第10章-光电测量技术-检测技术与仪器-工程测试技术-教学课件.pptx

第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电式传感器：光电式传感器：将被测量的变化转换成光量的变化，将被测量的变化转换成光量的变化，再通过光电元件把光量变化转换成电信号的一种装置。再通过光电元件把光量变化转换成电信号的一种装置。光电传感器的物理基础是光电效应。光电传感器的物理基础是光电效应。10.1 10.1 光电测量基础知识光电测量基础知识第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电效应分两大类型：光电效应分两大类型：外光电效应外光电效应和和内光电效应内光电效应外光电效应：外光电效应：在光的照射作用下，使电子逸出物体表面而在光的照射作用下，使电子逸出物体表面而产生电子发射的现象。产生电子发射的现象。基于基于外光电效应外光电效应的的光电元件光电元件有光电有光电管、光电倍增管等。管、光电倍增管等。内光电效应：内光电效应：光照射到半导体材料上，材料中处于价带的光照射到半导体材料上，材料中处于价带的电子吸收光子能量，通过禁带跃入导带，使导带内电子浓电子吸收光子能量，通过禁带跃入导带，使导带内电子浓度和价带内空穴浓度增多的现象。内光电效应分为度和价带内空穴浓度增多的现象。内光电效应分为:光电光电导效应导效应、光生伏特效应光生伏特效应和和光敏晶体管效应光敏晶体管效应，相应元件有光，相应元件有光敏电阻、光电池和光敏二、三极管。敏电阻、光电池和光敏二、三极管。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 物体在光的照射下产生电子发射的现象称物体在光的照射下产生电子发射的现象称为光电发射效应或外光电效应。为光电发射效应或外光电效应。E=hfh普朗克常数，普朗克常数，h=6.631010-34-34JSJS；f是光的频率。是光的频率。光子的能量光子的能量E与它的频率成正比与它的频率成正比(爱因斯坦光量子理论爱因斯坦光量子理论)第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 物体表面受到光的照射，表面内的电子与光子碰撞，物体表面受到光的照射，表面内的电子与光子碰撞，发生能量转移，光子把全部能量转移给电子，使电子的发生能量转移，光子把全部能量转移给电子，使电子的能量增加。如果电子的能量超过逸出功能量增加。如果电子的能量超过逸出功A0时，电子就时，电子就逸出物体表面产生光电发射。如果不考虑电子热运动的逸出物体表面产生光电发射。如果不考虑电子热运动的能量，产生光电发射的条件是：光子能量能量，产生光电发射的条件是：光子能量hf超过表面超过表面逸出功逸出功A0。光子能量超过表面逸出功的部分，表现为。光子能量超过表面逸出功的部分，表现为电子的能量。电子的能量。mv2/2=hf-A0v-电子逸出时的速度电子逸出时的速度；m-电子的质量。电子的质量。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 爱因斯坦光电方程说明光电发生服从以下定律爱因斯坦光电方程说明光电发生服从以下定律：1）物体表面发射的电子数物体表面发射的电子数(光电流光电流)与光强成正比；与光强成正比；2）光电子的动能随光的频率成正比的增加，而与光光电子的动能随光的频率成正比的增加，而与光强无关；强无关；3）要使光电子逸出物体表面，必须要使光电子逸出物体表面，必须 hfA0。对于每。对于每种物体都存在一个极限频率，当入射光的频率低种物体都存在一个极限频率，当入射光的频率低于这个频率时，无论光强多强，都不会有光电子于这个频率时，无论光强多强，都不会有光电子发射出来。发射出来。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 在真空的玻璃泡内装有两个电极：在真空的玻璃泡内装有两个电极：光电阴极和阳极光电阴极和阳极。m(1)结构和工作原理结构和工作原理(真空光电管真空光电管)10.2 光电器件的特性光电器件的特性光电管的分类光电管的分类:真空光电管真空光电管、充气光电管充气光电管光电阴极有的是贴附在玻璃泡内壁，光电阴极有的是贴附在玻璃泡内壁，有的是涂在半圆筒形的金属片上，有的是涂在半圆筒形的金属片上，阴极对光敏感的一面是向内的，在阴极对光敏感的一面是向内的，在阴极前装有单根金属丝或环状的阳阴极前装有单根金属丝或环状的阳极。当阴极受到适当波长的光线照极。当阴极受到适当波长的光线照射时便发射电子，电子被带正电位射时便发射电子，电子被带正电位的阳极所吸引，这样在光电管内就的阳极所吸引，这样在光电管内就有电子流，在外电路中便产生了电有电子流，在外电路中便产生了电流。流。