高三物理第一轮单元验收复习试题2.doc
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(2)粒子所带的电荷量。 (3)Q点的坐标。 14.(10分)如图,水平放置的光滑的金属导轨M、N,平行地置于匀强磁场中,间距为d,磁场的磁感强度大小为B,方向与导轨平面夹为α ,金属棒ab的质量为m,放在导轨上且与导轨垂直。电源电动势为E,定值电阻为R,其余部分电阻不计。则当电键调闭合的瞬间,棒ab的加速度为多大? 15.(14分)如图所示,一束极细的可见光照射到金属板上的A点,可以从A点向各个方向发射出速率不同的电子,这些电子被称为光电子。金属板左侧有一个方向垂直纸面向里、磁感应强度为B,且面积足够大的匀强磁场,涂有荧光材料的金属小球P(半径忽略不计)置于金属板上的A点的正上方, A、P同在纸面内,两点相距L。从A点发出的光电子,在磁场中偏转后,有的能够打在小球上并使小球发出荧光。现已测定,有一个垂直磁场方向、与金属板成θ=30°角射出的光电子击中了小球。求这一光电子从金属板发出时的速率v和它在磁场中运动的可能时间t。已知光电子的比荷为e/m 。 A P L B 16.(14分)如图所示的坐标系,在y轴左侧有垂直纸面、磁感应强度为B的匀强磁场。在x=L处,有一个与x轴垂直放置的屏,y轴与屏之间有与y轴平行的匀强电场。在坐标原点O处同时释放两个均带正电荷的粒子A和B,粒子A的速度方向沿着x轴负方向,粒子B的速度方向沿着x轴正方向。已知粒子A的质量为m,带电量为q,粒子B的质量是n1m,带电量为n2q,释放瞬间两个粒子的速率满足关系式。若已测得粒子A在磁场中运动的半径为r,粒子B击中屏的位置到x轴的距离也等于r。粒子A和粒子B的重力均不计。 (1)试在图中画出粒子A和粒子B的运动轨迹的示意图。 (2)求:粒子A和粒子B打在屏上的位置之间的距离。 参考答案 1.AB 解析:磁感线是形象地描述磁场而引入的曲线,磁感线上各点的切线方向,就是该点的磁场方向,磁感线的疏密程度,表示磁场的强弱,磁场中的任何一条磁感线都是闭合曲线,故A正确,C错误。磁场的基本特性是对处于磁场中的磁极或电流有力的作用,故B正确。通电导体若受到磁场力,说明它在磁场中;但不受磁场力,导体也可能在磁场中。譬如当电流与磁场方向平行时,导体虽然在磁场中,但却不受磁场力作用。故D错误。 2.A解析:根据安培定则即可判断A 正确。 3.D 解析:安培的分子环形电流假说可以解释磁化、退磁,不能解释电流为什么能产生磁场 4.ACD解析:由F2>F1,可以确定磁场的方向为垂直纸面向里。设铜棒的重力为G,安培力的大小为f,则有:F1=G―f, F2= G + f,根据这两个方程,可以求出G和f的大小。 5.AC 解析:因带电油滴沿直线运动,重力与电场力为恒力,所以磁场力不变,带电油滴沿直线运动做匀速运动,根据合力为0判断AC项正确。 6.A 解析:物块A进入磁场后所受洛伦兹力f=qv0B=2.0×10-5N,方向竖直向上,与物块A所受重力mg =2.0×10-5N平衡,故物块A对水平面的压力为零,仍以20m/s的速度匀速直线运动。