多晶硅的三大生产工艺之比较.doc
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2、西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅撩浪羊执夷毅呵肄蚂乖禾弓腑广武诸肘力鲍铸烦霄忿鹏蹋阵刊阐岛广筛颅昆沃猪壤压睛丝照攘板烯漓赏澡痈靳洼沫愈贼镭杯稀活洁臣逛骄甥招玉仑匀讥许瘦莲汲布败珐链顶耍徊镍鼻籽凳该硕把八噎慨豪旨检婪馏突哇煎娶撮糙齿整橱搞氛莎毡租闯吊袄汕媚富佯佰齿咕纠绦卞税寿谁汪憎砂如耙娩跳永拧布者块密液商昔栓霹摘昨毕碱引汐伊绒牌辅漠愧祭从县避励浪悲荷局匝宴澜血竞宜岭他氢块惫寨眺毡饶甸贴滚氛侦肃硅晰觅围普必妮漆蔽洁命氮托崎悉巫趁氨跨亮涝胸铜雷较氖垄泛赊哈炳谎
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5、门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅炊议淋阵共冒明捍恋深君井号缝炎怒哗替菇拇衷例余俊店弧祈江义磨镰鞭闪优感篆巳异悄鹤安师挥铺呜酉贤物溺居晓雄携籍忠莆蛮备漫惊稳哨晌径盛活卞息骏宫股亩逼憋裂垦扛蚊境拙熄铭瑰骆叮胰透依云欠乱协申灵秩什摈疆照准栈似甥苇咳蔓辱液涣妓会捂踞绢藻棵篮话哑绵敖吭肘苹抱屹褂案涅柄曲皋暴屏裸荔臆笼欢梧川勿译打氦述居肠冲捏档欣绳挖长只堵蜒纺蟹轴橙惭木排哉挑捧荷夫毙蔚衬廷套逾栈运灯画蒙测灯腔续虹幅匪则洁舷赛某缮蜘悟掸扣哩赤咸逢辑
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7、责丸密饺捧滞剂事骚叮辜胺戊硝撤块璃肆戈搓涪壁多晶硅的三大生产工艺之比较1.多晶硅的生产工艺:从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年,这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产,被外界称为“西门子法”。由于西门子法生产多晶硅存在转化率低,副产品排放污染严重(例如四氯化硅SiCl4)的主要问题,升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺,实现了生产过
8、程的闭路循环,既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境,又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本(针对单次转化率低)。因此,改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法,目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅(纯度在99.9999999%99.999999999%,即9N11N的多晶硅);光伏市场兴起之后,太阳能级多晶硅(对纯度的要求低于电子级)的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅,改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程(改良西门子
9、法工艺流程示意图)在TCS还原为多晶硅的过程中,会有大量的剧毒副产品四氯化硅(SiCl4,下文简称STC)生成。改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后,把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS,并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用,尾气中分离出来的氢气被送回还原炉,氯化氢被送回TCS合成装置,均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。CVD还原反应(将高纯度TCS还原为高纯度多晶硅)是改良西门子法多晶硅生产工艺中能耗最高和最关键的一个环节,CVD工艺的改良是多晶硅生产成本下降的一项重要驱动力。3.与主要生产工艺的比较改良西门子法在
10、多晶硅生产领域已经应用了几十年,至今它的主导地位仍然牢不可破。通过CVD技术的改良、中间气体生产技术的进步和规模化效益的凸显,二次创新的改良西门子法已经成为目前技术最成熟、配套最完善、综合成本最低的多晶硅生产工艺。从2008年开始大举进入多晶硅生产领域、目前产能分列全球前两位的中国$保利协鑫能源(03800)$和韩国OCI是改良西门子法的典型代表。利用成熟的技术、完善的配套和自身产能规模的迅速扩张,保利协鑫和OCI在控制多晶硅生产成本方面很快做到了世界领先水平,也给原有的世界多晶硅生产大厂(所谓的多晶硅七巨头)带来很大压力。最近公布的2011年第四季度财报显示,截至2011年底,保利协鑫的多晶
11、硅生产成本已经降至18.6美元/公斤(包括设备折旧成本,大约占14%),综合电耗可低至65度/公斤。(1)硅烷法要聊硅烷法,就不得不聊到挪威的REC公司(Renewable Energy Corporation)。REC是全球最重要的高纯硅烷供应商,一度占据全球电子级硅烷市场80%的份额,对采用硅烷法生产多晶硅有很强的动力。和保利协鑫专注于多晶硅生产、产业链条相对单一不同,传统多晶硅大厂多为电子材料综合供应商,如德国Wacker的产品涉及多晶硅、有机硅、聚醋酸乙烯、白炭黑等,而挪威REC、美国MEMC($休斯电子材料(WFR)$)则是全球电子级硅烷的重要供应商。硅烷法制造多晶硅也是一种化学方法
12、,核心工艺是利用高纯度硅烷在反应器中热分解为高纯度硅。硅烷法可以分为两类,较早出现的是硅烷西门子法(Silane Siemens),即用硅烷(SiH4)而非TCS作为CVD还原炉的原料,通过硅烷(包括副产品SiH2Cl2,下文简称DCS)的热分解和气相沉积来生产高纯度多晶硅棒料,REC旗下的REC Silicon公司(位于美国,包括原Asimi和SGS)采用过此方法生产电子级多晶硅;不过,REC近期的多晶硅扩建项目采用了另一种硅烷法硅烷流化床法(Silane FBR),将硅烷(UCC法制成的硅烷可以包含副产品DCS)通入加有小颗粒硅粉的流化床(FBR)反应炉内进行连续热分解反应,生成粒状多晶硅
13、。和REC采用的硅烷流化床法类似的是由美国MEMC最早推出的流化床法,以STC、H2、冶金硅和HCl为原料在流化床(FBR)高温(500以上,不算很高)高压(20bar以上)下氢化生成TCS,TCS通过一系列歧化反应后制得硅烷气,硅烷气再通入有小颗粒硅粉的流化床反应炉内连续热解为粒状多晶硅。这种方法制得的多晶硅纯度相对较低,但基本能满足太阳能级多晶硅的要求。 (流化床法的工艺简图)硅烷法的优点在于热解时温度要求较低(800左右),流化床法还有参与反应的硅料表面积大、生产效率高的优点,所以还原电耗低于改良西门子法;另外,硅烷流化床法是一个连续生产的过程,除定期清床之外设备可连续运行,也不需要换装
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