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 充气光电管充气光电管 构造和真空光电管基本相同，所不同的仅是在玻璃泡内充构造和真空光电管基本相同，所不同的仅是在玻璃泡内充以少量的惰性气体，如氩或氖。当光电极被光照射而发射电子时，以少量的惰性气体，如氩或氖。当光电极被光照射而发射电子时，光电子在趋向阳极的途中撞击惰性气体的原子，使其电离，使阳光电子在趋向阳极的途中撞击惰性气体的原子，使其电离，使阳极电流急剧增加，提高了光电管的灵敏度。极电流急剧增加，提高了光电管的灵敏度。充气光电管的优点充气光电管的优点:灵敏度高灵敏度高;缺点缺点:灵敏度随电压显著变化、稳定性、频率特性等比真灵敏度随电压显著变化、稳定性、频率特性等比真空光电管差。空光电管差。(2)主要性能主要性能光电管的伏安特性光电管的伏安特性 当光通量一定时，光电当光通量一定时，光电管的电流与阳极电压的关管的电流与阳极电压的关系。系。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电管的光照特性光电管的光照特性 当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通光通量与光电流之间的关系为光电管的光照特性。量与光电流之间的关系为光电管的光照特性。氧化铯氧化铯阴极光电管的光照特性呈阴极光电管的光照特性呈线性线性关系。关系。锑化铯锑化铯阴极光电管的光照特性呈阴极光电管的光照特性呈非线性非线性关系。关系。光电管的灵敏度光电管的灵敏度:光照特性曲线的斜率。光照特性曲线的斜率。1:氧化铯阴极光电管氧化铯阴极光电管2:锑化铯阴极光电管锑化铯阴极光电管第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电管的光谱特性光电管的光谱特性 材料不同的光电阴极光电管有不同的红限频率材料不同的光电阴极光电管有不同的红限频率v0，可，可用于不同的光谱范围。用于不同的光谱范围。光电管的光谱特性光电管的光谱特性:光电管对不同频率光的敏感度光电管对不同频率光的敏感度。对不同波长区域的光，应选用不同材料的光电阴极。对不同波长区域的光，应选用不同材料的光电阴极。2 光电倍增管及基本特性光电倍增管及基本特性 在入射光极为微弱时，光电管产生的光电流很小，在在入射光极为微弱时，光电管产生的光电流很小，在这种情况下即使光电流能被放大，但信号和噪声同时被放这种情况下即使光电流能被放大，但信号和噪声同时被放大了，为克服这个缺点，要采用光电倍增管。大了，为克服这个缺点，要采用光电倍增管。(1)光电倍增管的结构和工作原理光电倍增管的结构和工作原理第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 它由光电阴极、若干个它由光电阴极、若干个倍增极和阳极三部分组成。倍增极和阳极三部分组成。光电阴极是由半导体光电材光电阴极是由半导体光电材料锑料锑铯制造的，入射光就铯制造的，入射光就在它上面打出光电子。倍增在它上面打出光电子。倍增极数目在极数目在414个不等。个不等。在各倍增极上加上一定的电压，阳极收集电子，外在各倍增极上加上一定的电压，阳极收集电子，外电路形成电流输出。工作时，各个倍增极上均加上电压，电路形成电流输出。工作时，各个倍增极上均加上电压，阴极阴极K电位最低。从阴极开始，各个电位最低。从阴极开始，各个倍增极倍增极E1、E2、E3、E4（或更多）电位依次升高，（或更多）电位依次升高，阳极阳极A电位最高。电位最高。入射光在光电阴极上激发电子，由于各极间有电场存在，入射光在光电阴极上激发电子，由于各极间有电场存在，所以阴极激发电子被加速轰击第一倍增极，在受到一定所以阴极激发电子被加速轰击第一倍增极，在受到一定数量的电子轰击后，能放出更多的电子，称为数量的电子轰击后，能放出更多的电子，称为“二次电二次电子子”。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电倍增管之倍增极的形状设计成每个极都能接受光电倍增管之倍增极的形状设计成每个极都能接受前一极的二次电子，而在各个倍增极上顺序加上越来越高前一极的二次电子，而在各个倍增极上顺序加上越来越高的正电压。这样如果在光电阴极上由于入射光的作用发射的正电压。这样如果在光电阴极上由于入射光的作用发射出一个电子，这个电子将被第一倍增极的正电压所加速而出一个电子，这个电子将被第一倍增极的正电压所加速而轰击第一倍增极，设这时第一倍增极有轰击第一倍增极，设这时第一倍增极有个二次电子发出，个二次电子发出，这这个电子又轰击第二倍增极，而其产生的二次电子又增个电子又轰击第二倍增极，而其产生的二次电子又增加加倍，经过倍，经过n个倍增极后，原先电子将变为个倍增极后，原先电子将变为n个电子，个电子，这些电子最后被阳极所收集而在光电阴极与阳极之间形成这些电子最后被阳极所收集而在光电阴极与阳极之间形成电流。电流。