊盘之间连接,在一些封装中也能够实现直接连接。小型PCB实现硅基芯片上信号和电源和IC封装上对应管脚之间连接,这么就实现了硅基芯片上信号和电源节点对外延伸。贯穿该IC电源和信号传输路径包含:硅基芯片、和小型PCB之间连线、PCB走线和IC封装输入和输出管脚。对电容和电感(对应于电场和磁场)控制好坏在很大程度上取决于整个传输路径设计好坏。一些设计特征将直接影响整个IC芯片封装电容和电感。 首先看硅基芯片和内部小电路板之间连接方法。很多IC芯片全部采取绑定线来实现硅
8、基芯片和内部小电路板之间连接,这是一个在硅基芯片和内部小电路板之间极细飞线。这种技术之所以应用广泛是因为硅基芯片和内部小电路板热胀系数(CTE)相近。芯片本身是一个硅基器件,其热胀系数和经典PCB材料(如环氧树脂)热胀系数有很大差异。假如硅基芯片电气连接点直接安装在内部小PCB上话,那么在一段相对较短时间以后,IC封装内部温度改变造成热胀冷缩,这种方法连接就会因为断裂而失效。绑定线是一个适应这种特殊环境引线方法,它能够承受大量弯曲变形而不轻易断裂。 采取绑定线问题在于,每一个信号或电源线电流环路面积增加将造成电感值升高。取得较低电感值优良设计就是实现硅基芯片和内部PCB之间直接连接,也就是说硅
9、基芯片连接点直接粘接在PCB焊盘上。这就要求选择使用一个特殊PCB板基材料,这种材料应该含有极低CTE。而选择这种材料将造成IC芯片整体成本增加,所以采取这种工艺技术芯片并不常见,不过只要这种将硅基芯片和载体PCB直接连接IC存在而且在设计方案中可行,那么采取这么IC器件就是很好选择。 通常来说,在IC封装设计中,降低电感而且增大信号和对应回路之间或电源和地之间电容是选择集成电路芯片过程首选考虑。举例来说,小间距表面贴装和大间距表面贴装工艺相比,应该优先考虑选择采取小间距表面贴装工艺封装IC芯片,而这两种类型表面贴装工艺封装IC芯片全部优于过孔引线类型封装。BGA封装IC芯片同任何常见封装类型
10、相比含有最低引线电感。从电容和电感控制角度来看,小型封装和更细间距通常总是代表性能提升。 引线结构设计一个关键特征是管脚分配。因为电感和电容值大小全部取决于信号或是电源和返回路径之间靠近程度,所以要考虑足够多返回路径。 电源和地管脚应该成对分配,每一个电源管脚全部应该有对应地管脚相邻分布,而且在这种引线结构中应该分配多个电源和地管脚对。这两方面特征全部将极大地降低电源和地之间环路电感,有利于降低电源总线上电压瞬变,从而降低EMI。因为习惯上原因,现在市场上很多IC芯片并没有完全遵照上述设计规则,然而IC设计和生产厂商全部深刻了解这种设计方法优点,所以在新IC芯片设计和公布时IC厂商更关注电源连
11、接。 理想情况下,要为每一个信号管脚全部分配一个相邻信号返回管脚(如地管脚)。实际情况并非如此,即使思想最前卫IC厂商也没有如此分配IC芯片管脚,而是采取其它折衷方法。在BGA封装中,一个行之有效设计方法是在每组八个信号管脚中心设置一个信号返回管脚,在这种管脚排列方法下,每一个信号和信号返回路径之间仅相差一个管脚距离。而对于四方扁平封装(QFP)或其它鸥翼(gull wing)型封装形式IC来说,在信号组中心放置一个信号返回路径是不现实,即便这么也必需确保每隔4到6个管脚就放置一个信号返回管脚。需要注意是,不一样IC工艺技术可能采取不一样信号返回电压。有IC使用地管脚(如TTL器件)作为信号返
12、回路径,而有IC则使用电源管脚(如绝大多数ECL器件)作为信号返回路径,也有IC同时使用电源和地管脚(比如大多数CMOS器件)作为信号返回路径。所以设计工程师必需熟悉设计中使用IC芯片逻辑系列,了解它们相关工作情况。 IC芯片中电源和地管脚合理分布不仅能够降低EMI,而且能够极大地改善地弹反射(ground bounce)效果。当驱动传输线器件试图将传输线下拉到逻辑低时,地弹反射却仍然维持该传输线在逻辑低阈值电平之上,地弹反射可能造成电路失效或故障。 IC封装中另一个需要关注关键问题是芯片内部PCB设计,内部PCB通常也是IC封装中最大组成部分,在内部PCB设计时假如能够实现电容和电感严格控制