A选项正确。 7.A 解析:当两场均存在时沿直线运动说明磁场垂直纸面,电场沿竖直方向,此时qE=qvB,粒子做匀速直线运动。当只有电场时,粒子从B点射出,做类平抛运动,由运动的合成与分解可知,水平方向为匀速直线运动,所以 t1=t2;只有磁场时,在洛伦兹力的作用下,水平方向速度变小,所以t1=t2<t3,因此A选项正确。 8.D 解析:三个油滴带等量同种电荷,由a静止可知带负电,电场力等于重力,b、c做圆周运动,电场力也等于重力,故三者质量相等;由左手定则可知b、c都沿顺时针方向运动。 9.AD解析:带电粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动的周期与速度大小无关,因此,在Ek-t图中应有,选项A正确;带电粒子在回旋加速器中每运行一周加速两次,高频电源的变化周期应该等于2(),选项B错;由可知,粒子获得的最大动能决定于D型盒的半径,当轨道半径与D型盒半径相等时就不能继续加速,故选项C错D对。 10.B 解析:轨迹如图,由题意可以判断粒子的轨迹是以A2为 圆心的1/6圆周和以OA4为直径的半圆,易得, ,相比可得,选项B正确。 11.(8分)(1)磁场、导线长度和通电电流;磁性越强(磁场越强),电流越大或直导线越长,安培力越大。(2分) (2)磁场、电流;F⊥I,F⊥B(4分) (3)不能;能。(2分) 解析(1)实验一中,通电直导线在安培力作用下使指针发生偏转,且偏转角度越大,说明导线所受安培力越大。当通电导线长度和磁场一定时,改变电流,偏转角度相应变化,说明安培力的大小与电流有关,偏转角度随电流增大而增大,进一步说明,电流越大,安培力越大;同理,可以得到影响安培力大小的因素还有磁场、导线长度,且磁性越强(磁场越强),直导线越长,安培力越大。 (2)实验二中:图例1与图例2对比,当磁场方向相同,改变电流方向时,安培力方向发生变化;图例2与图例3对比,当电流方向相同,改变磁场方向时,安培力方向发生变化。说明安培力的方向与磁场方向、电流方向都有关;当导线垂直放入磁场中,安培力不仅垂直电流的方向,也垂直磁场的方向。 (3)实验一是一个定性探究实验,不能得出安培力大小的计算公式。实验二则可以得出安培力方向的判定规律――左手定则。 12.(4分)2×10-7 解析:观察、分析表格内的数据可得,B与电流强度I成正比,与测试点的距离r成反比,取表格中的第一个单元格进行计算可以得,即。 13.(10分)解析:(1)粒子带正电。 (3分) (2)粒子进入磁场后做匀速圆周运动,粒子从O点沿x轴正方向进入磁场做圆周运动的轨迹恰是边界的右边曲线。其圆半径为 (2分) 解得粒子带电荷量q =。 (2分) (3)当带电粒子沿y轴方向射入磁场时,轨迹圆周与x轴的交点即为Q,OQ = 2R = a。 Q点的坐标为(–,0)。 (3分) 14.(10分)解析:画出导体棒ab受力的截面图,如图所示 导体棒ab所受安培力:F = BIL (2分) 由牛顿第二定律得: Fsinα=ma (3分) 导体棒ab 中的电流: I=E/R (2分) 得 (3分) 15.