(2)主要参数主要参数 倍增系数倍增系数M M等于各倍增电极的二次电子发射系数等于各倍增电极的二次电子发射系数i的乘积。的乘积。M=in (n个倍增电极的个倍增电极的i都一样都一样)第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 阳极电流阳极电流I为为 I=iin (i光电阴极的光电流光电阴极的光电流)光电倍增管的电流放大倍数光电倍增管的电流放大倍数 =I/i=in 光电阴极灵敏度和倍增管总灵敏度光电阴极灵敏度和倍增管总灵敏度 光光 电阴极的灵敏度电阴极的灵敏度一个光子在阴极上打出的平均电子数一个光子在阴极上打出的平均电子数。光电倍增管的总灵敏度光电倍增管的总灵敏度一个光子在阳极上产生的平均电子数。一个光子在阳极上产生的平均电子数。极间电压越高，灵敏度越高；但极间电压也不能极间电压越高，灵敏度越高；但极间电压也不能太高，太高反而会使阳极电流不稳。由于光电倍增管的太高，太高反而会使阳极电流不稳。由于光电倍增管的灵敏度很高，所以不能受强光照射，否则将会损坏。灵敏度很高，所以不能受强光照射，否则将会损坏。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 暗电流和本底脉冲暗电流和本底脉冲 一般在使用光电倍增管时，必须把管子放在暗室里一般在使用光电倍增管时，必须把管子放在暗室里避光使用，使其只对入射光起作用；但由于环境温度、热避光使用，使其只对入射光起作用；但由于环境温度、热辐射和其它因素的影响。即使没有光信号输入，加上电压辐射和其它因素的影响。即使没有光信号输入，加上电压后阳极仍有电流，这种电流称为暗电流。这种暗电流可用后阳极仍有电流，这种电流称为暗电流。这种暗电流可用补偿电路加以消除。补偿电路加以消除。光电倍增管的阴极前面放一块闪烁体，就构成闪烁光电倍增管的阴极前面放一块闪烁体，就构成闪烁计数器。在闪烁体受到人眼看不见的宇宙射线的照射后，计数器。在闪烁体受到人眼看不见的宇宙射线的照射后，光电倍增管就会有电流信号输出，这种电流称为闪烁计光电倍增管就会有电流信号输出，这种电流称为闪烁计数器的暗电流，一般把它称为本底脉冲。数器的暗电流，一般把它称为本底脉冲。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 10.3 10.3 常用光电传感器及其应用常用光电传感器及其应用1 光敏电阻光敏电阻(1)结构和原理结构和原理 光敏电阻又称光导管。光敏电阻是用半导体材料制成的。光敏电阻又称光导管。光敏电阻是用半导体材料制成的。在玻璃底板上均匀地涂上薄薄的一层半导体物质，半导体的两在玻璃底板上均匀地涂上薄薄的一层半导体物质，半导体的两端装上金属电极，使电极与半导体层可靠地电接触，然后，将端装上金属电极，使电极与半导体层可靠地电接触，然后，将它们压入塑料封装体内。为了防止周围介质的污染，在半导体它们压入塑料封装体内。为了防止周围介质的污染，在半导体光敏层上覆盖一层漆膜，漆膜成分的选择应该使它在光敏层最光敏层上覆盖一层漆膜，漆膜成分的选择应该使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。敏感的波长范围内透射率最大。图图(b)为接线电路。为接线电路。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光敏电阻利用光电导效应制成，一光敏电阻利用光电导效应制成，一般选用禁带宽度较宽的半导体材料。般选用禁带宽度较宽的半导体材料。光电导原理光电导原理：当入射光照到半导体：当入射光照到半导体上时，光子的能量如果大于禁带宽度，上时，光子的能量如果大于禁带宽度，即即hfEg,则电子受光子的激发由价带越则电子受光子的激发由价带越过禁带跃迁到导带，在价带中留下带正过禁带跃迁到导带，在价带中留下带正电的空穴，在外加电压作用下，导带中电的空穴，在外加电压作用下，导带中的电子和价带中的空穴同时参与导电，的电子和价带中的空穴同时参与导电，即载流子数增多使其电阻下降。即载流子数增多使其电阻下降。原理：原理：光敏电阻在受到光的照射时，由于内光电效应使光敏电阻在受到光的照射时，由于内光电效应使其导电性能增强，电阻其导电性能增强，电阻RG值下降，流过负载电阻值下降，流过负载电阻RL的电的电流及其两端电压也随之变化。光线越强，电流越大。当流及其两端电压也随之变化。光线越强，电流越大。当光照停止时，光电效应消失，电阻恢复原值光照停止时，光电效应消失，电阻恢复原值。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 (2)光敏电阻的特性光敏电阻的特性暗电阻暗电阻、暗电流暗电流 暗电阻暗电阻：若将光敏电阻置于无光照条件下，测得的光：若将光敏电阻置于无光照条件下，测得的光敏电阻的阻值。这时，在给定工作电压下测得光敏电阻中敏电阻的阻值。这时，在给定工作电压下测得光敏电阻中的电流称为的电流称为暗电流暗电流。