13、,将极大地改善设计系统整体EMI性能。假如这是一个两层PCB板,最少要求PCB板一面为连续地平面层,PCB板另一层是电源和信号布线层。更理想情况是四层PCB板,中间两层分别是电源和地平面层,外面两层作为信号布线层。因为IC封装内部PCB通常全部很薄,四层板结构设计将引出两个高电容、低电感布线层,它尤其适合于电源分配和需要严格控制进出该封装输入输出信号。低阻抗平面层能够极大地降低电源总线上电压瞬变,从而极大地改善EMI性能。这种受控信号线不仅有利于降低EMI,一样对于确保进出IC信号完整性也起到关键作用。3、其它相关IC工艺技术问题 集成电路芯片偏置和驱动电源电压Vcc是选择IC时要注意关键问题
14、。从IC电源管脚吸纳电流关键取决于该电压值和该IC芯片输出级驱动传输线(PCB线和地返回路径)阻抗。5V电源电压IC芯片驱动50传输线时,吸纳电流为100mA;3.3V电源电压IC芯片驱动一样50传输线时,吸纳电流将减小到66mA;1.8V电源电压IC芯片驱动一样50传输线时,吸纳电流将减小到36mA。由此可见,在公式V=Ldi/dt中,驱动电流从100mA降低到36mA能够有效地降低电压瞬变V,所以也就降低了EMI。低压差分信号器件(LVDS)信号电压摆幅仅有几百毫伏,能够想象这么器件技术对EMI改善将很显著。 电源系统去耦也是一个值得尤其关注问题。IC输出级经过IC电源管脚吸纳电流全部是由
15、电路板上去耦网络提供。降低电源总线上电压下降一个可行措施是缩短去耦电容到IC输出级之间分布路径。这么将降低“Ldi/dt”表示式中“L”项。因为IC器件上升时间越来越快,在设计PCB板时唯一能够实施措施是尽可能地缩短去耦电容到IC输出级之间分布路径。一个最直接处理方法是将全部电源去耦全部放在IC内部。最理想情况是直接放在硅基芯片上,并紧邻被驱动输出级。对于IC厂商来说,这不仅昂贵而且极难实现。然而假如将去耦电容直接放在IC封装内PCB板上,而且直接连接到硅基芯片管脚,这么设计成本增加得最少,对EMI控制和提升信号完整性贡献最大。现在仅有少数高端微处理器采取了这种技术,不过IC厂商们对这项技术爱
16、好正和日俱增,能够预见这么设计技术必将在未来大规模、高功耗IC设计中普遍应用。 在IC封装内部设计电容通常数值全部很小(小于几百皮法),所以系统设计工程师仍然需要在PCB板上安装数值在0.001uF到0.1uF之间去耦电容,然而IC封装内部小电容能够抑制输出波形中高频成份,这些高频成份是EMI最关键起源。 传输线终端匹配也是影响EMI关键问题。经过实现网络线终端匹配能够降低或消除信号反射。信号反射也是影响信号完整性一个关键原因。从减小EMI角度来看,串行终端匹配效果最显著,因为这种方法终端匹配将入射波(在传输线上传输原始波形)降低到了Vcc二分之一,所以减小了驱动传输线所需瞬时吸纳电流。这种技
17、术经过降低“Ldi/dt”中“di”项来达成降低EMI目标。 一些IC厂商将终端匹配电阻放在IC封装内部,这么除了能够降低EMI和提升信号完整性,还降低了PCB板上电阻数目。检验IC芯片是否采取了这么技术能够愈加清楚IC输出阻抗。当IC输出阻抗同传输线阻抗匹配时,就能够认为这么传输线实现了“串联终端匹配”。值得注意是串联终端匹配IC采取了信号转换反射模型。而在实际应用中假如沿传输线方向分布有多个负载,而且有很严格时序要求,这时串联终端匹配就可能不起作用。 最终,一些IC芯片输出信号斜率也受到控制。对大多数TTL和CMOS器件来说,当它们输出级信号发生切换时,输出晶体管完全导通,这么就会产生很大
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