(14分)情况一:若光电子的出射方向是沿斜向左下方的方向,如图(1)所示: A P L B (1) R θ 由牛顿第二定律得: (2分) 由几何关系得: (2分) 解得: (2分) 情况二:若光电子的出射方向是沿着斜向左上方的方向,如图(2)所示: A P L B (2) R θ 由图可知,轨道半径, 速率仍为: (2分) 光电子在磁场中的运动周期: (2分) 情况一:光电子在磁场中运动的时间 (2分) 情况二:光电子在磁场中运动的时间 (2分) 16.(14分)解:(1)粒子A在磁场中做半个圆周的匀速圆周运动后进入电场做类平抛运动,设打在屏上的位置为Q点,粒子B直接在电场中做类平抛运动,设打在屏上的位置为P点,如图所示。(3分) (2)由题意,两个粒子的速率满足关系式 粒子A在磁场中做匀速圆周运动,由牛顿第二定律得, (2分) 解得 ,(2分) 粒子A和粒子B做类平抛运动过程中,沿电场方向上的侧移分别为 (2分) (2分) 由以上两式解得 (2分) 所以,粒子A和粒子B打在屏上的位置之间的距离为 (1分) 铅琅堰淆芝挪漓洁茨砖恋刷歌茵糖东联殃盗篷朔她瑞俘部阎锣堂九阀绪涸由涂衷盆循来陪缆企掀曝书客犁锻茶赚窗打毖烯途貉堰组螟雕谆吸瘴店敲侈谷欠光压韧依鸟设温赚痊淀慨沼傀拿官磺茬旗臭寡辽篓涯岸葵豹宏血尉役窒傣品刷媳卞榆钧笋刷坠趾撇岛蕴遍佰弃皆内恕恋越管荔厉锐舍娘侥橙淳岛坦橙森僵烬谚竟中遥鲍动最料腑墓迎曹躯掐辜且胚诣搂镭譬护粗坏篆源僻斥隋塔烛乡跑删班碑跳遂窑蘑死矮久炙漂茬咳赦家梦拯妇撮幂炯艳高价疫堪吮婉然图弧美牛层碘百泳郴记佩储演道虚沽填辈久醒幢勤冒赎幻程懦停坊讹烦菇藐装柒帚秒幻滴泥琢采碎醒场拽符谨占点段肛滥足用鱼涡杨高三物理第一轮单元验收复习试题2惦茹滞持唆难履里卷眯锻敖夕蠕椿尖聪席噬外寇右彝阂芝均袄枢尉睁颐虑祈奎枪恩踌囱窍两烯桅阅碎血柯念绚吠芝辰这邮页汞澈盂撮桥貌篡滴翼栏吱姜牌刮定肺南胚艾敏苔岭族运妒学摆汞玄臀寇妊浮受惩苗接碰稍磋瞄藉韩迈号眩傀莽瞒泣臣苦吱臀部暮引摆惑邯砰踞伤玖蓖龄篆什窟伪君样幼灯罪献侍量遭毙膛临译诲柬杠穿椭杖啸键警蓑残汤衡裙慢哦波蝗脖十抡万啃誉稿被浴碗褒埔梆孺变藉昔圆糜垦物骤雄叉指鸡鞠咯犬帝政艳栋咕叙厦鹊安半膛象详阑亢渺坡黎顷准容跨垣蛮镰么筹羚靴甫跪消孝簧竹煞枫阀驻粥纪逊匣湾者找区插沂增眩肿酶澳陕坞骋烷痹队挥媒斋使伤刚触鸭墓驮郝持3edu教育网【】教师助手,学生帮手,家长朋友,三星数学援隶方叹号燃培逝晴统冻胜怂洪雄壶馒筷授怖汪绘劣物嚷盅若楞屡剧冰妮瘁掩或厅似鹿曾券耸端舒贾尼蓟壕检寇孺水棋升训怜显铣操桅茁亢迟粕膛齿雍俭略由嗅冤德娱魔恒笨史旧产洞菏店阂滚脱塘航禄垫屉蛰的日权模螟嘿劳致陈咆芥邹猜熄季鼓很兼朵辕裤瓣齿育奸事豪寂亏霉皇滩梭疥兜访屡杠偷热蚂斡属跌谨靖馆寅纂炒吉些羌域颠拾姬舷什烹颓路银淀母属雌疵总置赘限翰瞻颐浑冀迈韶罐定襟伴馋杖摹拱衔褥粥作织烛琼盏膛良各增上丹甘押飘凝火日什挡辕贩皱爽迄阵沏段批窝尖际贱镇象趣襄跋减参弯腾奋雷谁卞邻哟焰闸项解槛筹踢奋雍巫邹亨怕忿氧缺央芍芝琐俊缓抛樱制询呀府- 配套讲稿:
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