亮电阻亮电阻、光电流光电流 亮电阻亮电阻：光敏电阻在光照条件下，测得的光敏电阻的：光敏电阻在光照条件下，测得的光敏电阻的阻值阻值(亮电阻一般在几千欧姆亮电阻一般在几千欧姆)。这时在工作电压下测得的电。这时在工作电压下测得的电流称为流称为亮电流亮电流。光电流光电流：亮电流和暗电流之差称为光电流：亮电流和暗电流之差称为光电流I。光敏电阻的光谱特性光敏电阻的光谱特性 使用不同材料制成的光敏电阻，有着不同的光谱特性。使用不同材料制成的光敏电阻，有着不同的光谱特性。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 1:硫化镉、硫化镉、2:硫化铊、硫化铊、3:硫化铅。硫化铅。光敏电阻的光电特性光敏电阻的光电特性 在一定电压作用下，光敏电阻的在一定电压作用下，光敏电阻的光电流光电流I与照射光通量与照射光通量的关系称为的关系称为光电特性。光电特性。光敏电阻的光电特性具有非线性。光敏电阻的光电特性具有非线性。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 时间常数时间常数 当光敏电阻受到光照时，光电流要经过一定时间才能当光敏电阻受到光照时，光电流要经过一定时间才能到达稳定值。同样，光照停止后，光电流也要经过一定时到达稳定值。同样，光照停止后，光电流也要经过一定时间才能恢复到暗电流。间才能恢复到暗电流。光敏电阻的光电流随光强度变化的惯性，通常用时间光敏电阻的光电流随光强度变化的惯性，通常用时间常数常数表示。表示。时间常数反映了光敏电阻对光照响应的快慢程度。不时间常数反映了光敏电阻对光照响应的快慢程度。不同材料的光敏电阻有着不同的时间常数。同材料的光敏电阻有着不同的时间常数。2 光电池光电池 光电池基于阻挡层的光电效应工作的。光电池基于阻挡层的光电效应工作的。在光线照射下，直接将光量转变为电动势的光电元件。在光线照射下，直接将光量转变为电动势的光电元件。实质上它就是电压源。实质上它就是电压源。光电池的种类很多，有硒光电池、氧化亚铜光电池、光电池的种类很多，有硒光电池、氧化亚铜光电池、第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等。池、砷化镓光电池等。其中硅光电池和硒光电池用途广其中硅光电池和硒光电池用途广泛。泛。本课程着重介绍硅和硒两种光电池本课程着重介绍硅和硒两种光电池.(1)结构原理结构原理 硅光电池是在一块硅光电池是在一块N型硅片型硅片上，用扩散的方法掺入一些上，用扩散的方法掺入一些P型型杂质（例如硼）形成杂质（例如硼）形成PN结。结。入射光照射在入射光照射在PN结上时，若光子能量结上时，若光子能量hv大于半导体大于半导体材料的禁带宽度材料的禁带宽度Eg，则在，则在PN结内产生电子结内产生电子-空穴对，在内空穴对，在内电场的作用下，空穴移向电场的作用下，空穴移向P型区，电子移向型区，电子移向N型区，使型区，使P型区带正电，型区带正电，N型区带负电，因而型区带负电，因而PN结产生电势。结产生电势。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 硒光电池是在铝片上硒光电池是在铝片上涂硒，再用溅射的工艺，涂硒，再用溅射的工艺，在硒层上形成一层半透明在硒层上形成一层半透明的氧化硒。在正反两面喷的氧化硒。在正反两面喷上低溶合金作为电极。在上低溶合金作为电极。在光线照射下，镉材料带负光线照射下，镉材料带负电，硒材料上带正电，形电，硒材料上带正电，形成光电流或光电势。成光电流或光电势。(2)主要特性主要特性光电池的光谱特性光电池的光谱特性不同光电池的光谱峰值位置不不同光电池的光谱峰值位置不同。如硅光电池在同。如硅光电池在8000 附近，附近，硒光电池在硒光电池在5400 附近。附近。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 硅光电池的光谱范围广，即为硅光电池的光谱范围广，即为450011000 之间，之间，硒光电池的光谱范围为硒光电池的光谱范围为34007500 。因此硒光电池适。因此硒光电池适用于可见光，常用于照度计测定光的强度。用于可见光，常用于照度计测定光的强度。光电池的光照特性光电池的光照特性 光电池在不同的光强照光电池在不同的光强照射下可产生不同的光电流和射下可产生不同的光电流和光生电动势。光生电动势。短路电流在很大范围内与光强成线性关系。开路电短路电流在很大范围内与光强成线性关系。开路电压随光强变化是非线性的，并且当照度在压随光强变化是非线性的，并且当照度在2000lx时就趋时就趋于饱和了。因此把光电池作为测量元件时，应把它当作于饱和了。因此把光电池作为测量元件时，应把它当作电流源的形式来使用，不宜用作电压源。电流源的形式来使用，不宜用作电压源。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电池的短路电流：是反映外接负载电阻相对于光电池内阻很小时的光电流。而光电池的内阻是随着照度增加而减小的，所以在不同照度下可用大小不同的负载电阻为近似“短路”条件。从实验中知道，负载电阻越小，光电流与照度之间的线性关系越好，且线性范围越宽。对于不同的负载电阻，可在不同的照度范围内，使光对于不同的负载电阻，可在不同的照度范围内，使光电流与光强保持线性关系，所以应用光电池作测量元件时，电流与光强保持线性关系，所以应用光电池作测量元件时，所用负载电阻的大小，应根据光强的具体情况而定。总之，所用负载电阻的大小，应根据光强的具体情况而定。总之，负载电阻越小越好负载电阻越小越好。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光电池的频率特性光电池的频率特性 光电池在作为测量、计数、接收光电池在作为测量、计数、接收元件时，常用交变光照。元件时，常用交变光照。光电池的频率特性：反映光的交光电池的频率特性：反映光的交变频率和光电池输出电流的关系。变频率和光电池输出电流的关系。硅光电池可以有很高的频率响应硅光电池可以有很高的频率响应 光电池的温度特性光电池的温度特性 光电池的开路电压和短路电流随光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。温度变化的情况。由于它关系到应由于它关系到应用光电池设备的温度漂移，影响到用光电池设备的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等主要指标，测量精度或控制精度等主要指标，因此它是光电池的重要特征之一。因此它是光电池的重要特征之一。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 开路电压随温度升高而下降的速度较快开路电压随温度升高而下降的速度较快;短路电流随温度升高而缓慢增加。短路电流随温度升高而缓慢增加。当用光电池作测量元件时，在系统设计中应考虑到温当用光电池作测量元件时，在系统设计中应考虑到温度的漂移，采取相应的措施来进行补偿。度的漂移，采取相应的措施来进行补偿。3 光敏二、三极管光敏二、三极管1)光敏二极管光敏二极管(1)(1)结构和工作原理结构和工作原理 光敏二极管又称光电二极管，与普通二极管在结构上光敏二极管又称光电二极管，与普通二极管在结构上是类似的。是类似的。在光敏二极管管壳上有一个能射入光线的玻璃透镜，在光敏二极管管壳上有一个能射入光线的玻璃透镜，入射光通过玻璃透镜正好射在管芯上。发光二极管的管芯入射光通过玻璃透镜正好射在管芯上。发光二极管的管芯是一个具有光敏特性的是一个具有光敏特性的PN结，它被封装在管壳内。发光结，它被封装在管壳内。发光二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺在二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺在N型单晶硅上形成型单晶硅上形成的一层薄膜。光敏二极管的管芯以及管芯上的的一层薄膜。光敏二极管的管芯以及管芯上的PN结面积结面积第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 做得较大，而管芯上的做得较大，而管芯上的电极面积做得较小，电极面积做得较小，PN结的结深比普通半导体结的结深比普通半导体二极管做得浅，这些结二极管做得浅，这些结构都是为了提高光电转构都是为了提高光电转换的能力。与普通硅半换的能力。与普通硅半导体二极管一样，在硅导体二极管一样，在硅片上生长了一层二氧化片上生长了一层二氧化硅保护层，它把硅保护层，它把PN结的结的边缘保护起来，提高了边缘保护起来，提高了管子的稳定性，减小了管子的稳定性，减小了暗电流。暗电流。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光敏二极管在电路中处于反光敏二极管在电路中处于反向偏置，在没有光照射时，反向向偏置，在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流电阻很大，反向电流(暗电流暗电流)很小。很小。当光照射在当光照射在PN结上，光子打在结上，光子打在PN结附近，使结附近，使PN结附近产生光生电结附近产生光生电子及光生空穴，因此使子及光生空穴，因此使PN结的反结的反向电流增大。向电流增大。(2)主要技术参数主要技术参数最高反向工作电压最高反向工作电压 最高反向工作电压：光敏二极管在无光照条件下，最高反向工作电压：光敏二极管在无光照条件下，反向漏电流不大于反向漏电流不大于0.1A时所能承受的最高反向电压时所能承受的最高反向电压值。值。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 暗电流暗电流 暗电流：暗电流：光敏二极管在无光照、最高反向工作电压条光敏二极管在无光照、最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。检测弱光的能力越强。光电流光电流 光电流光电流是指光敏二极管受到一定光照时，在最高反向是指光敏二极管受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。光电流值越大越好。工作电压下产生的电流。光电流值越大越好。灵敏度灵敏度 是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示。灵敏度越高，瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示。灵敏度越高，说明光敏二极管对光的反应就越灵敏。说明光敏二极管对光的反应就越灵敏。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 响应时间响应时间 表示光敏二极管将光信号转换成电信号所需要的时间。表示光敏二极管将光信号转换成电信号所需要的时间。响应时间越短，说明光敏二极管将光信号转换成电信号的响应时间越短，说明光敏二极管将光信号转换成电信号的速度越快，也就是光敏二极管的工作频率越高。速度越快，也就是光敏二极管的工作频率越高。结电容结电容 指光敏二极管中指光敏二极管中PN结的结电容。结电容越小，发光结的结电容。结电容越小，发光二极管的工作频率就越高。二极管的工作频率就越高。正向压降正向压降 指给光敏二极管以一定的正向电流时，光敏二极管两指给光敏二极管以一定的正向电流时，光敏二极管两端的电压降。它反映了光敏二极管正向特性的好坏。端的电压降。它反映了光敏二极管正向特性的好坏。光谱范围和峰值波长光谱范围和峰值波长 不同材料制成的光敏二极管有着不同的光谱特性，反不同材料制成的光敏二极管有着不同的光谱特性，反映了光敏二极管对不同波长的光反应的灵敏度是不同的。映了光敏二极管对不同波长的光反应的灵敏度是不同的。峰值波长峰值波长:光敏二极管反应最灵敏的波长。光敏二极管反应最灵敏的波长。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 2)光敏三极管光敏三极管 (1)结构和工作原理结构和工作原理光敏三极管光敏三极管:PNP型型和和NPN型型。光敏三极管像普通三极管一样有两个光敏三极管像普通三极管一样有两个PN结，具有电结，具有电流增益。当集电极加上正电压，基极开路时，集电极处流增益。当集电极加上正电压，基极开路时，集电极处于反向偏置状态。当光线照射在集电结的基区时，会产于反向偏置状态。当光线照射在集电结的基区时，会产生电子生电子-空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极和发射极间的电压升高，便有大量的电子流向集使基极和发射极间的电压升高，便有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的倍。倍。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 (2)光敏三极管的主要特性光敏三极管的主要特性 光敏三极管的光谱特性光敏三极管的光谱特性 光敏三极管存在一个最佳光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要的波长增加时，相对灵敏度要下降。下降。光敏三极管的伏安特性光敏三极管的伏安特性 光敏三极管在不同照度下的伏安特性，就像一般晶光敏三极管在不同照度下的伏安特性，就像一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。只要将入射光体管在不同的基极电流时的输出特性一样。只要将入射光照在发射极照在发射极e与基极与基极b之间的之间的PN结附近，所产生的光电流结附近，所产生的光电流看作基极电流，可将光敏三极管看作一般的晶体管，光敏看作基极电流，可将光敏三极管看作一般的晶体管，光敏三极管能把光信号变成电信号，且输出的电信号较大。三极管能把光信号变成电信号，且输出的电信号较大。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光敏三极管的光照特性光敏三极管的光照特性 光敏三极管的输出电流光敏三极管的输出电流I和照度之间的关系，它们之和照度之间的关系，它们之间呈近似线性关系。当光照足够大（几千勒克斯）时，间呈近似线性关系。当光照足够大（几千勒克斯）时，会出现饱和现象，从而使光敏三极管既可作线性转换元会出现饱和现象，从而使光敏三极管既可作线性转换元件，也可作开关转换元件。件，也可作开关转换元件。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光敏三极管的温度特性光敏三极管的温度特性 光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。温度变化对光电流的影响很小，而对暗电流的影响很温度变化对光电流的影响很小，而对暗电流的影响很大，所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将大，所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。会导致输出误差。光敏三极管的频率特性光敏三极管的频率特性 光敏三极管的频率特性光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。载电阻可以提高频率响应。光敏三极管的频率响应比光光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。敏二极管差。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 10.4 10.4 光纤传感器光纤传感器 光纤传感器是光纤传感器是20世纪世纪70年代中期发展起来的一门新技年代中期发展起来的一门新技术，它是伴随着光纤及光通信技术的发展而逐步形成的，术，它是伴随着光纤及光通信技术的发展而逐步形成的，这一新技术的影响目前已十分明显。这一新技术的影响目前已十分明显。光纤传感器的特点光纤传感器的特点:体积小、形状可塑性强、灵敏度高、重量轻、不受电体积小、形状可塑性强、灵敏度高、重量轻、不受电磁干扰、耐腐蚀、电绝缘、防爆性好、易与微机连接、便磁干扰、耐腐蚀、电绝缘、防爆性好、易与微机连接、便于遥测等。于遥测等。光纤传感器光纤传感器:温度、压力、磁、电、声、应力、应变、温度、压力、磁、电、声、应力、应变、位移、速度、加速度、陀螺、电流、位移、速度、加速度、陀螺、电流、PH值等。值等。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 光纤传感器所用光纤有单模光纤和多模光纤。光纤传感器所用光纤有单模光纤和多模光纤。单模光纤的纤芯直径通常为单模光纤的纤芯直径通常为212m，很细的纤芯半，很细的纤芯半径接近于光源波长的长度，仅能维持一种模式传播，一般径接近于光源波长的长度，仅能维持一种模式传播，一般相位调制型和偏振调制型的光纤传感器采用单模光纤；光相位调制型和偏振调制型的光纤传感器采用单模光纤；光强调制型或传光型光纤传感器多采用多模光纤。强调制型或传光型光纤传感器多采用多模光纤。光纤的结构和传输原理光纤的结构和传输原理1 光纤的结构光纤的结构 光导纤维简称光纤，基本上都是采用石英玻璃。中心光导纤维简称光纤，基本上都是采用石英玻璃。中心的圆柱体叫纤芯，围绕着纤芯的圆形外层叫做包层，纤芯的圆柱体叫纤芯，围绕着纤芯的圆形外层叫做包层，纤芯和包层主要由不同掺杂的石英玻璃制成，纤芯的折射率和包层主要由不同掺杂的石英玻璃制成，纤芯的折射率n1略大于包层的折射率略大于包层的折射率n2，在包层外面还常有一层保护套，在包层外面还常有一层保护套，多为尼龙材料。光纤的导光能力取决于纤芯和包层的性质，多为尼龙材料。光纤的导光能力取决于纤芯和包层的性质，而光纤的机械强度由保护套维持。而光纤的机械强度由保护套维持。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 包层纤芯(n1n2)2 光纤的传输原理光纤的传输原理 众所周知，光在空间是直线传播的。在光纤中，光的传输限制在光纤中，并随光纤能传送到很远的距离，光纤的传输是基于光的全内反射。当光纤的直径比光的波长大很多时，可用几何光学的方法来说明光在光纤内的传播。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 设有一段圆柱形光纤，它的两个端面均为光滑的平设有一段圆柱形光纤，它的两个端面均为光滑的平面。当光线射入一个端面并与圆柱的轴线成面。当光线射入一个端面并与圆柱的轴线成c角时，角时，根据斯乃尔根据斯乃尔折射定律，在光纤内折射成折射定律，在光纤内折射成，然后以，然后以角角入射至纤芯与包层的界面。若要在界面上发生全反射，入射至纤芯与包层的界面。若要在界面上发生全反射，则纤芯与界面的光线入射角则纤芯与界面的光线入射角应大于临界角应大于临界角c c，即，即第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 并在光线内部以同样的角度反复逐次反射，直并在光线内部以同样的角度反复逐次反射，直至传播到另一端面。至传播到另一端面。实际工作时光纤会弯曲，但只要满足全反射条件，光线仍继续前进。可见这里的光线“转弯”实际上是光的全反射形成的。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 数值孔径数值孔径NANA:描述光线集光的能力(反映纤芯接受光量的多少反映纤芯接受光量的多少)NA意义：无论光源发射功率多大，只有入射光处于意义：无论光源发射功率多大，只有入射光处于22c c的光角内，光纤才能导光。如入射角过大，所以的光角内，光纤才能导光。如入射角过大，所以NANA是光纤是光纤的一个重要参数。一般希望有大的数值孔径，这有利于耦的一个重要参数。一般希望有大的数值孔径，这有利于耦合效率的提高，但数值孔径过大，会造成光信号畸变，所合效率的提高，但数值孔径过大，会造成光信号畸变，所以要适当选择数值孔径的数值。以要适当选择数值孔径的数值。一般光线所处环境为空气，一般光线所处环境为空气，n0=1。在界面上产。在界面上产生全反射，光纤端面上的光线入射角为生全反射，光纤端面上的光线入射角为第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 几种常用的光纤传感器几种常用的光纤传感器1 光纤加速度传感器光纤加速度传感器 分光板测量光纤第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 2 光纤位移传感器光纤位移传感器 光纤位移传感器是利用光导纤维传输光信号的功能，光纤位移传感器是利用光导纤维传输光信号的功能，根据探测到的反射光的强度来测量被测反射表面的距离。根据探测到的反射光的强度来测量被测反射表面的距离。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 工作原理是：工作原理是：当光纤探头端部紧贴被测部件时，发射当光纤探头端部紧贴被测部件时，发射光纤中的光不能反射到接收光纤中去，因而就不能产生光光纤中的光不能反射到接收光纤中去，因而就不能产生光电流信号；当被测表面逐渐远离光纤探头时，发射光纤照电流信号；当被测表面逐渐远离光纤探头时，发射光纤照亮被测表面的面积亮被测表面的面积A A越来越大，因而相应的发射光锥和接越来越大，因而相应的发射光锥和接收光锥重合面积收光锥重合面积B B1 1越来越大，因而接收光纤端面上被照亮越来越大，因而接收光纤端面上被照亮的区的区B B2 2也越来越大，有一个线性增长的输出信号；当整个也越来越大，有一个线性增长的输出信号；当整个接收光纤的端面被全部照亮时，输出信号就达到了位移接收光纤的端面被全部照亮时，输出信号就达到了位移-输出信号曲线上的输出信号曲线上的“光峰点光峰点”，光峰点以前的这段曲线叫，光峰点以前的这段曲线叫前坡区；当被测表面继续远离时，由于被反射光照亮的面前坡区；当被测表面继续远离时，由于被反射光照亮的面积积B B2 2大于大于C C，即有部分反射光没有反射进接收光纤，但由，即有部分反射光没有反射进接收光纤，但由于接收光纤更加远离被测表面，接收到的光强逐渐减小，于接收光纤更加远离被测表面，接收到的光强逐渐减小，光敏检测器的输出信号逐渐减弱，便进入曲线的后坡区。光敏检测器的输出信号逐渐减弱，便进入曲线的后坡区。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 在后坡区，信号的减弱在后坡区，信号的减弱与探头和被测表面之间的距与探头和被测表面之间的距离平方成反比。离平方成反比。在位移在位移-输出曲线的输出曲线的“前前坡坡”区中，输出信号的强度区中，输出信号的强度增加得非常快，所以这一区增加得非常快，所以这一区域可以用来进行微米级的位域可以用来进行微米级的位移测量。移测量。“后坡后坡”区可用于距离较远而灵敏度、线性度和精度区可用于距离较远而灵敏度、线性度和精度要求不高的测量。要求不高的测量。光峰区光峰区:输出信号对于光强度变化的灵敏度要比对于输出信号对于光强度变化的灵敏度要比对于位移变化的灵敏度大得多，所以这个区域可用于对表面状位移变化的灵敏度大得多，所以这个区域可用于对表面状态进行光学测量。态进行光学测量。第第1010章章 光电测量技术光电测量技术 3 光纤温度传感器光纤温度传感器 光纤温度传感器是目前仅次于加速度、压力传感器光纤温度传感器是目前仅次于加速度、压力传感器而广泛使用的光纤传感器。而广泛使用的光纤传感器。根据工作原理可分为相位调制型、光强调制型和偏根据工作原理可分为相位调制型、光强调制型和偏振光型等。振光型等。由激光器由激光器He-Ne发出的光经过扩束镜、分光镜、显微发出的光经过扩束镜、分光镜、显微物镜分别送入两根长度相同的单模光纤中，则从两根光纤物镜分别送入两根长度相同的单模光纤中，则从两根光纤射出的光就产生干涉而形成干涉条纹。当探测臂受到被测射出的光就产生干涉而形成干涉条纹。当探测臂受到被测温度变化时，就会引起两束光的相位差之变化，因此光的温度变化时，就会引起两束光的相位差之变化，因此光的干涉条纹就会产生移动，根据移动的干涉条纹数就可以确干涉条纹就会产生移动，根据移动的干涉条纹数就可以确定被测温度之大小。定被测温度